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醫(yī)療先鋒之——飛兆
飛兆半導體擁有適用于醫(yī)療電子設備的廣泛產(chǎn)品系列，該公司的高電壓IGBT用于去纖顫器；USB 2.0收發(fā)器用于血壓監(jiān)控器；μSerDesTM串行器/解串器用于帶有相機和小型顯示器的醫(yī)療應用；IntelliMAX先進負載開關用于便攜式
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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新加坡進口中國燈具概況
隨著經(jīng)濟的發(fā)展和人民生活水平的提高，人們對于燈具的要求越來越高，不僅要求燈具的照明效果而且更注重燈具的裝飾效果。近年來，新加坡政府不斷推行公共房屋翻新計劃，翻新樓宇的內(nèi)部及外墻，維修街燈和小型公園等。
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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新型 3mm 紅外發(fā)射器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領先的 5mm 發(fā)射器相當。新型 VSLB3940 940nm 紅外發(fā)射器在 100 mA 時具有 65 mW/s
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新型3A降壓轉換器（Allegro）
Allegro®宣布推出新型 3 A 降壓轉換器，擴展其現(xiàn)有的通用降壓穩(wěn)壓器系列。此新器件采用波谷電流回授控制。此控制方法可確保實現(xiàn)極低的開關時間，從而非常適合需要較高切換頻率及高輸入電壓 (9 V - 46 V) 和低輸出
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新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發(fā)射器系列，從而拓展了其光電子產(chǎn)品系列，這些新推出的器件具有遠高于標準發(fā)射器技術的輻射強度。這些新型發(fā)射器采用 1.8mm（T¾）鷗翼式（
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高效靈活的HB LED驅動器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅動器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結構。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設計(如：MR16聚光燈)的尺寸、復雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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高效靈活的HB LED驅動器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅動器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結構。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設計(如：MR16聚光燈)的尺寸、復雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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高效靈活的HB LED驅動器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅動器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結構。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設計(如：MR16聚光燈)的尺寸、復雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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高效靈活的HB LED驅動器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅動器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結構。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設計(如：MR16聚光燈)的尺寸、復雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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業(yè)內(nèi)最低導通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。 現(xiàn)有的同
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業(yè)內(nèi)最低導通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
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數(shù)字電視機頂盒主器件STx5105與QAMi5516的對比分析
數(shù)字電視機頂盒主器件的選擇涉及多方面的因素。從硬件結構方面對STx5105和QAMi5516兩款器件進行詳細對比分析，主板電路設計采用不同的外部元器件設計主板，給出了高頻頭、內(nèi)存型號的選擇事項。事實證明，選擇STx5105器件作為機頂盒主器件是一種理想選擇。
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