測(cè)試大廠京元電子(2449)昨(24)日召開(kāi)董事會(huì),決議明年資本支出將拉高到49.89億元,較今年的38億元增加約31%,主要將用來(lái)購(gòu)置機(jī)器設(shè)備,以及興建苗栗銅鑼科學(xué)園區(qū)新廠。京元電董事長(zhǎng)李金恭對(duì)明年景氣看法樂(lè)觀,庫(kù)
“中國(guó)芯”企業(yè)成長(zhǎng)十年有余,也催生了一批芯片/晶圓片(wafer)測(cè)試企業(yè)。例如上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司,2001年初創(chuàng)時(shí)期,國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)鏈還不夠完善,很多初創(chuàng)和成長(zhǎng)中的設(shè)計(jì)公司沒(méi)有能力解決測(cè)試問(wèn)題,尤其
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星宣布與 ARM 簽署了一項(xiàng)與 14nm FinFET 工藝技術(shù)和 IP 庫(kù)相關(guān)的合作協(xié)議,并且還成功研發(fā)了一些基于 14nm FinFET 工藝的測(cè)試處理器芯片。 三星稱 14nm FinFET 技術(shù)是未來(lái)發(fā)展的方向, 未來(lái)的
“中國(guó)芯”企業(yè)成長(zhǎng)十年有余,也催生了一批芯片/晶圓片(wafer)測(cè)試企業(yè)。例如上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司,2001年初創(chuàng)時(shí)期,國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)鏈還不夠完善,很多初創(chuàng)和成長(zhǎng)中的設(shè)計(jì)公司沒(méi)有能力解決測(cè)試問(wèn)題,尤其
京元電(2449)公布11月自結(jié)營(yíng)收,由于計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子應(yīng)用芯片測(cè)試量,受客戶調(diào)節(jié)庫(kù)存影響相對(duì)偏弱,但是移動(dòng)通信應(yīng)用業(yè)務(wù)相對(duì)有撐,該月?tīng)I(yíng)收達(dá)11.03億元,月減4.32%,年增18.3%。 京元電11月?tīng)I(yíng)收為11.03億元,較去
配合TD-LTE擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)而進(jìn)行的首次TD-LTE終端招標(biāo)結(jié)果日前出爐,面向16家企業(yè)進(jìn)行包括手機(jī)在內(nèi)的3萬(wàn)多部終端的采購(gòu),即日起面向內(nèi)部專業(yè)用戶發(fā)放。但除了平板電腦尚未符合中國(guó)移動(dòng)的TD-LTE終端采購(gòu)標(biāo)準(zhǔn)而未入選首批
前言近年來(lái),數(shù)據(jù)的大規(guī)模傳輸要求變得越來(lái)越普及。擔(dān)任這些大量數(shù)據(jù)處理芯片的標(biāo)準(zhǔn)接口(Interface)基本上都采用的是高速差分串行傳輸方式。高速串行數(shù)據(jù)傳送方式有以下的一些特征:● 數(shù)Gbps的傳送數(shù)率● 由于是高速
IC測(cè)試廠京元電(2449)今年第3季營(yíng)收達(dá)35.53億元,較第2季成長(zhǎng)13.5%,由于第3季產(chǎn)能利用率達(dá)65%,優(yōu)于第2季的60%,將有助于第3季毛利率優(yōu)于第2季的27.9%,法人甚至看好能突破30%的關(guān)卡。 展望第4季,京元電受
前言近年來(lái),數(shù)據(jù)的大規(guī)模傳輸要求變得越來(lái)越普及。擔(dān)任這些大量數(shù)據(jù)處理芯片的標(biāo)準(zhǔn)接口(Interface)基本上都采用的是高速差分串行傳輸方式。高速串行數(shù)據(jù)傳送方式有以下的一些特征:● 數(shù)Gbps的傳送數(shù)率● 由于是高速
微波測(cè)量就是利用測(cè)量?jī)x器對(duì)微波進(jìn)行定量實(shí)驗(yàn)的方法。在微波元件、器件和微波設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中,有許多環(huán)節(jié)需要微波測(cè)量對(duì)其零部件、半成品和成品進(jìn)行檢驗(yàn),在設(shè)計(jì)時(shí)也需要利用微波測(cè)量獲得必要的數(shù)據(jù)。微波測(cè)量所需
6月20日消息,中芯國(guó)際(0.255,-0.00,-1.92%,實(shí)時(shí)行情)和燦芯半導(dǎo)體宣布,采用中芯國(guó)際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測(cè)試結(jié)果達(dá)到1.3GHz。該測(cè)試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計(jì),采用中芯國(guó)
6月20日消息,中芯國(guó)際和燦芯半導(dǎo)體宣布,采用中芯國(guó)際40納米低漏電工藝的ARMCortex-A9MPCore雙核芯片測(cè)試結(jié)果達(dá)到1.3GHz。該測(cè)試芯片基于ARMCortex-A9雙核處理器設(shè)計(jì),采用中芯國(guó)際的40納米低漏電工藝。處理器包括一
6月20日消息,中芯國(guó)際和燦芯半導(dǎo)體宣布,采用中芯國(guó)際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測(cè)試結(jié)果達(dá)到1.3GHz。 該測(cè)試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計(jì),采用中芯國(guó)際的40納米低漏電工藝。處理
芯片測(cè)試原理討論在芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中芯片測(cè)試的基本原理,一共分為四章,下面將要介紹的是最后一章。第一章介紹了芯片測(cè)試的基本原理,第二章介紹了這些基本原理在存儲(chǔ)器和邏輯芯片的測(cè)試中的應(yīng)用,第三章介紹了
芯片測(cè)試原理討論在芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中芯片測(cè)試的基本原理,一共分為四章,下面將要介紹的是最后一章。第一章介紹了芯片測(cè)試的基本原理,第二章介紹了這些基本原理在存儲(chǔ)器和邏輯芯片的測(cè)試中的應(yīng)用,第三章介紹了
多總線IC設(shè)計(jì)的迅速涌現(xiàn)將使測(cè)試過(guò)程更為復(fù)雜,對(duì)于基于多時(shí)鐘域和高速總線的復(fù)雜IC設(shè)計(jì),傳統(tǒng)的ATE方法缺乏必要的多域支持和足夠的性能以確保快速的 測(cè)試開(kāi)發(fā)和高效能。本文提出在測(cè)試復(fù)雜的多域IC過(guò)程中,可以使用
前言近年來(lái),數(shù)據(jù)的大規(guī)模傳輸要求變得越來(lái)越普及。擔(dān)任這些大量數(shù)據(jù)處理芯片的標(biāo)準(zhǔn)接口(Interface)基本上都采用的是高速差分串行傳輸方式。高速串行數(shù)據(jù)傳送方式有以下的一些特征:● 數(shù)Gbps的傳送數(shù)率● 由于是高
前言近年來(lái),數(shù)據(jù)的大規(guī)模傳輸要求變得越來(lái)越普及。擔(dān)任這些大量數(shù)據(jù)處理芯片的標(biāo)準(zhǔn)接口(Interface)基本上都采用的是高速差分串行傳輸方式。高速串行數(shù)據(jù)傳送方式有以下的一些特征:● 數(shù)Gbps的傳送數(shù)率● 由于是高
性能強(qiáng)勁 英特爾Medfield芯片測(cè)試得分超ARM
測(cè)試大廠京元電子(2449)董事長(zhǎng)李金恭昨(27)日表示,明年全球經(jīng)濟(jì)最大的變量,在于明年2月將大量到期的歐債,歐債能否獲得解決,將影響明年全球經(jīng)濟(jì),但最近也有好消息,如美國(guó)黑色星期五及歐美這次的圣誕節(jié),電子