EDA
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MOSFET與IGBT：電機驅動控制的未來
Si IGBT是硅絕緣柵雙極晶體管的簡寫。碳化硅MOSFET是碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的縮寫。
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單相全橋混合器件模塊與三電平混合器件模塊
用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級)的功率半導體器件主要有MOSFET、IGBT、超結MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。
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推挽式逆變器的主電路及其工作波形
逆變器是由具有中心抽頭變壓器，兩只開關管V1、V2碭和兩只二極管D1、D2構成的，是一種完全對稱的結構形式。
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普通PWM芯片如何實現(xiàn)簡易的軟開關
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關狀態(tài),硬開關狀態(tài)有以下弊端
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反激式開關電源的優(yōu)點和缺點
反激式開關電源的電壓和電流的輸出特性要比正激式開關電源的差。
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STM32F103VE的純數(shù)字式正弦逆變電源系統(tǒng)設計
該方案分為前后兩級，前級采用推挽升壓電路將輸入的直流電升壓到350V左右的母線電壓，后級采用全橋逆變電路，逆變橋輸出經濾波器濾波。
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boost升壓電路參數(shù)選型設計
穩(wěn)定工作時，第個開關周期導通期間電感電流的增加等于關斷期間電感電流的減小。
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自舉電路的工作原理
通過特定的電路配置來實現(xiàn)電壓升高的電路。其工作原理復雜而精妙，涉及電子元件的充放電過程、電壓疊加以及能量轉換等多個方面。
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boost升壓電路的定義及工作原理介紹
boost升壓電路是一種常見的開關直流升壓電路，它通過開關管導通和關斷來控制電感儲存和釋放能量，從而使輸出電壓比輸入電壓高。
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開關電源中開關式穩(wěn)壓電源的基本工作原理
介紹單端正激式開關電源、自激式開關電源、推挽式開關電源、降壓式開關電源、升壓式開關電源和反轉式開關電源。
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逆變電路開關器件設計時如何確定控制信號的占空比?
?確定控制信號的占空比?：占空比是指PWM信號中高電平的時間占整個周期的比例。占空比決定了輸出電路的平均功率。
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開關電源中穩(wěn)壓環(huán)路原理
開關電源可以使功率晶體管工作在導通和關斷兩種工作狀態(tài)下，其實就是將輸入直流電壓幅值斬成和輸入電壓幅值相等的脈沖電壓來實現(xiàn)。
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開關電源電路中的電磁干擾濾波器
開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器(EMI)、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。
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在雙管正激開關電源中，變壓器的設計
在雙管正激開關電源中，變壓器是核心部件之一，其設計和參數(shù)選擇對整個電源的性能有著重要的影響。
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在電源供應領域，開關電源的紋波如何控制？
在電源供應領域，開關電源的紋波控制是提高設備性能的關鍵。本文將帶領讀者了解開關電源紋波測量的一系列步驟，以保障電源的穩(wěn)定輸出。
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