日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動器,該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動設(shè)置,可在更為寬泛的范圍內(nèi),靈活的驅(qū)動外部場效應(yīng)晶體管(FET),從而支持多種電機,以及各
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率
東芝公司旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。新產(chǎn)品是一個適用于電荷泵的
21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布推出兩款三相無刷直流(BLDC)電機柵極驅(qū)動器——MCP8025和MCP8026(MCP8025/6)。集成了電源模塊、LIN收發(fā)器和休眠模式,是完整電機系統(tǒng)解決方案
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款具有業(yè)界最短傳播延遲(不足 15 納秒)的 AEC-Q100 認證柵極驅(qū)動器。與現(xiàn)有解決方案相比,該 UCC275xx-Q1 系列單路及雙路柵極驅(qū)動器可提供最高的電源效率、可靠性與靈活性,
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)綜合了BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。在今天的電力電子領(lǐng)域中,IGBT已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。而在實際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動器的
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5,該器件能以高達 80V 的輸入電壓工作,在高達 100V 瞬態(tài)時
內(nèi)燃機(ICE)、混合動力汽車以及電動汽車繼續(xù)推動新型功率半導體支持技術(shù)的發(fā)展。低壓和高壓應(yīng)用中的功率器件需要以逐漸增加的頻率運行、具有更強的抗干擾能力和更高的效率。
引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?<200 W),并且常常會把電
Silicon Labs (芯科實驗室有限公司)日前宣布推出業(yè)界首款基于CMOS工藝的數(shù)字解決方案,可直接替換光電耦合隔離式柵極驅(qū)動器(簡稱光電耦合驅(qū)動器)。新型Si826x隔離式柵極驅(qū)動器支持高達5kV隔離等級和10kV浪涌保護,其
引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?<200 W),并且常常會把電
器件提供關(guān)鍵保護功能以及出色的共模瞬態(tài)抑制性能對于目前的高功耗工業(yè)應(yīng)用,設(shè)計人員傳統(tǒng)上對IGBT驅(qū)動器使用分立器件,導致整體設(shè)計復雜性和系統(tǒng)成本大大提高。 為了幫助設(shè)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出采用增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管的EPC9003及EPC9006開發(fā)板, 展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動器可幫助工程師簡單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)用氮化鎵技術(shù)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關(guān)損耗。該 UC
21ic訊 羅姆株式會社開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”,最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關(guān)損耗
當前,新能源汽車技術(shù)和市場正處于一個火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴大到包括傳統(tǒng)汽車和新能源汽車在內(nèi)的整個汽車領(lǐng)域。對于汽車應(yīng)用工程師來說,當前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車帶來更高效
當前,新能源汽車技術(shù)和市場正處于一個火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴大到包括傳統(tǒng)汽車和新能源汽車在內(nèi)的整個汽車領(lǐng)域。對于汽車應(yīng)用工程師來說,當前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車帶來更高效
21ic訊 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動電流和更強抗噪能力的逆變器的設(shè)計挑戰(zhàn),尤其是在混合動力汽車(HEV)和電動汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),飛兆半導體公司(Fairchild Semiconduct
21ic訊 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動電流和更強抗噪能力的逆變器的設(shè)計挑戰(zhàn),尤其是在混合動力汽車(HEV)和電動汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),飛兆半導體公司(Fairchild Semiconduct