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超級(jí)電容器系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素
超級(jí)電容器可以提供更多功能：更高的功率密度、更大的法拉、更長(zhǎng)的循環(huán)壽命等等。但它們也需要更復(fù)雜的解決方案來實(shí)現(xiàn)最佳性能。許多設(shè)計(jì)考慮因素包括管理超級(jí)電容器放電、優(yōu)化超級(jí)電容器充電，以及在超級(jí)電容器模塊串聯(lián)配置的情況下，在電池之間提供有效的電壓平衡。
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WBG 功率轉(zhuǎn)換器的電流感應(yīng)挑戰(zhàn)是什么？
WBG的高頻切換帶來了與帶寬和速度相關(guān)的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)可以通過新的傳感技術(shù)來解決。此外，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對(duì)短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。
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軟開關(guān)和 SiC 器件如何改善功率轉(zhuǎn)換
效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的重要因素。每個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)和碳化硅 (SiC) 技術(shù)的結(jié)合可以提高開關(guān)頻率，從而可以減小臨時(shí)存儲(chǔ)能量的無源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎(chǔ)。
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如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件，例如碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術(shù)還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應(yīng)用中特別有優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進(jìn)行了比較分析。
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應(yīng)用，從電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關(guān)的應(yīng)用可能性示例。
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相控、雙向和旁路晶閘管如何工作？
晶閘管是四層半導(dǎo)體開關(guān)，具有交替的 P 型和 N 型材料層。雖然所有晶閘管都具有相同的基本結(jié)構(gòu)，但可以修改其實(shí)現(xiàn)和封裝的細(xì)節(jié)以滿足特定應(yīng)用的需求。
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PLC與變頻器搭配使用的方法和要點(diǎn)
PLC與變頻器的搭配使用在工業(yè)控制中非常常見，主要用于實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制和調(diào)節(jié)。
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電源模塊紋波噪聲的測(cè)試方法
那么模塊的紋波噪聲該如何降低?普科科技從紋波噪聲的波形、測(cè)試方式、模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用的角度出發(fā)，闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。
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控制電機(jī)的啟動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)
變頻調(diào)速系統(tǒng)在各類中小型企業(yè)的工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。這都是得益于我們可以變頻調(diào)速方案可以提供精確的速度控制，實(shí)現(xiàn)無級(jí)調(diào)速。
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基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性對(duì)比
高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實(shí)現(xiàn)小型化，美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級(jí)換代。
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逆變電路的基本組成 逆變電路的工作原理
直流電源輸入：逆變電路的輸入端連接一個(gè)直流電源，如太陽能電池板或蓄電池。直流電源為逆變電路提供電能。
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逆變電源的SPWM波形發(fā)作電路
一片用來發(fā)作PWM波，操控推挽升壓電路;另一片與正弦函數(shù)發(fā)作芯片ICL8 038聯(lián)接來發(fā)作SPWM波，操控全橋逆變電路。
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推挽升壓電路和SPWM逆變電路系統(tǒng)總體方案
推挽升壓電路和SPWM逆變電路，實(shí)現(xiàn)了將12VDC輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC交流正弦電壓輸出。實(shí)驗(yàn)表明，該逆變器具有電壓紋波小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)高和全數(shù)字等特點(diǎn)，能夠滿足實(shí)際需要。
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在振蕩電路應(yīng)用中，晶振負(fù)載電容、雜散電容與外接電容之間的關(guān)系
經(jīng)常遇到有人把晶振的負(fù)載電容與外接電容混淆，甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。
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開關(guān)電源中的光耦：作用與重要性
開關(guān)電源，作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的部分，其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行至關(guān)重要。在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中，光耦作為一種關(guān)鍵的隔離與傳輸元件，發(fā)揮著不可替代的作用。本文旨在深入探討開關(guān)電源中光耦的作用，以及其在電源設(shè)計(jì)中的重要性。
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