碳化硅

SiC 功率半導體市場起飛 電動車為主要驅動力

在全球倡導節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下，新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展，而其中電動車的崛起尤為引人注目。電動車的快速普及，正成為 SiC(碳化硅)功率半導體市場騰飛的核心驅動力。SiC 功率半導體憑借其卓越的性能優(yōu)勢，在電動車領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力，推動著整個市場規(guī)模的迅速擴張。

碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來市場

在半導體技術持續(xù)迭代的進程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐步改寫著電子產業(yè)的格局，成為推動眾多領域變革的關鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應用現(xiàn)狀以及未來市場走向，對于把握半導體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。

SiC 在電動汽車應用中的趨勢

在全球倡導環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)變革的重要驅動力。而在電動汽車技術不斷革新的進程中，碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導體材料，正逐漸嶄露頭角，其在電動汽車領域的應用趨勢備受矚目。

蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室

新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室，瞄準亞太地區(qū)功率半導體芯片在車規(guī)驗證的需求，為亞太地區(qū)半導體制造業(yè)客戶就近提供驗證服...

深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章

作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導體企業(yè)之一，意法半導體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術和產品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關者創(chuàng)造長遠價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產力的蓬勃發(fā)展。

電裝與富士電機聯(lián)手強化半導體供應鏈，助推碳化硅技術發(fā)展

近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導體供應保障計劃”獲得批準并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助，旨在通過碳化硅（SiC）功率半導體的技術升級和生產能力提升，進一步加強供應鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場需求。

全方位剖析：英飛凌如何領跑“低碳轉型”綠色賽道？

作為全球領先的半導體供應商，英飛凌憑借多年積累的豐富半導體生產工藝技術，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的創(chuàng)新產品和解決方案，特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2（G2）技術和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊，更是將碳化硅的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致，進一步推動了整個半導體領域的低碳化進程。

英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關鍵賦能者” 。

英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關鍵賦能者”。

Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標準車規(guī)級高隔離反激式變壓器系列

全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離

負債超5億元，又一國家級高新技術企業(yè)破產！

根據(jù)全國企業(yè)破產重整案件信息網顯示，北京世紀金光半導體有限公司近日新增一則“破產清算”信息。

Power Integrations面向800V汽車應用推出新型寬爬電距離開關IC

1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關符合IEC 60664-1絕緣標準

雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)

2024年12月5日，中國 – 雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關鍵元件，安培和意法半導體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領域的獨到之處。

唯樣 x 瞻芯電子強強聯(lián)手，助力SiC功率半導體國產化替代

法雷奧與羅姆聯(lián)合開發(fā)新一代功率電子領域

業(yè)界先進的汽車零部件制造商Valeo Group（以下簡稱“法雷奧”）與全球知名半導體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）將通過結合雙方在功率電子領域的專業(yè)知識和技術優(yōu)勢，聯(lián)合開發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步，羅姆將為法雷奧的新一代動力總成解決方案提供碳化硅（SiC）塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。

資本加速涌入!GaN和SiC時代即將到來

隨著全球科技產業(yè)的飛速發(fā)展，半導體材料作為信息技術的基石，正經歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標志著GaN和SiC時代即將到來，將為電子、通信、能源等多個領域帶來革命性的變化。

第三代半導體火爆下的爛尾隱憂及國內外技術差距的認知偏差

近年來，第三代半導體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應用前景，迅速成為全球科技產業(yè)關注的焦點。這類半導體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無線射頻等領域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等領域，第三代半導體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導體，成為新一代的技術核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項目的隱憂以及國內外技術差距的認知偏差。

化解第三代半導體的應用痛點：策略與實踐

第三代半導體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導體，其廣泛應用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。

碳化硅功率器件上下游產業(yè)鏈：襯底和外延的重要性

在半導體產業(yè)的快速發(fā)展中，碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導體材料，正逐步成為功率半導體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。而碳化硅功率器件的上下游產業(yè)鏈中，襯底和外延作為關鍵環(huán)節(jié)，對于器件的性能和成本具有至關重要的影響。

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用

幾十年來，硅(Si)一直是半導體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域對現(xiàn)代電力需求應用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。