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打破國外壟斷！新型國產(chǎn)存儲芯片發(fā)布
業(yè)內(nèi)消息，上周國內(nèi)DRAM芯片廠商長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，并成功完成了與小米、傳音等國產(chǎn)手機(jī)品牌機(jī)型的上機(jī)驗證。包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片以及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
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長鑫存儲發(fā)布多款國產(chǎn)LPDDR5產(chǎn)品：已在小米手機(jī)上完成驗證
11月29日消息，日前，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
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長鑫存儲試產(chǎn)17nm DRR5芯片，就在本年第二季度
3月22日消息，據(jù)臺灣媒體報道，國產(chǎn)DRAM芯片廠商合肥長鑫存儲將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片，并尋求擴(kuò)大產(chǎn)能。報道稱，目前合肥長鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%，預(yù)計在今年二季度試產(chǎn)，出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低，不過長鑫存儲將會在接下來的時間里持續(xù)改進(jìn)良率。根據(jù)此前長鑫存儲公布的路線圖也顯示，長鑫存儲目前正計劃推出17nm DDR5/LPDDR5，后續(xù)還將推出10nm制程的產(chǎn)品。
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逾19億元！長鑫存儲DRAM產(chǎn)品迎兆易創(chuàng)新大訂單
兆易創(chuàng)新2021年將向長鑫存儲、長鑫存儲（香港）采購DRAM產(chǎn)品額度為3億美元（19億人民幣），與長鑫存儲產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作額度3,000萬元人民幣。
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國產(chǎn)內(nèi)存高光！威剛?cè)鎸?dǎo)入長鑫DDR4顆粒
今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造。 就在
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發(fā)力DRAM！合肥長鑫存儲與美國半導(dǎo)體公司簽署專利許可協(xié)議
5月4日消息 據(jù)合肥市人民政府官方微信公眾號援引安徽日報消息，合肥長鑫存儲技術(shù)有限公司已同美國半導(dǎo)體公司藍(lán)鉑世簽署專利許可協(xié)議，前者將獲得大量動態(tài)隨機(jī)存取存儲（DRAM）技術(shù)專利的實施許可。 據(jù)悉，
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長鑫存儲已經(jīng)開始生產(chǎn)19nm計算機(jī)存儲器
據(jù)AnandTech報道，長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計算機(jī)存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產(chǎn)各種類型的動態(tài)隨機(jī)存儲器
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長鑫存儲：收獲大量原奇夢達(dá)內(nèi)存專利
長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris In
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長鑫存儲和WiLAN子公司達(dá)成專利許可和采購協(xié)議
長鑫存儲技術(shù)有限公司與 Quarterhill Inc.(多倫多證券交易所代碼 QTRH)(納斯達(dá)克代碼 QTRH)旗下的 Wi-LAN Inc. 今日聯(lián)合宣布，就原動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片(DRAM)制
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長鑫存儲：收獲大量原奇夢達(dá)內(nèi)存專利
長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
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已到10nm級別，長鑫存儲談未來DRAM技術(shù)之路
在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講。平爾萱博士表示，隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強(qiáng)，因此需要更
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長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破
在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。
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長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破
在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正
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長鑫存儲亮相GSA存儲峰會 有什么技術(shù)呢？
2019年5月15日，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明先生在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上，發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，闡述新時代下中國存儲器市場的巨大需求和發(fā)展機(jī)遇。去年長鑫8GB LPDDR4的投片，率先嘗試“從0到1”的突破，推動中國存儲器廠邁出了重要的一步。
