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矽典微發(fā)布新一代智能毫米波傳感器，微耗遠(yuǎn)探拓展無(wú)限潛能！
2023年7月11日，矽典微發(fā)布新一代智能毫米波傳感器SoC ICL1112、ICL1122兩款芯片。提升了超低功耗檢測(cè)和極遠(yuǎn)探測(cè)能力，精準(zhǔn)檢測(cè)的同時(shí)易于安裝。兼顧室內(nèi)場(chǎng)景的人體生命存在感應(yīng)，及室外場(chǎng)景的遠(yuǎn)距離測(cè)速測(cè)距場(chǎng)景。為感知層智能硬件廠商帶來(lái)突破邊界限制的能力，拓展產(chǎn)品應(yīng)用空間。
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傲科光電：新一代收發(fā)芯片實(shí)現(xiàn)批量交付，打破壟斷開啟增長(zhǎng)新曲線
近年來(lái)，光互連技術(shù)突飛猛進(jìn)，在數(shù)據(jù)通信、數(shù)據(jù)中心、5G無(wú)線承載網(wǎng)、核心光網(wǎng)絡(luò)乃至車載領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，進(jìn)一步成為技術(shù)產(chǎn)業(yè)化蓬勃發(fā)展的增長(zhǎng)核心，各大廠商，投資方紛紛涌入。如火如荼的風(fēng)云變幻，使整個(gè)行業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放、百家爭(zhēng)鳴的繁榮景象。
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自動(dòng)駕駛感知環(huán)節(jié)面臨哪些挑戰(zhàn)？
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們?cè)谧詣?dòng)駕駛感知-規(guī)劃-執(zhí)行的效果鏈中，感知是整個(gè)過(guò)程的源頭。隨著自動(dòng)駕駛級(jí)別的提升，駕駛員逐漸從“脫腳”到“脫手”到“脫眼”，直至車輛實(shí)現(xiàn)完全的自動(dòng)駕駛，對(duì)于感知系統(tǒng)的要求呈指數(shù)級(jí)的上升。說(shuō)到感知層，不得不提到各類傳感器的迭代發(fā)展，從簡(jiǎn)單裝配超聲波雷達(dá)到攝像頭，...
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車載用、工作溫度125°C、帶電流監(jiān)視功能、36 V輸入、300 mA的高側(cè)開關(guān) S-19682B系列
本IC是采用CMOS工藝技術(shù)開發(fā)的備有電流監(jiān)視功能的高側(cè)開關(guān)。
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醫(yī)療IC設(shè)計(jì)工藝:雙極性與CMOS
可植入、可消化、可互動(dòng)、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來(lái)獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對(duì)醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bipolar）與CMOS工藝進(jìn)行比較，并
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CMOS工藝或?qū)⒈蝗〈坑⑻貭栭_發(fā)MESO邏輯器件，功耗降10倍！
近日，英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運(yùn)行速度也是CMOS工藝的5倍。
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2．5 Gb/s 0．35μmCMOS光接收機(jī)前置放大器設(shè)計(jì)
近年來(lái)，隨著社會(huì)信息化程度不斷提高，信息交換量呈爆炸性增長(zhǎng)，光纖通信干線系統(tǒng)以其高速、大容量的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于電信網(wǎng)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)。2．5 Gb/s超高速光纖通信系統(tǒng)已經(jīng)
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EUV技術(shù)量產(chǎn)已進(jìn)入最后沖刺階段
隨著工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)到單納米尺寸，研究人員開始將缺陷歸因于為小細(xì)節(jié);舉例來(lái)說(shuō)，一次EUV曝光中的光子數(shù)量，會(huì)影響化學(xué)放大光阻劑(chemically amplified resists)，而其他種類的光阻劑性能也會(huì)因?yàn)樗度氲慕饘俜肿佣ㄏ?orientation)而有所變化。
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一種模擬除法器的設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證CMOS工藝
本文設(shè)計(jì)了一種模擬除法器，在分析討論其工作原理的基礎(chǔ)上，采用CSMC0.5umCMOS工藝，對(duì)電路進(jìn)行了Cadence Spectre 模擬仿真，仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析。1 電路的設(shè)計(jì)與分析圖1 CCII 電路結(jié)構(gòu)模擬除法器由單電源+5V供
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一種模擬除法器的設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證CMOS工藝
本文設(shè)計(jì)了一種模擬除法器，在分析討論其工作原理的基礎(chǔ)上，采用CSMC0.5umCMOS工藝，對(duì)電路進(jìn)行了Cadence Spectre 模擬仿真，仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析。1 電路的設(shè)計(jì)與分析圖1 CCII 電路結(jié)構(gòu)模擬除法器由單電源+5V供
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旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù)
【導(dǎo)讀】旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù) 從事多項(xiàng)目晶圓管理的聯(lián)合體—電路多項(xiàng)目(Circuits Multi Projets， CMP)公司(位于法國(guó)格勒諾布爾)—已經(jīng)從ST微電子公司引入了45nm CMOS工藝。通過(guò)
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標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
隨著射頻無(wú)線通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設(shè)計(jì)方案越來(lái)越受到人們的親睞。肖特基勢(shì)壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數(shù)載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的基礎(chǔ)上，提出的集成肖特基二極管設(shè)計(jì)方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實(shí)現(xiàn)。
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芯科打造全新CMOS工藝的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
Silicon Labs (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)日前宣布推出業(yè)界首款基于CMOS工藝的數(shù)字解決方案，可直接替換光電耦合隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(簡(jiǎn)稱光電耦合驅(qū)動(dòng)器)。新型Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)5kV隔離等級(jí)和10kV浪涌保護(hù)，其
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IIC-China 2013：基于CMOS工藝具成本效益的溫濕度傳感器解決方案
一方面環(huán)境問(wèn)題逐漸受到政府和普通民眾的普遍關(guān)注，一方面工業(yè)生產(chǎn)和精密制造也更關(guān)心周邊環(huán)境變化對(duì)產(chǎn)品的影響，使得溫濕度環(huán)境傳感器在工業(yè)、醫(yī)療、物流、氣象等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。而且溫濕度傳感器也有望在今年導(dǎo)
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中科院微電子所22納米 CMOS工藝研發(fā)取得突破
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)的高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能表現(xiàn)良好。22 納
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安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的CMOS工藝專知和技術(shù)制造出突破性的天文圖像傳感器
與Teledyne Imaging Sensors合作， 締結(jié)出用于天文研究的下一代紅外傳感器2012年11月28日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)與Teledyne Imaging Sensors合作，制造出用
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華潤(rùn)上華SOI工藝技術(shù)填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)空白
華潤(rùn)微電子有限公司附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，華潤(rùn)上華在2010年實(shí)
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華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
華潤(rùn)微電子有限公司（“華潤(rùn)微電子”）附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（“華潤(rùn)上華”）近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集
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基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計(jì)
本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510
1 概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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