• 總結解決電磁干擾（EMI）問題的6個技巧

    降低EMI的一個重要途徑是設計PCB接地層。第一步是使PCB電路板總面積內的接地面積盡可能大，這樣可以減少發(fā)射、串擾和噪聲。將每個元器件連接到接地點或接地層時必須特別小心，如果不這樣做，就不能充分利用可靠的接地層的中和效果。

    技術前線
    2024-10-13
    EMI PCB

  • 詳解繼電器要并聯二極管的原因

    繼電器是一種將大電流和高電壓控制在小電流和低電壓下的電氣開關。它由觸點系統(tǒng)和電磁鐵組成，當電磁鐵通電時，可吸引鐵心，使觸點閉合或斷開。它可以將信號的控制和功率信號的處理隔離開，同時還可以承受高壓和大電流。

  • 固定無線接入方案大大加強WI-FI功能

    WI-FI從誕生到如今已經20年，在從最初的科學設想到現在家喻戶曉的短短二十年里，WI-FI的使用遍布生活的各個方面。預計到2022年，將有48億互聯網用戶和285億聯接的設備。隨著技術的不斷發(fā)展，WI-FI可能會成為像電力、燃氣等一樣的生活必需品。

  • MOS管中的安全區(qū)詳解

    MOS管中的安全區(qū)，即安全工作區(qū)(Safe Operating Area，簡稱SOA)，是指由一系列電壓和電流坐標點形成的一個二維區(qū)域。這個區(qū)域定義了MOS管在正常工作條件下所能承受的最大電壓和電流范圍。只要MOS管的工作電壓和電流不超過這個區(qū)域，就可以認為是安全的;一旦超出這個區(qū)域，就可能導致器件損壞，甚至可能引發(fā)爆炸等嚴重后果。

  • 匯總功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎

    高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關損耗，提高系統(tǒng)效率。

  • 一文搞懂直流穩(wěn)壓電源同步整流MOSFET失效問題分析與解決方案

    同步整流MOSFET是一種基于金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的電子器件，廣泛應用于交流電到直流電的轉換過程中。它能夠實現高效率的整流，提供穩(wěn)定的直流輸出。

  • 盤點NAND Flash與NOR Flash的區(qū)別

    與DRAM內存不同，NAND在斷電后也能夠儲存數據。閃存斷電時，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導體會向存儲單元供電，保持數據的完整性。NAND單元陣列存儲1到4位數據。

  • 詳解示波器采樣率和存儲深度的意義

    在電子測量領域，示波器無疑是一款非常重要的儀器，廣泛應用于電壓、時間、頻率、相位等電信號的測量與分析中。在示波器的應用中離不開兩個重要的參數：采樣率和存儲深度，直接決定了示波器捕獲和顯示信號的能力。

  • Buck電路中PCB布局該注意事項總結

    對于一個常見的buck芯片，其電感充電功率回路中包含輸入電容，集成在芯片內部的上管MOSFET，功率電感以及輸出電容等器件。而電感放電功率回路中則包含功率電感、輸出電容和集成在芯片內部的下管MOSFET等。

  • 解析Linux系統(tǒng)操作中不可缺少的程序之init進程

    內核自行啟動(已經被載入內存，開始運行，并已初始化所有的設備驅動程序和數據結構等)之后，就通過啟動一個用戶級程序init的方式，完成引導進程。所以,init始終是第一個進程(其進程編號始終為1)。

  • 一文讀懂：無線振動加速度傳感器原理作用、類型應用

    經過多年發(fā)展無線振動加速度傳感器(如：lord G-LINK-200)已成為多個領域不可或缺的工具。無論是在工業(yè)設備監(jiān)測、建筑健康評估，還是汽車系統(tǒng)測試中，它們都發(fā)揮著至關重要的作用。選擇合適的無線振動加速度傳感器對確保項目成功和系統(tǒng)穩(wěn)定性至關重要。

  • 詳解軟件危機與軟件工程化

    在計算機系統(tǒng)發(fā)展的早期時代(20世紀60年代中期以前),通用硬件相當普遍﹐軟件卻是為每個具體應用而專門編寫的。這時的軟件通常是規(guī)模較小的程序,編寫者和使用者往往是同一個(或同一組)人。這種個體化的軟件環(huán)境,使得軟件設計通常是在人們頭腦中進行的一個隱含的過程，除了程序清單之外,沒有其他文檔資料保存下來。

  • 深度解讀軟件可靠性測試

    在數字化浪潮席卷全球的今天，軟件已經滲透到我們生活的方方面面，從智能手機APP到大型企業(yè)的ERP系統(tǒng)，軟件的可靠性直接關系到用戶體驗和企業(yè)的運營效率。

  • TrendForce集邦咨詢: 買方優(yōu)先去庫存，2024年第四季度存儲器價格漲幅放緩

    Oct. 9, 2024 ---- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季之前，消費型產品終端需求依然疲軟，由AI 服務器支撐起存儲器主要需求，加上HBM排擠現有DRAM產品產能，供應商對合約價格漲幅保持一定的堅持。然而，近期雖有服務器OEM維持拉貨動能，但智能手機品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預估第四季存儲器均價漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRAM整體平均價格估計上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。

  • TrendForce集邦咨詢：ODM備料放緩，預估2024年第四季MLCC出貨量季減3.6%

    Oct. 8, 2024 ---- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，近期經濟數據顯示美國市場通脹持續(xù)降溫，聯準會于九月宣布降息兩碼，以防經濟增長放緩。此外，在不確定的國際形勢下，可能導致消費者降低支出意愿，保守和降級的消費態(tài)度或將成為沖擊年末節(jié)慶購物需求的一項主要風險。TrendForce集邦咨詢預估2024年第四季MLCC供應商出貨總量約12,050億顆，季減3.6%。

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