在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,電源系統(tǒng)的效率和可靠性是衡量其性能的重要指標。隨著科技的不斷進步,各種高效、高可靠性的電源設(shè)計方案層出不窮。其中,半橋諧振LLC拓撲與CoolMOS開關(guān)管的結(jié)合,憑借其獨特的優(yōu)勢,成為了提升電源效率和可靠性的黃金搭檔。本文將深入探討這一組合的工作原理、優(yōu)勢以及在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
【2020年3月3日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
智能電表是智能電網(wǎng)的智能終端,除了具備傳統(tǒng)電能表基本用電量的計量功能以外,為了適應(yīng)智能電網(wǎng)和新能源的使用它還具有用電信息存儲、雙向多種費率計量功能、用戶端控制功
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET無管腳SMD(表面貼裝)封裝:ThinPAK 5x6。移動設(shè)備充電器、超高清電視和LED燈具都必須滿足許多相互矛盾的要求。消費
背景:智能電表是智能電網(wǎng)的智能終端,除了具備傳統(tǒng)電能表基本用電量的計量功能以外,為了適應(yīng)智能電網(wǎng)和新能源的使用它還具有用電信息存儲、雙向多種費率計量功能、用戶端控制功能、多種數(shù)據(jù)傳輸模式的雙向數(shù)據(jù)通信
近年來,世界各國均發(fā)展智能電網(wǎng),智能電表在這應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用,可以使用戶與電力系統(tǒng)之間實現(xiàn)互動,如一方面幫助電力機構(gòu)精確了解用戶的用電規(guī)律,為高峰用電或低谷用電設(shè)定差異化的電價;另一方面,用戶也可以調(diào)整自己的用電計劃,節(jié)省電費支出。一款基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案,針對輸入寬電壓及負載調(diào)整率方面做了相應(yīng)的介紹。
21ic訊 英飛凌科技股份公司進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另
英飛凌科技股份公司進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外,得
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于這項新技術(shù)的生
近來, LLC拓撲以其高效,高功率密度受到廣大電源設(shè)計工程師的青睞,但是這種軟開關(guān)拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓撲。特別是在電源啟機,動態(tài)負載,過載,短路等情況下。Infineon CoolMOS CFD2系列
近日英飛凌科技(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全新650V CoolMOS? CFDA,壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案,可滿足最高汽車質(zhì)量認證標準AEC-Q101。650V CoolMO
21ic訊 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項創(chuàng)新,設(shè)立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2,它是世
21ic訊 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項創(chuàng)新,設(shè)立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上,英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2,它是世
2011年1月19日,英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu),使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功
英飛凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?;?/p>
英飛凌科技(Infineon Technologies)日前在一場媒體記者會上與臺灣業(yè)界分享了該公司最新能源效率及節(jié)能技術(shù)趨勢,會中針對日益受到重視的節(jié)能議題及技術(shù)發(fā)展作了詳盡的報告,并透過介紹英飛凌最新一代CoolMOS C6系列及
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
美國飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)在美國對英飛凌(Infineon)提起訴訟,控告這家德國公司的CoolMOS和OptiMOS電源管理器件,以及Infineon IGBT和CanPak侵犯了飛兆半導(dǎo)體的專利。 飛兆半導(dǎo)體的副總裁兼總經(jīng)理J