砷化鎵

陜西光電子先導(dǎo)院攜“新質(zhì)生產(chǎn)力”成果亮相慕尼黑上海光博會(huì)

2024年慕尼黑上海光博會(huì)于3月20-22日舉行，陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵（GaAs）IPD晶圓、氮化鎵（GaN）HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相，展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

關(guān)于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在內(nèi)的外延設(shè)備發(fā)展?fàn)顟B(tài)，釋放分子束外延的潛力

對(duì)更強(qiáng)大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對(duì)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體的需求。這種材料需要通過外延生長(zhǎng)的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一，長(zhǎng)期以來(lái)一直被認(rèn)為是利基市場(chǎng)，但它已準(zhǔn)備好過渡到批量應(yīng)用。

砷化鎵智能芯片項(xiàng)目落戶山西，投資規(guī)模超10億

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日在山西太原舉行了太忻一體化經(jīng)濟(jì)區(qū)推介會(huì)，大約有十幾個(gè)合作項(xiàng)目簽約成功，其中第2代半導(dǎo)體砷化鎵面射型智能應(yīng)用芯片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目落戶山西，總投資規(guī)模超10億元。

三安集成砷化鎵代工平臺(tái)助力WiFi 6E推廣，加速新一代智能局域網(wǎng)絡(luò)技術(shù)落地

廈門2022年6月30日 /美通社/ -- 隨著WLAN技術(shù)的發(fā)展，室內(nèi)場(chǎng)景更傾向于依賴無(wú)線通信技術(shù)，2021年互聯(lián)網(wǎng)約有50%的數(shù)據(jù)流量采用WiFi接入（來(lái)源：思科網(wǎng)絡(luò)）。龐大的流量和接入需求推動(dòng)著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展，Wi...

三安集成砷化鎵代工平臺(tái)助力WiFi 6E推廣

（全球TMT2022年6月30日訊）三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺(tái)，是目前國(guó)內(nèi)唯一一家有能力量產(chǎn)WiFi 6E芯片的企業(yè)。目前，三安集成已與國(guó)內(nèi)頭部射頻企業(yè)達(dá)成深度合作，實(shí)現(xiàn)多款WiFi 6E前端模塊的量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級(jí)...

半導(dǎo)體芯片

半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它)，鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(D-RAM)市場(chǎng)占上風(fēng)。但由于大型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀(jì)八十年代，日本企業(yè)名列前茅。

穩(wěn)懋半導(dǎo)體今年5月營(yíng)收達(dá)4.73億元 同比增長(zhǎng)42%

6月9日消息，全球最大砷化鎵晶圓代工服務(wù)公司穩(wěn)懋半導(dǎo)體公布了5月營(yíng)收數(shù)據(jù)。 穩(wěn)懋半導(dǎo)體 穩(wěn)懋半導(dǎo)體5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣19.85億元（約合人民幣4.73億元），年成長(zhǎng)率及月成長(zhǎng)率分別為42%及-1%

穩(wěn)懋半導(dǎo)體今年3月營(yíng)收達(dá)4.88億元 同比增長(zhǎng)66.42%

4月7日消息，全球最大砷化鎵晶圓代工服務(wù)公司穩(wěn)懋半導(dǎo)體日前公布了3月營(yíng)收數(shù)據(jù)。 穩(wěn)懋 穩(wěn)懋半導(dǎo)體3月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣20.79億元（約合人民幣4.88億元），同比增長(zhǎng)66.42%，環(huán)比增長(zhǎng)5.86%

半導(dǎo)體材料的全方位解讀，你真的了解嗎？

說(shuō)到半導(dǎo)體，你真的了解半導(dǎo)體材料嗎?自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體(如銀、銅、鐵等)、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體(如橡膠、陶瓷、塑料等)和半導(dǎo)體(如鍺、硅、砷化鎵等)。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而顯著變化，特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型，這是其廣泛應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。

國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)利用砷化鎵納米顆粒 成功制備出一種超快可調(diào)諧超材料

研究人員首先制備出由半導(dǎo)體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜，之后利用電子束光刻技術(shù)和等離子體刻蝕技術(shù)，制備出砷化鎵基超材料。

俄美德三國(guó)科學(xué)家聯(lián)合成功制備超快可調(diào)諧超材料

俄羅斯莫斯科大學(xué)(Moscow State University)、美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Sandia National Laboratories)和德國(guó)弗里德里希-席勒大學(xué)(Friedrich-Schiller University)研究人員組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)利用砷化鎵納米顆粒，成功制備出一種超快可調(diào)諧超材料。

紫外線能帶給半導(dǎo)體器件行業(yè)什么變化

兩位科學(xué)家的一個(gè)發(fā)現(xiàn)可以推進(jìn)下一代半導(dǎo)體器件的發(fā)展。能源部國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)兩位科學(xué)家的發(fā)現(xiàn)可以幫助下一代半導(dǎo)體器件的發(fā)展。

IDT全新電壓可變衰減器 可提供比砷化鎵產(chǎn)品高達(dá)1,000倍的線性度改進(jìn)

低插入損耗、高線性度的全新RF電壓可變衰減器支持1MHz 到6GHz，擴(kuò)展了IDT公司的頻率覆蓋范圍

POET：砷化鎵將無(wú)限延長(zhǎng)摩爾定律壽命

近日消息，美過POET Technologies 預(yù)言，砷化鎵(Gallium arsenide，GaAs)很快就會(huì)取代矽，成為高性能晶片的材料選擇;而曾任職于貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Labs)的該公司共同創(chuàng)辦人暨首席科學(xué)家Geoff Taylor表示，上述論點(diǎn)自19

GaAs芯片將成為未來(lái)移動(dòng)終端的首選芯片

【導(dǎo)讀】GaAs芯片將成為未來(lái)移動(dòng)終端的首選芯片 GaAs芯片得到廣泛應(yīng)用 世界著名的數(shù)字信號(hào)芯片制造商CSR公司近日在接受記者采訪時(shí)透露，隨著數(shù)字芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步，砷化鎵（galliumarsenide ， GaAs）

CMOS跨越砷化鎵雷池 進(jìn)軍PA

【導(dǎo)讀】傳統(tǒng)功率放大器（PA）均是以砷化鎵（GaAs）制作為主，CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS制程終于堂而皇之跨入功率放大器的領(lǐng)域之中，并陸續(xù)有相關(guān)廠商發(fā)表最新產(chǎn)品。專為無(wú)線應(yīng)用提供功率放大器技術(shù)的無(wú)晶

日本強(qiáng)震 臺(tái)灣供應(yīng)緊張 5月底晶圓材料恐?jǐn)噫?/a>

Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案，它采用Peregrine的130納米R(shí)F-SOI工藝技術(shù)的UItraCMOS 10工藝技術(shù)平臺(tái)。這是業(yè)界又一次對(duì)GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功

半導(dǎo)體所在半導(dǎo)體材料砷化鎵/鍺中拓?fù)湎喾矫娅@重要發(fā)現(xiàn)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組，提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導(dǎo)體材料GaAs/Ge中實(shí)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相。通過第一性原理計(jì)算和多帶k.p理論成功的證明了GaAs/Ge極化電荷誘導(dǎo)的拓?fù)浣^緣體相，這為拓?fù)浣^緣體的器件應(yīng)

半導(dǎo)體所在砷化鎵/鍺中拓?fù)湎嘌芯糠矫娅@重要發(fā)現(xiàn)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導(dǎo)體材料GaAs/Ge中實(shí)現(xiàn)拓?fù)浣^緣體相。通過第一性原理計(jì)算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導(dǎo)的拓?fù)浣^緣體相，這為拓?fù)浣^緣體的器件應(yīng)用