3nm工藝

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臺(tái)積電3nm工藝細(xì)節(jié)來了，發(fā)了兩篇論文

2023年1月消息，據(jù)Semiwiki報(bào)道，臺(tái)積電在 2022 年 IEDM 上發(fā)表了兩篇關(guān)于 3nm 的論文：“關(guān)鍵工藝特性可實(shí)現(xiàn)3nm CMOS及更高技術(shù)的激進(jìn)接觸柵極間距縮放”和“3nm CMOS FinFlex為移動(dòng)SOC和高性能計(jì)算應(yīng)用提供增強(qiáng)的能效和性能的平臺(tái)技術(shù)”。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2023-01-19

臺(tái)積電 3nm 3nm工藝
三星3nm技術(shù)有新突破，是否還能挽救高通的頹勢(shì)？

7 月 7 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子 6 月 30 日在官網(wǎng)宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝，已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，先于臺(tái)積電采用 3nm 工藝代工晶圓。

模擬技術(shù)
2022-07-13

三星電子 3nm工藝
臺(tái)積電3nm工藝風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)時(shí)間確定：計(jì)劃明年

7月30日，據(jù)報(bào)道，在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步的工藝重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝，這一工藝有望先于他們的預(yù)期大規(guī)模量產(chǎn)。

模擬技術(shù)
2020-07-31

臺(tái)積電 3nm工藝
3nm工藝風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn) 晶體管密度提升70%，臺(tái)積電來了

臺(tái)積電一直是芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的龍頭老大，臺(tái)積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，今年要量產(chǎn)5nm工藝了，已經(jīng)被華為、蘋果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能，現(xiàn)在3nm工藝也定了，官方宣布2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，2020年下半年正式量產(chǎn)。

嵌入式分享
2020-07-18

晶體管臺(tái)積電 3nm工藝
臺(tái)積電預(yù)研發(fā)3nm工藝，擴(kuò)招8000名員工

日前根據(jù)Tom's Hardware的報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃為一個(gè)新的研發(fā)中心增加8000個(gè)工作崗位，該中心預(yù)計(jì)將于2020年底建成，將致力于3nm制程技術(shù)的研發(fā)。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電執(zhí)行董事長(zhǎng)周

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-11-04

行業(yè)資訊臺(tái)積電 3nm工藝
臺(tái)積電制程工藝?yán)^續(xù)領(lǐng)先，3nm廠通過環(huán)境評(píng)測(cè)！

近日，臺(tái)灣主管環(huán)境的部門宣布，臺(tái)積電的3nm工廠正式通過了當(dāng)?shù)氐沫h(huán)境評(píng)測(cè)，而這也標(biāo)志著這項(xiàng)投資規(guī)模200億的項(xiàng)目進(jìn)入到了一個(gè)新階段。

單片機(jī)
2018-12-25

三星臺(tái)積電 3nm工藝
三星的野心！2020年要量產(chǎn)3nm工藝！

持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價(jià)今年10月份就結(jié)束了，遭受漲價(jià)之苦的下游廠商及消費(fèi)者總算可以舒口氣了，花旗集團(tuán)日前給出的預(yù)測(cè)是明年DRAM內(nèi)存至少會(huì)降價(jià)30%。對(duì)于DRAM廠商來說，內(nèi)存降價(jià)是他們極不

充電吧
2018-12-24

三星晶圓 dram內(nèi)存 3nm工藝
精益求精！intel 400人團(tuán)隊(duì)沖擊人類極限，挑戰(zhàn)3nm工藝

從Intel給出的路線圖看，5nm、3nm還處于前沿研究階段，具體如何實(shí)現(xiàn)尚未定型，量產(chǎn)更不知何年何月，但無論如何，這意味著Intel對(duì)于硅半導(dǎo)體技術(shù)的追求將堅(jiān)定地走下去。

消費(fèi)電子
2017-09-20

Intel 硅半導(dǎo)體技術(shù) 3nm工藝
TSMC的5nm工藝預(yù)計(jì)在2019年試產(chǎn)，已著手3nm工藝研發(fā)

對(duì)TSMC臺(tái)積電來說，他們的工藝之前確實(shí)落后Intel一兩代，但在10nm節(jié)點(diǎn)開始彎道超車，未來的工藝發(fā)展速度更是(官方宣傳中)超過了Intel，2018年打算量產(chǎn)7nm，而2019年則會(huì)試產(chǎn)5nm工藝，現(xiàn)在也著手研發(fā)更先進(jìn)的3nm工藝了。

充電吧
2017-02-24

tsmc 新鮮事 5nm工藝 3nm工藝

3nm工藝

臺(tái)積電3nm工藝細(xì)節(jié)來了，發(fā)了兩篇論文

三星3nm技術(shù)有新突破，是否還能挽救高通的頹勢(shì)？

臺(tái)積電3nm工藝風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)時(shí)間確定：計(jì)劃明年

3nm工藝風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn) 晶體管密度提升70%，臺(tái)積電來了

臺(tái)積電預(yù)研發(fā)3nm工藝，擴(kuò)招8000名員工

臺(tái)積電制程工藝?yán)^續(xù)領(lǐng)先，3nm廠通過環(huán)境評(píng)測(cè)！

三星的野心！2020年要量產(chǎn)3nm工藝！

精益求精！intel 400人團(tuán)隊(duì)沖擊人類極限，挑戰(zhàn)3nm工藝

TSMC的5nm工藝預(yù)計(jì)在2019年試產(chǎn)，已著手3nm工藝研發(fā)

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