(中央社記者鐘榮峰臺北2011年10月5日電)IC晶圓和成品測試廠京元電子(2449)自結9月營收新臺幣9.5億元,比8月10.02億元月減5.19%,比去年同期11.92億元減少20.23%。 京元電自結1到9月營收87億元,比去年同期109.26億
(中央社記者鐘榮峰臺北2011年10月4日電)在主要客戶聯(lián)發(fā)科(2454)訂單成長帶動下,IC晶圓和成品測試廠京元電子(2449)第3季營收可望逼近新臺幣30億元,預估比第2季成長近8%。 法人指出,京元電9月營收有機會突破10億
周德國EU PVSEC展后,太陽能產(chǎn)業(yè)對Q4市況看法仍是相當保守,國內太陽能矽晶圓廠商旭晶(3647)董事長郭彥辰表示,旭晶目前每股凈值為22元,但在興柜股價已不到9元并不合理,且即便太陽能市況短期保守,但旭晶包括在手現(xiàn)
面板大廠友達光電(2409)旗下友達晶材繼中港園區(qū)動土建廠之后,公司于4/11又宣布,將于中部科學園區(qū)后里基地興建第2座太陽能晶片廠,并已舉行第1期工程動土典禮。預計機臺設備將于今年11月份進駐,明(2012)年第一
AntarisSolar公司的ASM及ASP系列光伏組件日前獲得了美國保險商實驗室(UnderwritersLaboratories)的認證。此前,該公司的組件還獲得了德國測試組織TÜVNord的質量及安全驗證。ASM系列高效率單晶硅電池板輸出功率超
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底,尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底,下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底,尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底,下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底,尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底,下一步是進入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于
IC設計大廠晨星(3691)繼2010年于全球電視晶片市場擁有超過50%市場占有率后,在STB機上盒晶片的部分,晨星表示,公司于中南美洲市場推出符合當?shù)靥厥庖?guī)格要求、且內建晨星自有開發(fā)的Ginga軟體平臺的機上盒解決方案,并
日本一個研究團隊近日在英國《自然》雜志網(wǎng)絡版上報告說,他們開發(fā)出一種制作有機半導體單晶薄膜的新技術。新技術由日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所等機構的科研人員聯(lián)合開發(fā)。據(jù)稱,該技術能使平板顯示器等大面積電子設備所
總投資50億元的湖北宜都市紅花套光伏產(chǎn)業(yè)園首條生產(chǎn)線日前試產(chǎn)成功,首批3根8英寸單晶棒正式下線。紅花套光伏產(chǎn)業(yè)園項目由湖北九州方園新能源有限公司投資建設,采用的關鍵設備全部由國外進口,中國可再生能源協(xié)會光
日本一個研究團隊14日在英國《自然》雜志網(wǎng)絡版上報告說,他們開發(fā)出一種制作有機半導體單晶薄膜的新技術。 新技術由日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所等機構的科研人員聯(lián)合開發(fā)。據(jù)稱,該技術能使平板顯示器等大面積電
深圳晶藍德燈飾有限公司的產(chǎn)品主要集中在LED燈飾、led照明二個方面。晶藍德自1999年成立以來燈飾產(chǎn)品在業(yè)界著不錯的口碑,發(fā)展亦非常穩(wěn)定。由于LED整體市場的快速發(fā)展,晶藍德除LED照明發(fā)展勢頭非常好外,還在進行大
日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強度提高到了100μW,為原來產(chǎn)品的1萬倍。這一發(fā)光強度是InGaN與GaN類紫外LED的約110,“明確了追趕GaN類產(chǎn)品的前進道路”(東北大學原子分子材料科學高等研究機構
唐山銳晶光電科技股份有限公司藍(白)光led產(chǎn)業(yè)化一期藍寶石單晶制造項目,日前正式開工。唐山銳晶LED藍寶石單晶項目,引進藍寶石長晶爐、晶片切磨拋等先進生產(chǎn)設備,主要生產(chǎn)藍寶石單晶等產(chǎn)品。 據(jù)悉,該項目總投資4
近日,銳晶光電總投資4.5億元人民幣藍(白)光led產(chǎn)業(yè)化一期藍寶石單晶制造項目,在河北省唐山市玉田縣舉行開工儀式。 該項目是玉田縣唐山玉螺水泥有限責任公司進行二次創(chuàng)業(yè)而謀劃建設的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項目,依讬河北
據(jù)日媒報道,日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強度提高到了100μW,為原來產(chǎn)品的1萬倍,是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。 據(jù)研究小組介紹,制造LED元件時采用了MBE(分子束外延)法,并開發(fā)出了不使用
美國普渡大學(Purdue University)的研究人員們研究出一種能夠改善石墨烯單晶體陣列的制造方法,使其能實現(xiàn)類似于矽晶生產(chǎn)的方式與品質。 「以矽晶所實現(xiàn)的高品質量產(chǎn)觀點來看,石墨烯尚未到位,但在邁向這一發(fā)展方向
據(jù)日媒報道,日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強度提高到了100μW,為原來產(chǎn)品的1萬倍。這一發(fā)光強度是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。 東北大學原子分子材料科學高等研究機構教授川崎雅司表示,此項
據(jù)日媒報道,日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外led的發(fā)光強度提高到了100μW,為原來產(chǎn)品的1萬倍。這一發(fā)光強度是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。 東北大學原子分子材料科學高等研究機構教授川崎雅司表示,此