爾必達(dá)

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傳茂德將與旺宏簽署12英寸晶圓廠轉(zhuǎn)讓協(xié)議

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)灣內(nèi)存廠商茂德已經(jīng)決定要將其設(shè)在臺(tái)灣新竹科技園區(qū)內(nèi)的12英寸晶圓廠轉(zhuǎn)讓給旺宏公司，旺宏(Macronix)公司是一家專門制作ROM和NOR閃存的芯片廠商。據(jù)悉轉(zhuǎn)讓的價(jià)格在2.18-2.81億美元左右，預(yù)計(jì)兩家

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2010-03-02

晶圓廠爾必達(dá) MACRO ROM
英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟

英飛凌科技股份公司宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）遞交起訴書，稱爾必達(dá)（Elpida Memory Inc.）制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在

智能硬件
2010-02-25

半導(dǎo)體英飛凌專利侵權(quán) 爾必達(dá)
英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟

英飛凌科技股份公司宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）遞交起訴書，稱爾必達(dá)（Elpida Memory Inc.）制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在

消費(fèi)電子
2010-02-25

半導(dǎo)體英飛凌專利侵權(quán) 爾必達(dá)
英飛凌訴日本爾必達(dá)4項(xiàng)專利侵權(quán)：稱將盡力維權(quán)

北京時(shí)間2月23日午間消息（舒允文）歐洲第二大半導(dǎo)體制造商德國英飛凌（Infineon）今天宣布，公司及其北美分公司已于2月19日向美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC，International Trade Commission）遞交起訴書，訴日本爾必達(dá)

通信技術(shù)
2010-02-23

英飛凌 DRAM 專利侵權(quán) 爾必達(dá)
封測需求增力成華東受惠

爾必達(dá)（Elpida）、美光（Micron）兩大DRAM聯(lián)盟在臺(tái)加快先進(jìn)制程布局，增加對(duì)后段封裝測試產(chǎn)能需求，力成、華東、福懋科等國內(nèi)存儲(chǔ)器封測廠都將受惠。同步押寶美光、爾必達(dá)陣營的華東，目前測試和封裝產(chǎn)能利用率

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2010-02-08

DRAM 美光內(nèi)存爾必達(dá)
臺(tái)灣政府決定不投資臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體,須全數(shù)向民間籌資

路透臺(tái)北2月4日電---隨著DRAM產(chǎn)業(yè)景氣回溫,臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部周四一改先前立場表示,國發(fā)基金已決定不投資臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC),TIMC需自行尋找民間資金,政府只能從旁協(xié)助.經(jīng)濟(jì)部最新這番表態(tài),也意味著最初由政府主導(dǎo)成立

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2010-02-05

半導(dǎo)體 DRAM 爾必達(dá)
華東訂單涌入首季旺

受惠于爾必達(dá)、華邦電（2344）、南亞科（2408）等大客戶DDR3及GDDR5訂單逐季增加，內(nèi)存封測廠華東科技（8110）今年?duì)I運(yùn)大躍進(jìn)。法人預(yù)估年?duì)I收可望上看75億元以上，較去年大增3成至4成。華東科技總經(jīng)理于鴻祺表

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2010-02-03

內(nèi)存 DDR3 爾必達(dá)
40納米成DRAM廠流行口號(hào)

近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-02-02

DRAM 美光 40納米爾必達(dá)
芯片價(jià)格回溫爾必達(dá)終于轉(zhuǎn)虧為盈

爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季(2009年10~12月)財(cái)報(bào)，獲利211億日?qǐng)A(約2。34億美元)，結(jié)束連續(xù)9個(gè)季度的虧損，主因系芯片價(jià)格回溫加上PC市場需求攀升。數(shù)據(jù)顯示，爾必達(dá)2009年10~12月凈利為211億日?qǐng)A，稍微低

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2010-01-29

芯片海力士 PID 爾必達(dá)
芯片價(jià)格回溫　爾必達(dá)終于轉(zhuǎn)虧為盈

爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季(2009年10~12月)財(cái)報(bào)，獲利211億日?qǐng)A(約2.34億美元)，結(jié)束連續(xù)9個(gè)季度的虧損，主因系芯片價(jià)格回溫加上PC市場需求攀升。數(shù)據(jù)顯示，爾必達(dá)2009年10~12月凈利為211億日?qǐng)A，稍微低于

智能硬件
2010-01-29

芯片海力士 PID 爾必達(dá)
福懋科、華東Q1營收續(xù)沖

DRAM封測廠首季展望樂觀，由于DDR3封測制程改變，代工價(jià)格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測代工價(jià)今年初已調(diào)漲10％，DRAM封測廠首季平均價(jià)格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預(yù)估福懋科（81

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2010-01-27

DRAM 東芝 DDR3 爾必達(dá)
華邦電GDDR封測華東全包

華邦電（2344）與爾必達(dá)合作的70奈米繪圖用內(nèi)存GDDR3已成功量產(chǎn)，頻率數(shù)最高達(dá)1GHz以上的GDDR5，也將于3月后量產(chǎn)出貨，以爭取今年英偉達(dá)（NVIDIA）及超威（AMD/ATI）力拱的DirectX11世代繪圖芯片搭載GDDR5的龐大市場

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2010-01-27

NVIDIA 芯片 DDR 爾必達(dá)
機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(ImmersionScanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

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2010-01-26

DRAM 美光制程技術(shù) 爾必達(dá)
機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-26

DRAM 美光制程技術(shù) 爾必達(dá)
美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營火藥味濃

2010年4大DRAM陣營三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。

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2010-01-22

DRAM 美光 40納米爾必達(dá)
爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)DRAM開發(fā)基地合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達(dá)內(nèi)存將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺(tái)灣瑞晶電子設(shè)立個(gè)人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺(tái)灣召開的新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)布的（瑞

消費(fèi)電子
2010-01-15

DRAM 電子內(nèi)存爾必達(dá)
瑞晶調(diào)整封測分配，華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

DRAM PID DDR3 爾必達(dá)
瑞晶調(diào)整封測分配華東賺到

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）拿下瑞晶電子7成股權(quán)后，直接掌控瑞晶所有產(chǎn)能，瑞晶后段封測訂單分配也出現(xiàn)重大變化。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也調(diào)撥了2成至3成訂單下給華

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2010-01-13

DRAM PID DDR3 爾必達(dá)
DDR3將成為2010年主流廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)

　DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。　　南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出

智能硬件
2010-01-12

先進(jìn)制程制程技術(shù) DDR3 爾必達(dá)
爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

爾必達(dá)內(nèi)存將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地。計(jì)劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體（PSC）的合資公司臺(tái)灣瑞晶電子設(shè)立個(gè)人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達(dá)和瑞晶于1月5日在臺(tái)灣召開的新聞發(fā)布會(huì)上發(fā)布的（瑞

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2010-01-11

DRAM 電子內(nèi)存爾必達(dá)

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爾必達(dá)

傳茂德將與旺宏簽署12英寸晶圓廠轉(zhuǎn)讓協(xié)議

英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟

英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟

英飛凌訴日本爾必達(dá)4項(xiàng)專利侵權(quán)：稱將盡力維權(quán)

封測需求增力成華東受惠

臺(tái)灣政府決定不投資臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體,須全數(shù)向民間籌資

華東訂單涌入首季旺

40納米成DRAM廠流行口號(hào)

芯片價(jià)格回溫爾必達(dá)終于轉(zhuǎn)虧為盈

芯片價(jià)格回溫　爾必達(dá)終于轉(zhuǎn)虧為盈

福懋科、華東Q1營收續(xù)沖

華邦電GDDR封測華東全包

機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠制程微縮絆腳石

機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營火藥味濃

爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)DRAM開發(fā)基地合作開發(fā)4F2技術(shù)

瑞晶調(diào)整封測分配，華東賺到

瑞晶調(diào)整封測分配華東賺到

DDR3將成為2010年主流廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)

爾必達(dá)將在臺(tái)灣設(shè)立DRAM開發(fā)基地與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術(shù)

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