程序存儲器ROM的規(guī)劃原則是:(1)按照MCS-5單片機(jī)復(fù)位及中斷入口地址的規(guī)定,002FH以前的空間都作為中斷、復(fù)位的入口地址區(qū)設(shè)計時,可在這些地址單元中設(shè)置轉(zhuǎn)移指令,轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的中斷服務(wù)程序或復(fù)位啟動程序。(2)當(dāng)程
臺積電昨天宣布,在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)下推出3套全新經(jīng)過矽晶驗證的參考流程,以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET(鰭式場效存儲器)系統(tǒng)單芯片(SoC)及三維芯片堆疊(3D IC)封裝設(shè)計,16納米也預(yù)定2015年4月量產(chǎn)。張忠謀
臺積電(2330)昨天宣布,在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)下推出3套全新經(jīng)過矽晶驗證的參考流程,以協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET(鰭式場效存儲器)系統(tǒng)單芯片(SoC)及三維芯片堆疊(3D IC)封裝設(shè)計,16納米也預(yù)定2015年4月量產(chǎn)
21ic訊 安捷倫科技公司日前發(fā)布了三款全新的高級協(xié)議分析解決方案,可對采用 NVM Express(非易失性快速存儲器)技術(shù)的器件進(jìn)行全方位協(xié)議層分析。這些分析工具可作為選件與 Agilent U4301A PCIe 協(xié)議分析儀和 U4305
SK海力士無錫廠爆炸失火,DRAM現(xiàn)貨價格昨(5)日應(yīng)聲大漲19%,創(chuàng)下單日最大漲幅,價格回到二個月前高點(diǎn),震撼全球市場。SK海力士是全球第三大DRAM廠。雖然SK海力士昨天聲明無钖廠受損「輕微」,將盡速復(fù)工。但有消息
南韓2012年前三大半導(dǎo)體封測廠均為外資企業(yè),依序為艾克爾(Amkor)、新科金朋(STATSChipPAC)與日月光的南韓子公司,其年營收規(guī)模皆超過6,700億韓元(約6億美元),而南韓當(dāng)?shù)胤鉁y廠年營收規(guī)模在1,000億韓元以上者有5家,
韓國DRAM大廠海力士(Hynix)位于江蘇無錫DRAM廠昨天發(fā)生爆炸,由于火勢猛烈、濃煙漫布,估計受創(chuàng)嚴(yán)重,牽動DRAM供應(yīng)。全球DRAM大廠三星、美光及南科等相繼暫停報價,并停止接單。業(yè)者指出,海力士無錫廠每月晶圓投片
21ic訊 安捷倫科技公司日前宣布推出 16850 系列便攜式邏輯分析儀。16850 系列配有業(yè)界最深存儲器,同時可提供業(yè)界最快的定時捕獲,為加快數(shù)字系統(tǒng)調(diào)試提供了必要條件。另外,該系列便攜式邏輯分析儀還提供業(yè)界唯一同
全球市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查,該年度全球模組市場總銷售金額為55億美元,較2011年的63億美元大幅衰退約13%,原因不外乎記憶
74HC595工作原理簡述:74HC595是一款具有8位移位寄存器和一個存儲器,三態(tài)輸出功能的驅(qū)動芯片。移位寄存器和存儲器分別具有獨(dú)立的時鐘信號。數(shù)據(jù)在SHCP的上升沿輸入,在STCP的上升沿進(jìn)入到存儲寄存器中去。如果兩個時
一 據(jù)華強(qiáng)北電子市場價格指數(shù)本期集成電路指數(shù):99.46 漲跌值:0.92 漲跌幅:0.93%,繼7月份價格指數(shù)連續(xù)走低以來首度止跌開始出現(xiàn)小幅度上揚(yáng)。旗下產(chǎn)品CPU指數(shù):103.3 漲跌值:-0.12 漲跌幅:-0.12%,仍舊處在跌幅榜
中低階智能型手機(jī)和平板計算機(jī)相關(guān)芯片本季持續(xù)熱銷,相關(guān)手機(jī)芯片、電源管理IC及存儲器需求強(qiáng)勁,也為封測業(yè)下半年帶來穩(wěn)定的訂單動能。 據(jù)了解,包括日月光(2311)、矽品、力成、華東及矽格等,均于本季密集增
阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器,相比現(xiàn)在的閃存,它的速度快上許多,讀寫時還非常節(jié)能。今天,加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻
21ic訊 FCI 推出適用于企業(yè)存儲器和服務(wù)器行 業(yè)的12 Gb/s SAS 插座,以拓展其串行連接SCSI (SAS)連接器的存儲產(chǎn)品線。最新的SAS系列連接器為IT 業(yè)提供高性能存儲接口。這種接口的運(yùn)行數(shù)據(jù)速度高達(dá)12Gb/s,并可加快服
【導(dǎo)讀】東芝將與全球最大的內(nèi)存卡廠商美國閃迪聯(lián)手在日本三重縣新建數(shù)碼家電存儲媒體使用的半導(dǎo)體存儲器的最尖端工廠。計劃最早將于2014年度啟動量產(chǎn),投資額為4千億日元(約合人民幣252億元)。這是東芝時隔約2年再次
在什么情況下,需要對單片機(jī)的程序存儲器進(jìn)行擴(kuò)展?用何種器件擴(kuò)展?答:MCS-51單片機(jī)的程序存儲器空間和數(shù)據(jù)存儲器的空間是相互獨(dú)立的。程序存儲器的尋址空間是64KB(0000H~FFFFH),其中,單片機(jī)8051、8751芯片內(nèi)含有4
單片機(jī)系統(tǒng)的擴(kuò)展,包括存儲器擴(kuò)展和接口擴(kuò)展兩大部分內(nèi)容。存儲器的擴(kuò)展是指EPROM、EEPROM和RAM的擴(kuò)展;接口擴(kuò)展是指8255、8155、8279以及其他功能器件的擴(kuò)展。
阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器,相比現(xiàn)在的閃存,它的速度快上許多,讀寫時還非常節(jié)能。今天,加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù),可以在一顆比郵票還小的單芯片中
加州桑尼維爾和中國武漢, 2013年8月1日 /美通社-PR Newswire/ -- 全球基于快閃存儲器的嵌入式系統(tǒng)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者飛索半導(dǎo)體股份有限公司 (Spansion Inc.) 與中國發(fā)展速度最快的300mm 半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)武漢新芯集
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布其在市場上獨(dú)一無二的NFC/RFID存儲器被東部大宇電子(Dongbu Daewoo Electronics)采用,用于制造韓國首款NFC冰箱——Classe Cube。,Classe Cube一經(jīng)發(fā)