臺(tái)積電董事會(huì)8日核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算,主要用以擴(kuò)充公司先進(jìn)制程產(chǎn)能,以及12吋超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。市場(chǎng)推估,由于幾個(gè)大客戶對(duì)臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能需求孔急,在2012年上半28奈米制程產(chǎn)能的業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)度,
趙凱期/臺(tái)北 臺(tái)積電董事會(huì)8日核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算,主要用以擴(kuò)充公司先進(jìn)制程產(chǎn)能,以及12吋超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。 市場(chǎng)推估,由于幾個(gè)大客戶對(duì)臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能需求孔急,在2012年上半28奈米制程產(chǎn)
根據(jù)華爾街一位分析師表示,目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的衰退情況已經(jīng)觸底,并為晶片業(yè)帶來(lái)景氣開(kāi)始好轉(zhuǎn)的「第一階段」(phaseone)。JPMorgan公司分析師ChristopherDanely在一份最新的調(diào)查報(bào)告中表示,幾乎在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的「超
根據(jù)中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示,2010年起中國(guó)已經(jīng)超越日本,成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體,其GDP在未來(lái)五年內(nèi)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)7%,到2015年時(shí)預(yù)計(jì)會(huì)成長(zhǎng)為56兆人民幣,相當(dāng)于新臺(tái)幣280兆的規(guī)模;而在此同時(shí),中國(guó)國(guó)
根據(jù)華爾街一位分析師表示,目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的衰退情況已經(jīng)觸底,并為晶片業(yè)帶來(lái)景氣開(kāi)始好轉(zhuǎn)的「第一階段」(phase one)。JP Morgan公司分析師Christopher Danely在一份最新的調(diào)查報(bào)告中表示,幾乎在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá)7nm節(jié)點(diǎn);但在7nm節(jié)點(diǎn)以下
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn);但在 7納米
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn);但在7納米節(jié)
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn),但在 7
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn),但在 7納米
晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn);但在 7納米
臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)結(jié)果,昨日在外資圈獲得一片掌聲,包括摩根士丹利、瑞信、美林與巴黎證,都調(diào)高臺(tái)積電目標(biāo)價(jià),調(diào)高后目標(biāo)價(jià)落在79-88元,在外資簇?fù)硐?,臺(tái)積電昨日外資買超張數(shù)近五萬(wàn)張,居臺(tái)股之冠,股價(jià)也上漲1.2元收
臺(tái)積電(2330-TW)法說(shuō)會(huì)后,巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之出具報(bào)告表示,臺(tái)積電財(cái)測(cè)預(yù)估優(yōu)于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),符合巴克萊預(yù)期,然而第4季營(yíng)收占比達(dá)50%的通訊客戶庫(kù)存水位(MOI)可能上升,臺(tái)積電仍有庫(kù)存
IC封測(cè)矽品(2325-TW)召開(kāi)法說(shuō)會(huì)后,外資圈多對(duì)后勢(shì)保守,主要原因在矽品第 3 季毛利率表現(xiàn)低于第 2 季以及市場(chǎng)預(yù)期,顯示銅制程營(yíng)收成長(zhǎng)力道趨緩,預(yù)期在金價(jià)攀升影響下,第 4 季營(yíng)收下滑幅度也高于預(yù)期,毛利率走勢(shì)
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示,2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SI
市場(chǎng)對(duì)后市景氣看得保守,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也說(shuō)沒(méi)有春燕飛來(lái),素有景氣鐵嘴的矽品(2325-TW)董事長(zhǎng)林文伯今(26)日在法說(shuō)會(huì)上回應(yīng)這個(gè)話題,指出目前產(chǎn)業(yè)不是春燕問(wèn)題,而是短期市場(chǎng)信心的問(wèn)題,歐債沖擊的消費(fèi)信心早
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)SemicoResearch總裁JimFeldhan在一場(chǎng)由DongbuHiTek主辦的論壇(AnalogSemiconductorLeadersForum)發(fā)表演說(shuō)指出,從夏季開(kāi)始的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退情況會(huì)只是短暫現(xiàn)象,將于2012年2月觸底。Feldhan指出,著眼于
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示,2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%;不過(guò)該報(bào)告也強(qiáng)調(diào),與過(guò)去的國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SIC