FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成類
FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成
FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成類
晶體管衰減式音調(diào)控制電路
恒流源電路
OTLC功率放大電路
輸出管的偏置電路
互補對稱推挽電路
FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成類
FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成類
FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過的閘門被設計成
臺北——日月光半導體制造股份有限公司(AdvancedSemiconductorEngineering)首席運營官吳田玉遇到了一個問題:臺灣最優(yōu)秀的年輕人不愿意投身本島的標志性行業(yè),也就是芯片制造。吳田玉在一次采訪中說,“所有的大學畢
臺積電(2330)16納米制程打集體戰(zhàn)再邁大步,昨(17)日宣布為16納米FinFET(鰭式場效晶體管)等先進制程架構(gòu)的開放創(chuàng)新平臺(OIP)提供三套制程設計,協(xié)助客戶快速導入這項新制程。 臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指
晶圓代工龍頭臺積電(2330)昨(17)日宣布,在開放創(chuàng)新平臺(OIP)架構(gòu)下成功推出三套全新經(jīng)過矽晶驗證的參考流程,協(xié)助客戶實現(xiàn)16納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程系統(tǒng)單芯片與三維芯片(3D IC)堆疊封裝設計,電
飽和開關(guān)的問題點:OFF延時時間如圖1所示,使場效應晶體管開關(guān)動作時,加給晶體管的基極電流IB:是IB=IC/hFE,決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨(5)日表示,2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場,也帶動半導體廠的制程升級及產(chǎn)能投資,其中,晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級,將
ULN2003是高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品,具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負載能力強等特點,適應于各類要求高速大功率驅(qū)動的系統(tǒng)。ULN2003A由7組達林頓晶體管陣列和相應的電阻網(wǎng)絡以及鉗位二極管
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H橋是一種以用戶定義方式驅(qū)動直流電機的經(jīng)典電路,如正/反方向或通過四個分立/集成開關(guān)或機電繼電器的PWM輔助控制的RPM。它廣泛應用于機器與功率電子中。本設計實例是該技術(shù)