0 引言 在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天,電能表中存儲器的選擇也是多種多樣,存儲器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測量精度。目前應用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種
耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下,而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。耶魯大學和SRC的研究
介紹非易失性鐵電存儲器FM25H20的性能特點,內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理;給出單片機與FM25H20的寫操作接口電路圖,以及FM25I-t20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬度用于計算機系統(tǒng)時使用FM25H20的方法.從而實現(xiàn)大容量存儲系統(tǒng)的擴展。
在單片機應用和智能儀器中,存儲器已成為不可或缺的一部分,包括系統(tǒng)工作時存儲臨時性數(shù)據(jù)的RAM,以及永久性存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。RAM簡單易用,存儲速度快,但掉電數(shù)據(jù)易丟失;而非易失性存儲器盡管能夠長期保存數(shù)據(jù),但存儲速度慢,寫入功耗高,而且讀寫次數(shù)受限。采用鐵電存儲器(FRAM)可解決上述問題。這種存儲器的核心是鐵電晶體材料具有RAM快速讀寫的優(yōu)點,同時也具有非易失性存儲器永久存儲數(shù)據(jù)的特點?;谏鲜鎏攸c,介紹一種FRAM FM3116在復費率電能表中的應用設計。
世強電訊與瑞創(chuàng)國際公司(RamtronInternational Corporation)日前正式簽署了分銷合作協(xié)議,Ramtron國際公司授權(quán)世強在中國內(nèi)地和香港地區(qū)鐵電存儲器產(chǎn)品的分銷權(quán)。 Ramtron公司成立于1984年,總部設在美國
本文主要介紹了鐵電存儲器FM20L08的原理及應用。該存儲器不僅克服了EEPROM和Flash存儲器寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點,而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護功能,1MB的存儲容量足以替代靜態(tài)隨機存儲器。
Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。
Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。
文章主要介紹了FM31256的基本功能、原理,并結(jié)合實例給出了其在電磁鑄軋電源控制裝置中的具體應用方法。
汽車行駛狀況的記錄對分析、鑒定道路交通事故、提高交通管理執(zhí)法水平和運輸管理水平、保障車輛運行安全具有重要作用。
中國電子產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷20年的飛速發(fā)展后,作為帶給產(chǎn)業(yè)最新元器件及半導體技術(shù)的忠實伙伴,分銷商在促進中國電子業(yè)中所起的作用已是舉足輕重。隨著他們在供應鏈中的價值逐步增長以及行業(yè)競爭加劇,越來越多的本土電子元
FM3808是Ramtrom公司生產(chǎn)的新型超低功耗非易失鐵電存儲器,該器件可支持對存儲區(qū)的高速讀寫,并可進行近乎無限次的寫入。
FM3808是Ramtrom公司生產(chǎn)的新型超低功耗非易失鐵電存儲器,該器件可支持對存儲區(qū)的高速讀寫,并可進行近乎無限次的寫入。
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理,詳細分析其讀寫操作過程及時序