協(xié)助設(shè)計(jì)師為數(shù)據(jù)中心、汽車HEV和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%,有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。然而,快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。
TMC2590是Trinamic最新的2相步進(jìn)電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器。低功耗的EMI優(yōu)化芯片具有保護(hù)和診斷功能,使得為極具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案提供小型化設(shè)計(jì)成為可能。
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍:直流至100kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。
在隔離系統(tǒng)中,它們還可實(shí)現(xiàn)隔離,將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能,柵極驅(qū)動(dòng)器必須提高其控制信號(hào)的頻率。
TMC6200是新型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,具有在線電機(jī)電流檢測(cè)功能,可使用外部MOSFET實(shí)現(xiàn)高達(dá)100A的BLDC電機(jī)和PMSM伺服電機(jī)。
作者:Wenjia Liu就像每個(gè)MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來切換它,每個(gè)電機(jī)后面總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求,驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式多樣。最簡(jiǎn)單和離散
在太陽(yáng)能光伏(PV)和儲(chǔ)能應(yīng)用中,提高功率密度已經(jīng)成為一種趨勢(shì),另外我們還需要不斷提高效率。碳化硅(SiC)功率器件提供了這個(gè)問題的解決方案。SiC器件是寬帶隙器件,能夠在高于1000 V dc的電壓下工作,通常具有較低的漏源阻抗(RDSON)。SiC器件還能滿足降低導(dǎo)電性從而提高效率的需求。SiC器件還能達(dá)到高于100 kHz的快速開關(guān)速度,而且開關(guān)過程中的寄生電容和相關(guān)電荷也比較低。但它們也存在一些缺點(diǎn),包括要求柵極驅(qū)動(dòng)器具有大于100 kV/μs的較高共模瞬變抗擾度(CMTI)。另一個(gè)缺點(diǎn)是,SiC
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么,為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器,以及如何定義其基本參數(shù),如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
一款智能電源模組需要在封裝中集成控制、保護(hù)、柵極驅(qū)動(dòng)器和功率切換器件,以滿足緊湊、高效要求,以及特定應(yīng)用的電源管理需求。目前,兩個(gè)主要的解決方案是智能電源模組(IPM)和即插即用柵極驅(qū)動(dòng)器板。為了滿足新一代
設(shè)計(jì)人員可以將空間有限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度提高一倍近日,德州儀器 (TI) 推出兩款新型器件,有助于減小電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的尺寸和重量。當(dāng)兩者結(jié)合使用時(shí),DRV832x無刷直流
觀看視頻系列,“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視,但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉!該視頻系列說明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理,并重點(diǎn)介紹了關(guān)鍵的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)。涉及的主題包括負(fù)電壓處理、延遲匹配、寬VDD和工作溫度范圍等。這篇博文將更全面地解釋這些主題。
觀看視頻系列,“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視,但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉!該
當(dāng)今世界,設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地在追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出!更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力,這包括(但不限于)性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。
當(dāng)今世界,設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地在追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出!更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力,這包括(但不限于)性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)器、控
EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS D類放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自舉電路的柵極驅(qū)動(dòng)器在高頻工作時(shí)可以減少損耗。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包
近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。UCC27714高側(cè)、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器具有4A源電流和4A灌電流的處理能力,能夠?qū)⒔M件占板面積減少50%,從而可在應(yīng)用于服務(wù)器、電信和不間斷電源等工業(yè)設(shè)計(jì)所使用的高頻、離線AC/DC電源中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
21ic訊 Allegro MicroSystems, LLC 宣布推出能與 N 溝道外部電源 MOSFET 連用的新型全橋式控制器,它是專門為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。Allegro A5929 具有獨(dú)特的電荷泵穩(wěn)壓器,它