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Cree與意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議
2019年1月10日，Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圓。按照該協(xié)議的規(guī)定，在當(dāng)前碳化硅功率器件市場需求顯著增長期間，Cree將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。
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Cree與ST簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議
Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圓。
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UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布推出采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現(xiàn)有的UJC3系列相比，F(xiàn)AST系列具有更快的開關(guān)速度和更高的效率水平。
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作為金牌合作代理商，世強元件電商出席ROHM技術(shù)研討會
2018年9月起，ROHM技術(shù)研討會在全國巡回舉行，研討會圍繞\"電源\"與\"SiC(碳化硅) \"等話題開展技術(shù)。
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Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。
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碳化硅晶圓全球產(chǎn)能有限，緊缺狀態(tài)何時能解?
由于碳化硅的生產(chǎn)瓶頸尚未解決，原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定，造成整體市場無法大規(guī)模普及。
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碳化硅無法轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模 主因是碳化硅晶圓制造和產(chǎn)能不順暢
相較于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
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突破！國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈門投產(chǎn)
近日，國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國在碳化硅芯片這個戰(zhàn)略新興行業(yè)又實現(xiàn)了一次重要的突破。
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寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢。
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中國電科二所實現(xiàn)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)新突破
近日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。
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大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。
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Littelfuse新推經(jīng)過擴展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列
Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，近日宣布新推出了四個隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布。
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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換
Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對
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高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命
LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。 這些新一代組件的商品化，為電力電子產(chǎn)業(yè)打開了全新的應(yīng)用可能性。
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三菱電機投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線擴大碳化硅功率器件產(chǎn)量
三菱電機半導(dǎo)體首席技術(shù)執(zhí)行官Gourab Majumdar博士日前表示，為了提高三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市場滲透率，公司已經(jīng)開始投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線來擴產(chǎn)，再配合創(chuàng)新技術(shù)向市場推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)品。
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美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶設(shè)計和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅(SiC)驅(qū)動器參考設(shè)計解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動器參考設(shè)計提供用戶友好的設(shè)計指南，并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。
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Littelfuse 新推新平臺開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管 具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率
混合pn肖特基 (MPS) 結(jié)構(gòu)可增強抗浪涌能力并降低泄漏電流Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以
