FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設(shè)計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設(shè)計成
臺北——日月光半導體制造股份有限公司(AdvancedSemiconductorEngineering)首席運營官吳田玉遇到了一個問題:臺灣最優(yōu)秀的年輕人不愿意投身本島的標志性行業(yè),也就是芯片制造。吳田玉在一次采訪中說,“所有的大學畢
臺積電(2330)16納米制程打集體戰(zhàn)再邁大步,昨(17)日宣布為16納米FinFET(鰭式場效晶體管)等先進制程架構(gòu)的開放創(chuàng)新平臺(OIP)提供三套制程設(shè)計,協(xié)助客戶快速導入這項新制程。 臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指
晶圓代工龍頭臺積電(2330)昨(17)日宣布,在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)下成功推出三套全新經(jīng)過矽晶驗證的參考流程,協(xié)助客戶實現(xiàn)16納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程系統(tǒng)單芯片與三維芯片(3D IC)堆疊封裝設(shè)計,電
飽和開關(guān)的問題點:OFF延時時間如圖1所示,使場效應晶體管開關(guān)動作時,加給晶體管的基極電流IB:是IB=IC/hFE,決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
全球最大半導體設(shè)備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨(5)日表示,2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場,也帶動半導體廠的制程升級及產(chǎn)能投資,其中,晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級,將
ULN2003是高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品,具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負載能力強等特點,適應于各類要求高速大功率驅(qū)動的系統(tǒng)。ULN2003A由7組達林頓晶體管陣列和相應的電阻網(wǎng)絡以及鉗位二極管
全球最大半導體設(shè)備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨(5)日表示,2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場,也帶動半導體廠的制程升級及產(chǎn)能投資,其中,晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級,將
H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動直流電機的經(jīng)典電路,如正/反方向或通過四個分立/集成開關(guān)或機電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應用于機器與功率電子中。本設(shè)計實例是該技術(shù)
電路圖將CD4049三重逆變器的所有的三個部分和串聯(lián)諧振晶體連接。電源電壓的范圍是3-15V。緊湊低功率便攜式射頻振蕩器的電池消耗很低。
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù),并討論其基本設(shè)計及輔以應用范例。硅器件已稱王多時
有助于降低移動設(shè)備的待機功耗21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布,該公司已經(jīng)為移動設(shè)備的開關(guān)電源推出了一款有助于降低待機功耗的800V雙極晶體管。批量生產(chǎn)
【導讀】所謂2.5D是將多顆主動IC并排放到被動的硅中介層上,因為硅中介層是被動硅片,中間沒有晶體管,不存在TSV應力以及散熱問題。 摘要: 所謂2.5D是將多顆主動IC并排放到被動的硅中介層上,因為硅中介層是被動
兩個射極偏置晶體管的集電極和基極是直接互相耦合的。每個發(fā)射電路的電容控制轉(zhuǎn)換功能。發(fā)射極會產(chǎn)生三角波。兩個晶體管都不可能永遠保持斷電的狀態(tài)。相反的,電路有兩個固定的狀態(tài),通過在這些狀態(tài)之間電容的充電和
日本科學家研制出一種可作為假肢和機器人的“感官皮膚”,一種布滿傳感器的透明塑料薄片可作為醫(yī)學植入器。這項技術(shù)旨在研制新型生物醫(yī)學傳感器,使佩戴者沒有不舒適的感覺。它還可以在無壓狀態(tài)下測量體溫和心率,這
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發(fā)了復旦大學微電子學院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(SFGT,Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學家在該頂級學
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發(fā)了復旦大學微電子學院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(SFGT,Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學家在該頂級學
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發(fā)了復旦大學微電子學院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(SFGT,Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學家在該頂
石墨烯和傳統(tǒng)的晶體管不一樣,石墨烯不能關(guān)閉,它的能隙太小。沒有開和關(guān)的狀態(tài)意味著石墨烯不太適合用作晶體管。實用電路需要在室溫下有1eV級別的能隙,而石墨烯在最好的情