存儲(chǔ)器
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美科學(xué)家開發(fā)“量子硬盤”概念認(rèn)證
美國加州理工學(xué)院(California Institute of Technology，Caltech)已經(jīng)證實(shí)，量子纏結(jié)(quantum entanglement)能同步傳遞整個(gè)量子信息區(qū)塊(block)，為將來的“量子硬盤
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Vxworks下的高速緩沖存儲(chǔ)器一致性問題
1. Vxworks下的高速緩沖存儲(chǔ)器一致性問題美國風(fēng)河(WindRiver)公司的VxWorks是目前最先進(jìn)的實(shí)時(shí)嵌入式操作系統(tǒng)。Tornade是它的集成一體開發(fā)環(huán)境。然而，vxWorks下編程硬件驅(qū)
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一種通用的嵌入式系統(tǒng)ISP方法
摘要：針對沒有集成ISP功能的MCU系統(tǒng)，提出了一種通用的嵌入式系統(tǒng)Flash在線編程(ISP)方案。該方案借用RAM作為ISP的程序存儲(chǔ)器，可降低系統(tǒng)成本并具有較大的靈活性。以MC68332平臺為例，詳細(xì)介紹了這種ISP方案的具體
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基于多密鑰iButton的智能水卡的設(shè)計(jì)
摘要：DS1991是一種多密鑰信息紐扣，文章介紹了DS1991的主要特點(diǎn)、工作原理及讀寫方法。給出了一種基于DS1991和PIC單片機(jī)的智能水卡設(shè)計(jì)方案，同時(shí)給出了整個(gè)系統(tǒng)的硬件組成原理和軟件設(shè)計(jì)方法。 關(guān)鍵詞：信息紐扣;
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基于SDR SDRAM的視頻數(shù)據(jù)邏輯分析存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要：針對傳統(tǒng)硬件測試軟件的弊端，文章提出一種便攜式視頻數(shù)據(jù)邏輯分析存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法，這種分析存儲(chǔ)器能夠針對網(wǎng)絡(luò)多媒體數(shù)據(jù)進(jìn)行采集、分析和存儲(chǔ)等操作。在不影響網(wǎng)絡(luò)正常傳輸?shù)那疤嵯拢槍S流進(jìn)行采集、存
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全球最小9納米存儲(chǔ)器亮相 性能提高20倍
半導(dǎo)體制程再告前進(jìn)一里!財(cái)團(tuán)法人國家實(shí)驗(yàn)研究院國家納米元件實(shí)驗(yàn)室成功開發(fā)出9納米的超節(jié)能存儲(chǔ)器陣列晶胞，不僅容量較快閃存儲(chǔ)器增加了20倍，同時(shí)也降低了兩百倍的功耗，
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存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將依賴臺廠
日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加，但相較上季卻是明顯縮水，主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求不振的影響，未來爾必達(dá)
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DRAM下季合約價(jià)喊漲
DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠制程推進(jìn)受阻，主流DDR34Gb顆粒現(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng)近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，本季DRAM
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32位ARM內(nèi)核微處理器W90N740及其應(yīng)用
摘要：在對ARM體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，介紹了32位ARM核處理器W90N740的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和優(yōu)異性能，討論了它的應(yīng)用方法。給出了用 W90N740芯片降低系統(tǒng)成本的實(shí)現(xiàn)方案。 關(guān)鍵詞
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嵌入式微處理器MCF5249及其應(yīng)用
摘要：文中介紹了MOTOROLA公司的嵌入式微處理器MCF5249的原理、特點(diǎn)和引腳功能，說明了基于該處理器和嵌入式操作系統(tǒng)UCLINUX的網(wǎng)絡(luò)相機(jī)結(jié)構(gòu)，給出了用MCF5249進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)相機(jī)設(shè)
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一種可進(jìn)化IP核的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)
摘要：提出一種可進(jìn)化IP核的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方法。這種IP核采用進(jìn)化硬件的設(shè)計(jì)思想，將遺傳算法運(yùn)用于硬件電路的設(shè)計(jì)中，使電路能根據(jù)當(dāng)前的環(huán)境自動(dòng)進(jìn)行內(nèi)部電路的時(shí)化，從而生
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美光多元化布局 不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào)，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
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挑戰(zhàn)快閃存儲(chǔ)器 首款CBRAM預(yù)計(jì)明年亮相
一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲(chǔ)器公司Adesto Technologies，正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive-bridging RAM， CBRAM
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美科學(xué)家開發(fā)出寬度5納米憶阻器
上世紀(jì)60年代，英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進(jìn)一
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清華大學(xué)開發(fā)新技術(shù)改善MRAM存儲(chǔ)速度與功耗
來自北京清華大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，號稱能讓MARM的儲(chǔ)存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫入位元所需的能源較少。上述新技術(shù)的基本
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日研制出4Tbit/平方英寸存儲(chǔ)密度的鐵電存儲(chǔ)體
據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報(bào)道，日本東北大學(xué)的科學(xué)家們在試驗(yàn)室中使用鐵電存儲(chǔ)技術(shù)將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)密度提升到了每平方英寸4Tbit，達(dá)成了鐵電存儲(chǔ)體的新世界
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Ramtron開始提供MaxArias無線存儲(chǔ)器商用樣片
低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias™無線存儲(chǔ)器商用樣
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大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器,DRAM供貨吃緊
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形
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大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器,DRAM供貨吃緊
全球市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形
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AT24C512中數(shù)據(jù)的文件系統(tǒng)化管理
摘要：為方便單片機(jī)對AT24C512中的數(shù)據(jù)進(jìn)行系統(tǒng)化管理，在介紹AT24C512基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，按照PC機(jī)文件管理的思想實(shí)現(xiàn) AT24C512的文件系統(tǒng)，提高數(shù)據(jù)管理的效率。 關(guān)鍵詞：AT24C512 單片機(jī) 文件系統(tǒng) 數(shù)據(jù)
