砷化鎵

砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄

美國科學(xué)家通過與傳統(tǒng)科學(xué)研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關(guān)鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突

砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄

美國科學(xué)家通過與傳統(tǒng)科學(xué)研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關(guān)鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突

乾照光電：行業(yè)調(diào)整中 壓力與機(jī)遇并存

乾照光電于10月26日公布了2011年三季度報，1-9月公司實現(xiàn)營業(yè)總收入為2.76億元，同比增長32.72%；歸屬于上市公司股東凈利潤1.31億元，同比增長37.45%。實現(xiàn)每股收益為0.44元，同比增長4.76%。其中第三季度公司實現(xiàn)營

無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

隨著移動數(shù)據(jù)消費的持續(xù)猛增，運(yùn)營商正在改進(jìn)其無線基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)，以支持日益增長的數(shù)據(jù)需求，根據(jù)Strategy Analytics公司（波士頓）報告。該公司的最新報告關(guān)于砷化鎵和復(fù)合半導(dǎo)體市場的預(yù)測，像多輸入/多輸出（

無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司StrategyAnalytics分析：全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體的市場預(yù)計將增長，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。隨著移動數(shù)據(jù)消費的持續(xù)猛增，運(yùn)營商正在改進(jìn)其

單電源砷化鎵場效應(yīng)晶體管功率放大器

乾照光電：4年增值20倍 譜寫創(chuàng)投資本傳奇

乾照光電曾經(jīng)創(chuàng)下中國新股上市的一個傳奇，從2006年成立到創(chuàng)業(yè)板上市，只用了4年時間。 與此同時，乾照光電也寫下了創(chuàng)投資本的傳奇。成立僅一年，知名的創(chuàng)投機(jī)構(gòu)紅杉資本便專為入股乾照光電單獨成立紅杉資本中國II基

CMOS PA陷入成本和性能兩難 “單芯片手機(jī)”夢受阻

在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOS PA替代砷化鎵PA，其中AXI

射頻集成電路CAD討論

文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。　　近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線因特網(wǎng)接入業(yè)

晶圓材料 5月底恐?jǐn)噫?/a>

晶圓材料缺貨問題難解決

日本 311強(qiáng)震至今已逾1個月，就在日本科技大廠開始陸續(xù)復(fù)工之際，近日內(nèi)強(qiáng)度在6級以上的強(qiáng)烈余震不斷，夏日限電問題又是箭在弦上，包括半導(dǎo)體用12寸矽晶圓、磊晶晶圓、砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體晶圓等材料，供貨短

晶圓材料 5月底恐?jǐn)噫?/a>

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晶圓材料 5月底恐?jǐn)噫?/a>

美方稱新一代電子芯片將給軍事電子市場帶來革命性進(jìn)展

美國《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站2月28日報道 原題：經(jīng)過長時間研發(fā)，國防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達(dá))美國國防工業(yè)及政府官員表示，新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。美國國防部高級研究

下游客戶提前備貨　砷化鎵磊晶第1季需求旺

胡皓婷／臺北 目前雖是產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，但砷化鎵(GaAs)產(chǎn)業(yè)最上游的磊晶(epi)供應(yīng)商則未受到季節(jié)性循環(huán)沖擊，顯示下游客戶后續(xù)需求暢旺，導(dǎo)致廠商紛紛提前備貨所致。 從砷化鎵晶圓代工廠以及國際級整合元件廠(IDM)的

聚光技術(shù)商業(yè)應(yīng)用揚(yáng)帆 上市企業(yè)擁有先動優(yōu)勢

聚光技術(shù)（CPV）是使用透鏡或反射鏡面等光學(xué)元件，將大面積的陽光匯聚到一個小面積的太陽能電池片上進(jìn)行發(fā)電的太陽能發(fā)電技術(shù)。實際上，晶硅電池也可以在低倍聚光條件下發(fā)電，但我們平時所說的聚光技術(shù)主要指在高倍聚

2011年智能手機(jī)廠商擴(kuò)展PA供應(yīng)商名單

　　DIGITIMES Research指出，受惠于智能手機(jī)（Smartphone）出貨量在2010年大放光采，也同步帶動功率放大器（PA）產(chǎn)品的需求。不過，因國際砷化鎵（GaAs）大廠產(chǎn)能擴(kuò)充不及，導(dǎo)致在2010全年間功率放大器一直處

缺貨余悸未了，2011年手機(jī)廠商擴(kuò)展PA供應(yīng)商名單

showAd(2009080513234060,236,236); DIGITIMES Research指出，受惠于智能手機(jī)(Smartphone)出貨量在2010年大放光采，也同步帶動功率放大器(PA)產(chǎn)品的需求。不過，因國際砷化鎵(GaAs)大廠產(chǎn)能擴(kuò)充不及，導(dǎo)致在2010全

臺系業(yè)者投入砷化鎵晶圓代工領(lǐng)域

目前臺系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機(jī)耗電流低