晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

美首次制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

據(jù)報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)

消費(fèi)電子
2013-07-01

半導(dǎo)體晶體管量子點(diǎn) 碳納米管
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-01

芯片聯(lián)電 FINFET 晶體管
新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材

半導(dǎo)體
2013-06-30

芯片新材料半導(dǎo)體晶體管
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這

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2013-06-28

芯片聯(lián)電 FINFET 晶體管
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)

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2013-06-28

芯片聯(lián)電 FINFET 晶體管
III-V族化合物或?qū)⒃?017年取代硅

加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-06-28

芯片摩爾定律半導(dǎo)體晶體管
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)

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2013-06-28

芯片聯(lián)電 FINFET 晶體管
伊利諾伊大學(xué)研發(fā)新型微電池

微電池是指由同一鋼筋提供陰極和陽(yáng)極的銹蝕電池，陽(yáng)極為鋼筋未生銹部分，陰極為鋼筋上鐵的氧化物，微型電池中應(yīng)用最普遍、用量最大的是紐扣式鋅－氧化銀電池。隨著電子元件的小型化，特別是晶體管和集成電路的出現(xiàn)而

測(cè)試測(cè)量
2013-06-27

智能手機(jī) 電池微型晶體管
美科學(xué)家制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家

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2013-06-27

半導(dǎo)體晶體管量子點(diǎn) 碳納米管
新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材

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2013-06-27

芯片新材料半導(dǎo)體晶體管
新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材

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2013-06-27

芯片新材料半導(dǎo)體晶體管
屬于硅芯片天下的日子屈指可數(shù)了

加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門(mén)替代材料包括鍺和半導(dǎo)體

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2013-06-26

芯片硅芯片半導(dǎo)體晶體管
屬于硅的日子屈指可數(shù)

加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會(huì)再使用硅，將會(huì)有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無(wú)法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料

功率器件
2013-06-26

芯片 BSP 半導(dǎo)體晶體管
自開(kāi)關(guān)電源電路圖

所提出的穩(wěn)壓電源電路的主要特征之一是，雖然固定電壓穩(wěn)壓器LM7805的電路中使用時(shí)，其輸出電壓是可變的。這是通過(guò)連接一個(gè)公共端子穩(wěn)壓器IC和地面之間的電位。對(duì)于每一個(gè)10

電源電路
2013-06-20

二極管電容器開(kāi)關(guān)電源電路圖晶體管
電阻封裝形式

電阻的封裝電阻的PCB封裝常用的有：RES1，RES2，RES3，RES4;封裝屬性為axial系列電阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7　　其中0.4-0.7指電阻的長(zhǎng)度，一般用AXIAL0.4貼片電阻的封裝0603表

功率器件
2013-06-19

元件封裝電阻封裝 MX 晶體管
一款晶體管光電控制器電路

一款晶體管光電控制器電路

光電顯示電路
2013-06-18

光電控制器電路 BSP 晶體管
東芝開(kāi)發(fā)全球首款多層單元結(jié)構(gòu)MROM單元

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布開(kāi)發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲(chǔ)器(MROM)單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會(huì)增加。這一進(jìn)展是通過(guò)采用多層單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運(yùn)轉(zhuǎn)。詳細(xì)

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2013-06-17

東芝 SoC ROM 晶體管
抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

摘要：為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測(cè)試、檢漏、內(nèi)部水汽檢測(cè)、開(kāi)封檢查等試驗(yàn)完成了對(duì)晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結(jié)果表明晶體管存在工藝問(wèn)題，內(nèi)部未進(jìn)行水汽控

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-06-14

芯片控制 BSP 晶體管
如何選擇滿足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝？

FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過(guò)去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝。現(xiàn)在，情況已不再如此。取而代之的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-06-14

IP FPGA設(shè)計(jì) FINFET 晶體管
科學(xué)家研制出單光子開(kāi)關(guān)的晶體管

晶體管在計(jì)算機(jī)內(nèi)充當(dāng)微型的電子或電流開(kāi)關(guān)，而科學(xué)家正研制能利用光開(kāi)關(guān)的芯片元件。上周MIT研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)報(bào)告他們創(chuàng)造出一個(gè)用單光子開(kāi)關(guān)的晶體管。 MIT的Wenl

電源
2013-06-14

開(kāi)關(guān) 光子 MIT 晶體管

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晶體管

美首次制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

III-V族化合物或?qū)⒃?017年取代硅

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

伊利諾伊大學(xué)研發(fā)新型微電池

美科學(xué)家制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

新材料將令芯片更小硅時(shí)代進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

屬于硅芯片天下的日子屈指可數(shù)了

屬于硅的日子屈指可數(shù)

自開(kāi)關(guān)電源電路圖

電阻封裝形式

一款晶體管光電控制器電路

東芝開(kāi)發(fā)全球首款多層單元結(jié)構(gòu)MROM單元

抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

如何選擇滿足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝？

科學(xué)家研制出單光子開(kāi)關(guān)的晶體管

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