2023年1月消息,據(jù)Semiwiki報道,臺積電在 2022 年 IEDM 上發(fā)表了兩篇關(guān)于 3nm 的論文:“關(guān)鍵工藝特性可實現(xiàn)3nm CMOS及更高技術(shù)的激進接觸柵極間距縮放”和“3nm CMOS FinFlex為移動SOC和高性能計算應(yīng)用提供增強的能效和性能的平臺技術(shù)”。
7 月 7 日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子 6 月 30 日在官網(wǎng)宣布,他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝,已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片,先于臺積電采用 3nm 工藝代工晶圓。
7月30日,據(jù)報道,在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后,臺積電下一步的工藝重點就將是更先進的3nm工藝,這一工藝有望先于他們的預(yù)期大規(guī)模量產(chǎn)。
臺積電一直是芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的龍頭老大,臺積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝,今年要量產(chǎn)5nm工藝了,已經(jīng)被華為、蘋果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能,現(xiàn)在3nm工藝也定了,官方宣布2021年風(fēng)險量產(chǎn),2020年下半年正式量產(chǎn)。
日前根據(jù)Tom's Hardware的報道,臺積電計劃為一個新的研發(fā)中心增加8000個工作崗位,該中心預(yù)計將于2020年底建成,將致力于3nm制程技術(shù)的研發(fā)。據(jù)報道,臺積電執(zhí)行董事長周
近日,臺灣主管環(huán)境的部門宣布,臺積電的3nm工廠正式通過了當(dāng)?shù)氐沫h(huán)境評測,而這也標(biāo)志著這項投資規(guī)模200億的項目進入到了一個新階段。
持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價今年10月份就結(jié)束了,遭受漲價之苦的下游廠商及消費者總算可以舒口氣了,花旗集團日前給出的預(yù)測是明年DRAM內(nèi)存至少會降價30%。對于DRAM廠商來說,內(nèi)存降價是他們極不
從Intel給出的路線圖看,5nm、3nm還處于前沿研究階段,具體如何實現(xiàn)尚未定型,量產(chǎn)更不知何年何月,但無論如何,這意味著Intel對于硅半導(dǎo)體技術(shù)的追求將堅定地走下去。
對TSMC臺積電來說,他們的工藝之前確實落后Intel一兩代,但在10nm節(jié)點開始彎道超車,未來的工藝發(fā)展速度更是(官方宣傳中)超過了Intel,2018年打算量產(chǎn)7nm,而2019年則會試產(chǎn)5nm工藝,現(xiàn)在也著手研發(fā)更先進的3nm工藝了。