日前,長(zhǎng)電科技公告宣布,其非公開(kāi)發(fā)行新增股份已完成登記手續(xù),募集資金總額為36.19億元,發(fā)行后國(guó)家大基金成為第一大股東、中芯國(guó)際成為第二大股東。
2018 年的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展被形容為在敵人的隆隆炮火下匍匐前進(jìn),雖低調(diào)卻始終有沉穩(wěn)且驚喜的突破,如近期中芯國(guó)際的 14 納米研發(fā)成功,以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)提出驚艷國(guó)際的 Xtacking 技術(shù),好消息是接二連三,而即將接下第三棒喜迎“芯”事的半導(dǎo)體大廠,將是上海華力微電子。這也是中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè) 1 年內(nèi)在高階技術(shù)“連下三城”的重大進(jìn)展。
中芯目前仍處于過(guò)渡時(shí)期,但整體運(yùn)營(yíng)狀況優(yōu)于預(yù)期。目前已經(jīng)在14nm FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展,第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。28nm工藝方面,28nm HKC版本產(chǎn)量持續(xù)上升,良率達(dá)到業(yè)界水平.
8月10日消息,據(jù)香港媒體報(bào)道,中芯國(guó)際(SMIC)發(fā)表聲明,稱公司第二季度營(yíng)收增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁,并在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上取得巨大進(jìn)展。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的當(dāng)頭,中國(guó)大陸的芯片廠商傳出這樣的消息是讓國(guó)人為之振奮。
根據(jù)媒體報(bào)導(dǎo),中國(guó)晶圓代工廠商中芯國(guó)際的天津廠,日前舉行了 P2 Full Flow 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的首臺(tái)設(shè)備進(jìn)駐儀式。而檢測(cè)設(shè)備大廠柯磊國(guó)際 (KLA-Tencor China) 的 RS200 型檢測(cè)設(shè)備,就是該次中芯國(guó)際天津廠的首臺(tái)進(jìn)駐設(shè)備。
中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán),預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年,主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash,初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片,未來(lái)最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片,中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國(guó)際購(gòu)并案推行不易,技術(shù)、人才取得受阻,導(dǎo)致短期內(nèi)中國(guó)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。
近日,中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展,成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標(biāo)系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過(guò)該模型可有效減小浸沒(méi)式光刻中的顯影缺陷,幫助縮短顯影研發(fā)周期,節(jié)省研發(fā)成本,為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國(guó)際光刻領(lǐng)域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。
據(jù)多家媒體證實(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)從荷蘭阿斯麥(ASML)公司訂購(gòu)的一臺(tái)光刻機(jī)已抵達(dá)武漢。這臺(tái)光刻機(jī)價(jià)值價(jià)值7200萬(wàn)美元,約合人民幣4.6億元。另?yè)?jù)媒體報(bào)道,中芯國(guó)際在中興事件之后也向該公司下單了一臺(tái)光刻機(jī),這臺(tái)名為EUV(極紫外線)光刻機(jī)更是身價(jià)不菲,價(jià)值1.2億美元,交貨日期尚不確定。
5月21日,臺(tái)灣“天下雜志”發(fā)文對(duì)大陸和臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造企業(yè)進(jìn)行探討。中芯是僅次于臺(tái)積電、格羅方德和聯(lián)電的全球第四大專業(yè)晶圓代工廠。但據(jù)數(shù)據(jù)公司IC Insights在2017年的統(tǒng)計(jì),前兩名占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額。中芯雖然排名第四,但市占率只有6%。
近日消息,中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)向荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備,EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備,這臺(tái)設(shè)備價(jià)值1.2億美元,差不多花費(fèi)了中芯一季度營(yíng)收的14%。EUV對(duì)于
據(jù)知情人士透露,中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備,在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距,確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。
中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
近日消息,中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。梁孟松表示,28nm工藝在整個(gè)2018年將占據(jù)中芯國(guó)際出貨量的5-10%,
日前,中芯國(guó)際發(fā)布了今年一季度的財(cái)報(bào)。值得一提的是,公司的電源、圖像傳感器和閃存業(yè)務(wù)銷售額同比增長(zhǎng)超過(guò)30%,去年下半年投產(chǎn)的28nm HKC也有了巨大的改善,提高了公司業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)力。 展望2018年第二季度,預(yù)計(jì)中芯國(guó)際的營(yíng)收將環(huán)比將上升7%至9%,28nm poly-sion和HKMG產(chǎn)能利用率將達(dá)到100%。
除了英特爾有些難產(chǎn)之外,臺(tái)積電、三星早就量產(chǎn)了10nm工藝,目前正在爭(zhēng)奪7nm工藝制高點(diǎn),再加上Globalfoundries,這四強(qiáng)代表了半導(dǎo)體制造工藝的巔峰。
半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際今日發(fā)布公告稱,擬與國(guó)家集成電路基金、附屬中芯晶圓及聯(lián)力基金就成立及管理基金訂立合伙協(xié)議,投資于半導(dǎo)體及半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)的公司。
在過(guò)去幾年中,中國(guó)政府大力推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)更多芯片的國(guó)產(chǎn)化。據(jù)悉,除了涌現(xiàn)大量的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司之外,中國(guó)大陸的芯片代工廠也正在擴(kuò)大產(chǎn)能,并在巨頭的壓力下闖出一條發(fā)展道路。
隨著國(guó)務(wù)院頒布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策的落地以及這幾年來(lái)中國(guó)企業(yè)的奮起追趕,在世界的舞臺(tái)上,來(lái)自中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的聲音愈發(fā)響亮。
研究機(jī)構(gòu)觀察到,今年以來(lái),中芯國(guó)際的股價(jià)進(jìn)行了較大幅度的局部調(diào)整,截止2017年8月11日,調(diào)整幅度達(dá)41%,不過(guò)近期該公司股價(jià)有觸底回升的趨勢(shì),近半個(gè)月漲幅23.2%,已經(jīng)成功突破120日均線價(jià)位,欲突破前技術(shù)壓力位9.4港元,露出明顯的圓弧形態(tài)。
據(jù)外媒報(bào)道,預(yù)計(jì)臺(tái)積電將獲得高通新一代電源管理芯片(PWM IC)70%至80%的訂單。高通前一代電源管理芯片是由中芯國(guó)際(SMIC)生產(chǎn)的,后者在其8英寸晶圓廠使用0.18至0.153微米工藝來(lái)生產(chǎn)電源管理芯片。