器件

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電子、電工儀器上能獨(dú)立起控制變換作用的單元，常有幾個(gè)元件組成，有時(shí)也指較大的元件。

  • MEMS振蕩器與石英技術(shù)

    從簡單的精度約30 000ppm的RC振蕩器，到精度優(yōu)于0.001ppb的原子鐘，有很多滿足不同應(yīng)用要求的時(shí)鐘選項(xiàng)。多年以來，體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿足大多數(shù)要求，它提供的精度在10ppm范圍內(nèi)。精度低一些的選擇，如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器，它們各自具有其滿足特定需求的優(yōu)勢。

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • C8051F020單片機(jī)及其在總磷在線自動(dòng)分析儀中的應(yīng)用

    1 概述 　　C8051F0XX系列單片機(jī)是Cygnal公司新推出的一種混合信號系統(tǒng)級單片機(jī)。該系列單片機(jī)片內(nèi)含CIP－51的CPU內(nèi)核，它的指令系統(tǒng)與MCS－51完全兼容。其中的C8051F020單片機(jī)含有64kB片內(nèi)Flash程序存儲(chǔ)器，4352B

  • LED器件對LED全彩顯示屏性能參數(shù)的影響

    李漫鐵 (深圳雷曼光電科技有限公司,深圳,518108) 摘要：本文從LED器件的參數(shù)著手，分析了LED器件的各類參數(shù)對LED全彩顯示屏整屏參數(shù)的影響，對LED顯示屏的參數(shù)控制和品質(zhì)提高具有指導(dǎo)意義。關(guān)鍵詞：LED；全彩顯示屏

  • Altium為OrCAD Capture用戶帶來新的生機(jī)

    繼 2009 年 4 月 21 日向電子設(shè)計(jì)人員提出“什么使您與眾不同”的問題之后，Altium再為前端電子設(shè)計(jì)人員推出功能強(qiáng)大的工具選擇，使他們能夠進(jìn)入全新的設(shè)計(jì)領(lǐng)域并在快速發(fā)展的行業(yè)中做到真正的“與眾不同”。Altium

  • 采用65納米工藝的SRAM（賽普拉斯）

    賽普拉斯日前宣布在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器及混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器。AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和

  • AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器及混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器。AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • 解讀FPGA設(shè)計(jì)的安全性

    　　與開發(fā)成本很高的ASIC相比，F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的青睞。此外， FPGA的性能和功能也越來越強(qiáng)大，包括32位軟處理器、SERDES、 DSP塊和高性能的接口?，F(xiàn)在的低成本FPGA甚至可以滿足大批量的應(yīng)用。

  • 解讀FPGA設(shè)計(jì)的安全性

    　　與開發(fā)成本很高的ASIC相比，F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的青睞。此外， FPGA的性能和功能也越來越強(qiáng)大，包括32位軟處理器、SERDES、 DSP塊和高性能的接口。現(xiàn)在的低成本FPGA甚至可以滿足大批量的應(yīng)用。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    電容 BSP BOX 器件

  • 愛特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

    愛特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來越迫切的問題。

  • 愛特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

    愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 宣布其多點(diǎn)觸控 (multi-touch) 器件AT42QT5320和AT42QT5480榮獲權(quán)威電子刊物《今日電子》之2008年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。這兩款愛特梅爾真正的雙手指式觸摸器件是由該雜志經(jīng)驗(yàn)豐富的評審小

  • 艾比森LED顯示屏挺進(jìn)上?！∵B簽三單

    　2009年3月，艾比森上海市場連連告捷，連續(xù)與三家客戶簽署銷售合同，一舉拓展上海這一市場空白區(qū)。至此，艾比森LED顯示屏僅在國內(nèi)就已經(jīng)覆蓋到30個(gè)省、市、自治區(qū)。 由于全球金融危機(jī)的影響，顯示屏市場競爭日益激烈