新一代存儲(chǔ)器的大型共同開發(fā)項(xiàng)目即將在日本啟動(dòng)。爾必達(dá)存儲(chǔ)器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲(chǔ)器擁
亞洲芯片(晶片)類股周三由海力士半導(dǎo)體(000660.KS:行情)和爾必達(dá)記憶體(ElpidaMemory)(6665.T:行情)領(lǐng)漲,漲幅逾2%,此前英特爾INTC.0公布第四季強(qiáng)勁財(cái)測(cè)引發(fā)市場(chǎng)寄望科技板塊今年可拿出亮麗成績(jī)單.英特爾公布第四季樂
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲(chǔ)器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)和材料,爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM,讓次世代存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮,存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)期
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲(chǔ)器ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料,爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM,讓次世代存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮,存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)
日經(jīng)新聞報(bào)道,夏普正與爾必達(dá)聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片,預(yù)計(jì)在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 早在2007年,富士通就宣布開發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片,它在降低功耗的同時(shí)寫入速度達(dá)到目前手機(jī)所用NAND閃存芯
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料,爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM,讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮,內(nèi)存業(yè)者預(yù)期,未
雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響,不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助
爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴(kuò)產(chǎn),屆時(shí)將依照投資比重來分配DRAM貨
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo),同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助
據(jù)國外媒體報(bào)道,爾必達(dá)計(jì)劃面向本地的私人投資者發(fā)行6000億日元(約合7.28億美元)可轉(zhuǎn)債。根據(jù)爾必達(dá)周五發(fā)布的公告,這一可轉(zhuǎn)債為5年期,利率0.5%?;I集的資金將用于償還債務(wù),以及升級(jí)半導(dǎo)體制造設(shè)備。爾必達(dá)是全球
高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng),全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng),由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少,國際存
瑞晶總經(jīng)理陳正坤昨(5)日表示,二廠新產(chǎn)能建制延后,不影響該公司導(dǎo)入40奈米以下先進(jìn)制程腳步;瑞晶與爾必達(dá)(Elpida)及力晶共同攜手,對(duì)抗三星的決心,不會(huì)改變。 瑞晶正著手由興柜轉(zhuǎn)上市,最快明年初送件
高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng),全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(SamsungElectronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署MobileRAM市場(chǎng),由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少,國際存儲(chǔ)器大
日廠爾必達(dá)(Elpida)將自2010年12月開始導(dǎo)入30納米前半制程量產(chǎn)DRAM,與同年7月早一步投入30納米前半制程DRAM量產(chǎn)的三星電子(SamsungElectronics)較勁。據(jù)悉,新的制程技術(shù)可撙節(jié)約30%的生產(chǎn)成本。爾必達(dá)另計(jì)劃2011年
高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng),全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng),由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少,國際存儲(chǔ)器
高階智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計(jì)算機(jī)(NB)市場(chǎng),全球存儲(chǔ)器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng),由于生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM利潤(rùn)減少,國際存儲(chǔ)器
據(jù)國外媒體報(bào)道,市場(chǎng)研究公司iSuppli 15日表示,由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長(zhǎng),電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。美國加州的市場(chǎng)研究公司iSuppli周二的調(diào)查報(bào)告顯示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
據(jù)國外媒體報(bào)道,市場(chǎng)研究公司iSuppli15日表示,由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長(zhǎng),電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。美國加州的市場(chǎng)研究公司iSuppli周二的調(diào)查報(bào)告顯示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存
引子:2010年7月底,在Spansion脫離美國破產(chǎn)保護(hù)法第11章后的第2個(gè)月,就宣布了與外界盛傳要收購自己的爾必達(dá)(Elpida)存儲(chǔ)器公司建立在NAND工藝技術(shù)和產(chǎn)品基礎(chǔ)上更深入的NAND閃存合作聯(lián)盟。一時(shí)間,從瀕臨破產(chǎn)到