晶體管
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芯片制造到底有多難？為何說造CPU比造原子彈還難？
世界上第1臺計算機的大小相當于一座小房子，而現(xiàn)在指甲蓋大小的CPU的計算性能就已遠超那時。之所以會有如此翻天覆地的變化，這主要得益于單位面積上集成的晶體管數(shù)量越來越多。
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應(yīng)用材料公司以技術(shù)助力極紫外光和三維環(huán)繞柵極晶體管實現(xiàn)二維微縮
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亞州圣克拉拉市——應(yīng)用材料公司推出了旨在幫助客戶利用極紫外光(EUV)繼續(xù)推進二維微縮的多項創(chuàng)新技術(shù)，并詳細介紹了業(yè)內(nèi)最廣泛的下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。
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7nm 600億晶體管中國芯 首顆國產(chǎn)“3D封裝”研發(fā)成功
據(jù)悉，中國已研發(fā)出首顆“3D封裝”芯片，這意味著中國首顆7nm芯片誕生!所謂的“3D封裝”芯片，此前泛指臺積電生產(chǎn)技術(shù)，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，“3D封裝”芯片突破了7nm工藝極限，集成了600億晶體管。
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摩爾定律已死？英特爾：仍可繼續(xù)推動晶體管微縮創(chuàng)新
摩爾定律的本質(zhì)是創(chuàng)新，我們可以自信地說創(chuàng)新將永不止步
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針對PLC的故障及其常見的維修方法
在日常生活與學(xué)習(xí)中，我們經(jīng)常會受到PLC損壞或者故障不能正常使用的困擾，我們可能會選擇尋找專業(yè)人員進行維修，或者是在換一個新的產(chǎn)品，但這些操作將會導(dǎo)致我們的時間浪費，經(jīng)濟的損失或者是工作亦或是學(xué)習(xí)效率的下降。
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Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應(yīng)用提供緊湊型多級Doherty MMIC驅(qū)動器，借此擴展無隔離器的6GHz以下產(chǎn)品線
荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）利用先進的LDMOS晶體管技術(shù)，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅(qū)動器系列的載體產(chǎn)品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實現(xiàn)下一代大功率和具有市場領(lǐng)先效率的宏基站。
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Ampleon發(fā)布增強性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度
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搞清楚電子管的往事今生，電子管發(fā)展歷程介紹
你知道電子管的發(fā)展歷史是怎樣的嗎?電子管是哪一年研制出來的?如果你對電子管抑或是對電子管的發(fā)展歷史具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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意法半導(dǎo)體雙通道高邊開關(guān)為容性負載驅(qū)動設(shè)計帶來更多靈活性
2022年2月14日，中國 – 意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動高邊開關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個限流值，適用于啟動電流很大的容性負載。
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晶體管的歷史
由于點接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。
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晶體管概述
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。
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Intel關(guān)鍵新突破：晶體管縮小50％、封裝密度提升10倍
在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會議)上，Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)新突破，可推動摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，超越未來十年。
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為增強模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團馬來西亞工廠投建新廠房
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和羅姆和光株式會社決定在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.投建新廠房，以增強市場需求日益增長的模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能。
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英特爾技術(shù)發(fā)力：著眼10倍封裝密度提升，30%~50%晶體管密度提升，布局非硅基半導(dǎo)體
英特爾的目標是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導(dǎo)體。
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集成芯片
集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。
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三星計劃2025年量產(chǎn)2nm工藝：基于MBCFET、與IBM?2nm不同
在先進半導(dǎo)體工藝上，臺積電目前是無可爭議的老大，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二，但份額只有臺積電的1/3，所以三星押注了下一代工藝，包括3nm及未來的2nm工藝。根據(jù)三星的計劃，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版...
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絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
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雙極性晶體管的發(fā)展及分析方法
1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·布喇頓在威廉·肖克利的指導(dǎo)下共同發(fā)明了點接觸形式的雙極性晶體管。
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磁敏二極管概述
在鍺磁敏晶體管的發(fā)射極一側(cè)用噴砂方法損傷一層晶格，設(shè)置載流子復(fù)合速率很大的高復(fù)合區(qū)r，而在硅磁敏晶體管中未設(shè)置高復(fù)合區(qū)。鍺磁敏晶體管具有板條狀結(jié)構(gòu)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)分別設(shè)置在板條的兩面，而基極設(shè)置在另一側(cè)面上。硅磁敏晶體管具有平面結(jié)構(gòu)，基極均設(shè)置在硅片表面。磁敏晶體管的一個主要特點是基區(qū)寬度W大于載流擴散長度，因此它的共發(fā)射極電流放大系數(shù)小于1，無電流增益能力。另外，發(fā)射極-基區(qū)-基極是NPP 型或P NN 型長二極管，即NPP 型或PNN 型磁敏二極管。因此，磁敏晶體管是在磁敏二極管的基礎(chǔ)上設(shè)計的長基區(qū)晶體管。
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晶體管簡介及分類
晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導(dǎo)體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。
一路向北lm
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