晶體管

淺談助聽器選配考慮因素及選配原則

前言什么是助聽器呢?助聽器 (hearing aid) 是一種供聽障者使用的、補(bǔ)償聽力損失的小型擴(kuò)音設(shè)備，從狹義上來(lái)說(shuō)，助聽器就是一個(gè)電聲放大器（什么是監(jiān)護(hù)儀），通過(guò)它將聲音放大使聾人聽到了原來(lái)聽不清楚，聽不到的聲音

談智能手機(jī)的未來(lái)——計(jì)算是精彩體驗(yàn)的推動(dòng)力

年初的國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）展示了全球首款英特爾架構(gòu)智能手機(jī)——聯(lián)想K800。我有幸得到一部率先試用，感覺體驗(yàn)超乎想象，不僅是高清圖片、視頻播放可以媲美市場(chǎng)上流行的智能手機(jī)，居然還能很好地運(yùn)行3D游戲。 我?guī)?/p>

高增益LC諧振放大器的設(shè)計(jì)

摘要：采用分立元件設(shè)計(jì)了一個(gè)3級(jí)單調(diào)諧放大器，可用于通信接收機(jī)的前端電路，通過(guò)合理分配各級(jí)增益和多種措施提高抗干擾性，具有中心頻率容易調(diào)整、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。電路經(jīng)實(shí)際測(cè)試表明具有低功耗、高增益和較好的選

對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換電路--可獲得IP/十進(jìn)位輸出

電路的功能為了把大范圍的信號(hào)電平壓縮顯示，可使用對(duì)數(shù)電路，通常稱對(duì)數(shù)放大器，在電氣電路中多使用以10為底的常用對(duì)數(shù)，本電路是1V/十進(jìn)位、即10倍的變化引起1V變化輸出的電路。對(duì)數(shù)作為除法、乘法等運(yùn)算電路的基本

日本制造業(yè)的放棄與選擇

在2011財(cái)年中，夏普預(yù)計(jì)凈虧損38億美元;索尼預(yù)計(jì)虧損29億美元，已是連續(xù)四年虧損;松下更是創(chuàng)下年度虧損之最，預(yù)計(jì)虧損102億美元;安全芯片巨頭爾必達(dá)也于日前申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。日本制造業(yè)的困局絕非孤立事件，而是全球消

光敏電阻(LDR)的光控開關(guān)電路圖

如圖電路，在有入射光時(shí)，該電路中接有光敏電阻LDR的晶體管接通高電平或零電平。晶體管放大系數(shù)取B>100就已足夠，光敏電阻阻值在100～100k歐之間，分別對(duì)應(yīng)于有光照射和暗時(shí)的情況。如果要想控制較大功率的負(fù)載，則應(yīng)

多功能晶體管測(cè)試電路

晶體管電離報(bào)警電路

系統(tǒng)電源循環(huán)通斷的測(cè)試儀

上電循環(huán)測(cè)試非常重要，因?yàn)樗鼫y(cè)試的是用戶環(huán)境。設(shè)計(jì)不良的系統(tǒng)板或芯片會(huì)造成上電循環(huán)測(cè)試失敗。此外，對(duì)系統(tǒng)板工作臺(tái)測(cè)試時(shí)，上電循環(huán)測(cè)試的設(shè)置可能需要采用沉重而昂貴的商用電源。當(dāng)你需要同時(shí)測(cè)試多塊系統(tǒng)板時(shí)

單晶體管溫度遙測(cè)儀

附圖電路是只用一只晶體管的簡(jiǎn)易溫度遙測(cè)儀，他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù)，用AM短波收音機(jī)接收。實(shí)現(xiàn)溫度遙測(cè)。圖1電路是一產(chǎn)生間隙脈沖的發(fā)射機(jī)。利用晶體管Tr1對(duì)線圈電流的通、斷進(jìn)行控制，發(fā)

采用硅晶體管作傳感器的溫度測(cè)量電路

14nm制造工藝會(huì)是硅芯片尺寸的盡頭嗎？

　　近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開始有了擔(dān)憂。　　據(jù)摩爾定律所說(shuō)，集成在同一芯片上的晶體管數(shù)

人們懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

先進(jìn)移動(dòng)平臺(tái)用戶采用Soitec全耗盡（Fully Depleted）技術(shù)

北京， 2012年3月14日 —— 全球領(lǐng)先的電子和能源行業(yè)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)制造商 Soitec （Euronext）今天宣布，無(wú)線平臺(tái)和半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）開發(fā)設(shè)計(jì)其下一代移動(dòng)處理器

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝

晶體管驅(qū)動(dòng)TTL的接口電路

CMOS與晶體管的互接口電路