21ic訊 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存儲器和集成
9月29日,省電子信息集團產(chǎn)業(yè)基地暨福順晶圓科技8英寸集成電路芯片項目動工。該芯片項目由省電子信息集團、福州市投資管理公司與臺灣友順科技公司合資建設(shè),是我省第一條8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。項目總投資30億元,
基于K9WBG08U1M的大容量存儲器介紹
相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介
基于FPGA的抗SEU存儲器的設(shè)計實現(xiàn)
三星今年在晶圓代工市場布局腳步積極,并且連續(xù)兩年大幅拉升資本支出規(guī)模,研調(diào)機構(gòu)拓墣示警,三星明年在晶圓代工市場全面進攻策略,將是沖擊半導體產(chǎn)業(yè)的最大變量,原因即在于三星將把存儲器產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進晶圓代工,
國外數(shù)據(jù)公司 Crashplan 發(fā)布了一份《存儲介質(zhì)使用壽命情況》的分析報告,供職于InfoNewt的設(shè)計師 Mike Wirth 以此為基礎(chǔ)制作一幅信息圖示,該圖示比較全面地覆蓋了迄今人類發(fā)明的各種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的壽命情況。由此,
2012年9月18日,全球頂級半導體廠商三星電子正式發(fā)布,其從上個月起已經(jīng)開始量產(chǎn)適用于下一代移動設(shè)備的128GB內(nèi)嵌式存儲器 (eMMC, embedded Multi Media Card)。 據(jù)介紹,三星電子繼今年5月和7月分別量產(chǎn)超高速內(nèi)嵌式
市場傳出,蘋果除將下一代處理器委托臺積電以20納米制程代工生產(chǎn)之外,也打算將A6處理器部分后段封測訂單,轉(zhuǎn)至矽品,為「去三星化」預先舖路。 矽品昨(17)日否認這項傳言。但封測大廠爭取蘋果后段封測訂單的傳聞
近日,浦項化工研究人員成功研制出一種不沾水的“防水存儲器”。該防水存儲器由于可以在水中安全運轉(zhuǎn),因此將來可以很廣泛的應(yīng)用,包括應(yīng)用到“防水智能手機”、“防水計算機”等防水電子消費產(chǎn)品中。據(jù)悉,該“防水
相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析
基于半導體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器簡介
抗SEU存儲器的FPGA設(shè)計實現(xiàn)
相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存,因為它不僅比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復原性更好,能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
北京時間09月21日消息,中國觸摸屏網(wǎng)訊,臺積電與美國IC設(shè)計新創(chuàng)公司璟正科技(FocalTech)昨日共同宣布,由璟正科技設(shè)計并委托臺積電生產(chǎn)制造的觸控芯片(Touch-Panel Controller IC),已突破總出貨1,000萬顆的里程
摘要:介紹了FIFO的基本概念、設(shè)計方法和步驟,采用了一種新穎的讀、寫地址寄存器和雙體存儲器的交替讀、寫機制,實現(xiàn)了FIFO的基本功能,同時使本32X8 FIFO擁有可同時讀、寫的能力,完全基于Verilog HDL語言實現(xiàn)了電路功能
力晶30日公布上半年財報,稅后凈損85.99億元,每股凈損3.88元,比去年同期擴大;加上南科、華亞科、瑞晶等3家同業(yè)上半年也都處于虧損,全臺灣4家DRAM廠上半年累計虧損高達385億元,比去年同期擴增32.7%。 力晶已
力晶30日公布上半年財報,稅后凈損85.99億元,每股凈損3.88元,比去年同期擴大;加上南科、華亞科、瑞晶等3家同業(yè)上半年也都處于虧損,全臺灣4家DRAM廠上半年累計虧損高達385億元,比去年同期擴增32.7%。 力晶已
1.引言 RFID(射頻識別)技術(shù)是從上世紀80 年代走向成熟的一項自動識別技術(shù),近年來發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛,許多正在應(yīng)用中的自動識別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi),但它們的工作原理、工作頻率、技術(shù)
探討選擇實時操作系統(tǒng)(RTOS)的要點