晶體管

晶體管OP放大器電路的應(yīng)用電路

將N溝JFET用在輸入部分的差動(dòng)放大電路上的OP放大器電路。由于FET的流入柵極的電流是非常小的，所以用在OP放大器的輸入電路中，則能夠提高OP放大器本身的輸入阻抗。這種OP放大器可以用在取樣保持電路和將輸入阻抗非常

80W甲類(lèi)功率放大器

電路原理如圖所示，這部功放的輸入級(jí)是一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管，優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高，動(dòng)態(tài)范圍大和噪聲低。VT3、VT4組成第二級(jí)放大，VT5提供1.8mA的電流給VT1、VT2；VT6提供9.5mA的恒定電流給VT3、VT4。由于VD1的導(dǎo)通，電流電壓即

PC新鮮體驗(yàn) 第三代智能英特爾酷睿處理器

即日起，22納米四核處理器將應(yīng)用于性能強(qiáng)勁的高端臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦以及設(shè)計(jì)纖薄、美觀的一體機(jī)電腦中。領(lǐng)先的22納米制造工藝還將啟動(dòng)更多、更新的智能設(shè)備的創(chuàng)新制造。加速英特爾“Tick-Tock”戰(zhàn)略節(jié)奏，

求解晶體管OP放大器4549的電路常數(shù)

在這里要設(shè)計(jì)的OP放大器的電路圖。該電路是直接將圖12.8電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體化后的電路。差動(dòng)放大電路與共發(fā)射極放大電路的恒流源都用Tr3與Trs來(lái)制作，推挽射極跟隨器的偏置是直接使用LED的正向壓降。差動(dòng)放大電路側(cè)的集

CPU進(jìn)入22納米時(shí)代

昨天，英特爾(微博)宣布推出新一代智能酷睿處理器，覆蓋臺(tái)式機(jī)、筆記本等的十三款產(chǎn)品全部采用最新的22納米技術(shù)，并首次引入了英特爾的3D晶體管技術(shù)。電腦CPU進(jìn)入22納米時(shí)代。英特爾中國(guó)區(qū)總裁楊敘形容說(shuō)，一個(gè)釘尖上

英特爾智能手機(jī)上市，叫聲ARM提防提防！

經(jīng)過(guò)多年的整軍經(jīng)武，英特爾公司(Intel)即將瞄準(zhǔn)手機(jī)市場(chǎng)展開(kāi)出擊。在未來(lái)幾個(gè)星期內(nèi)，第一批支持英特爾處理器的智能手機(jī)將會(huì)上市，準(zhǔn)備好與采用ARM公司IP架構(gòu)的手機(jī)設(shè)備展開(kāi)一場(chǎng)激烈的市占率爭(zhēng)奪戰(zhàn)。英特爾為了這一

回被探測(cè)距離用超聲波接收器電路圖

該電路工作電壓9V，消耗電流僅5mA，可在家150～180kHz范圍內(nèi)調(diào)整頻率，帶寬約為了20kHz，以確保只有寬于70us的脈沖才能通過(guò)和被放大。接收器輸入端子直接接傳感器，從而也即與振蕩器相連。在出現(xiàn)超聲波脈沖時(shí)，在T1基

實(shí)用的晶體管逆變電源電路

晶體管交流調(diào)壓器電路

半導(dǎo)體工藝錄：摩爾定律催生了芯片技術(shù)革命

1968年Intel工程師戈登·摩爾根據(jù)芯片發(fā)展趨勢(shì)做出了一個(gè)晶體管發(fā)展報(bào)告：集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。時(shí)至今日Intel已經(jīng)推出了最新的22nm 3D晶體管架構(gòu)，工藝

未來(lái)處理器基石！ 3D晶體管讓摩爾定律延續(xù)

眾所周知，從1965年至今，摩爾定律主導(dǎo)了半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體芯片工藝水平以驚人的速度提高，帶給我們愈發(fā)精彩的IT生活。但是，行至現(xiàn)今，摩爾定律面臨著嚴(yán)重挑戰(zhàn)。未來(lái)處理器的發(fā)展，究竟如何讓摩爾定律延續(xù)？

實(shí)用的晶體管逆變電源電路

晶體管交流調(diào)壓器電路

Netronome將采用英特爾22納米生產(chǎn)最高性能流處理器

領(lǐng)先的網(wǎng)絡(luò)流處理器開(kāi)發(fā)商N(yùn)etronome日前宣布：進(jìn)一步延伸該公司與英特爾公司之間的戰(zhàn)略性伙伴關(guān)系，其中Netronome的下一代流處理器將使用英特爾領(lǐng)先的22納米工藝進(jìn)行生產(chǎn)。Netronome將提供世界首批基于英特爾創(chuàng)領(lǐng)市場(chǎng)

3D晶體管初揭秘 英特爾馬宏升IDF演示原理

第1頁(yè)3D晶體管初揭秘 英特爾馬宏升IDF演示原理 2012年英特爾中國(guó)IDF信息技術(shù)峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，中國(guó)區(qū)總裁馬宏升為現(xiàn)場(chǎng)的聽(tīng)眾詳細(xì)介紹3D晶體管原理以及技術(shù)應(yīng)用。3D晶體管技術(shù)將被應(yīng)用在第三代智能酷睿處理器中，而它的眾多

Netronome攜其先進(jìn)的流處理器參加IDF

21ic訊 近日，關(guān)于Intel代工業(yè)務(wù)的新聞成為行業(yè)內(nèi)一大熱點(diǎn)：繼Archronix、Tabula之后，流處理器(flow processors)領(lǐng)先廠商N(yùn)etronome又成了Intel 22nm新工藝的第三家客戶。Netronome表示，首款產(chǎn)品將使用3D Tri-Gate晶

LED PWM調(diào)光方法探討

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對(duì)其長(zhǎng)期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來(lái)提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

全碳納米晶體管耐揉且性能良好

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一個(gè)日本研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出如一張紙般可被揉成團(tuán)的全碳納米晶體管，其電子性能卻不發(fā)生減退。該研究成果發(fā)表在美國(guó)《應(yīng)用物理快報(bào)》上。這項(xiàng)研究的合作者之一、東京大學(xué)的機(jī)械工程教授丸山茂

Netronome將采用英特爾22納米生產(chǎn)最高性能流處理器

Netronome將采用英特爾22納米生產(chǎn)最高性能流處理器

LED PWM調(diào)光方法探討

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對(duì)其長(zhǎng)期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來(lái)提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方