高速電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,關(guān)于布線有一種幾乎是公理的認(rèn)識,即“等長”走線,認(rèn)為走線只要等長就一定滿足時(shí)序需求,就不會存在時(shí)序問題。本文對常用高速器件的互連時(shí)序建立模型,并給出一般性的時(shí)序分析公式。為
射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v a&d) 近日宣布,將延長世界領(lǐng)先高級存儲解決方案供應(yīng)商之一 Micron Techno
DRAM (動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
關(guān)于程序的執(zhí)行,以前想的不多,沒有意識到一個程序在運(yùn)行時(shí),從哪里讀指令,數(shù)據(jù)又寫在哪里。從單片機(jī)上知道,在上電的那一刻,MCU的程序指針PC會被初始化為上電復(fù)位時(shí)的地址,從哪個地址處讀取將要執(zhí)行的指令,由此
在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中, 一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了,而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級。為此,傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)
DDR內(nèi)存供電電路
【導(dǎo)讀】封測:京元電羽翼已豐,漸成硅品對手 自半導(dǎo)體市場景氣于2001年跌落谷底而后翻揚(yáng)后,封測產(chǎn)業(yè)大者恒大趨勢更為明顯,硅品為了與日月光、艾克爾、新科金朋(STATS-ChipPAC)等進(jìn)行集團(tuán)式對抗,董事長
【導(dǎo)讀】供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當(dāng)紅 受惠于國際大廠如三星、海力士等將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND FLASH,DRAM產(chǎn)業(yè)今年供給吃緊,報(bào)價(jià)維持高檔,不像過去明顯受到PC淡季效應(yīng)影響,加上第 4季PC傳統(tǒng)旺季來臨,需求明
【導(dǎo)讀】DRAM供應(yīng)出現(xiàn)短缺,內(nèi)存價(jià)格即將“水漲船高”? 市場調(diào)研公司DRAMeXchange表示,目前由于DRAM市場向90納米工藝過渡,可能對供應(yīng)構(gòu)成壓力,而且這種情況可能持續(xù)到11月份。雖然上周現(xiàn)貨市場的DRAM
【導(dǎo)讀】70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵 為強(qiáng)化競爭力,全球DRAM廠持續(xù)積極朝先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展。有鑒于DDR2世代來臨,今年DRAM廠商競爭淘汰賽,將以90納米技術(shù)為基礎(chǔ)關(guān)卡,70納米為領(lǐng)先關(guān)鍵;今年,包括力晶、茂德
【導(dǎo)讀】三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回 可能流向市場 據(jù)中國臺灣媒體報(bào)道,繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問題后,三星的68納米DRAM日前也曝出問題,導(dǎo)致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。 今年4月,
【導(dǎo)讀】BMW已經(jīng)透露了下一代的內(nèi)置ConnectedDrive導(dǎo)航系統(tǒng),在增強(qiáng)原有的功能之外還為這個平臺增加了更多的功能,首先采用了全新的iDrive Touch 方向把,和支持多點(diǎn)觸控可瀏覽網(wǎng)頁和地圖導(dǎo)航的多功能面板,而且能夠
【導(dǎo)讀】科技正在發(fā)生著跨時(shí)代的變革。為了應(yīng)對新數(shù)字世界所面臨的挑戰(zhàn),日圖科技有限公司中國合作伙伴美國泰克為電子測量測試行業(yè)中從事研發(fā)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、調(diào)試的工程師們推出了一系列的全新測試產(chǎn)品平臺及完善的解決
據(jù)iSuppli公司,雙倍數(shù)據(jù)率(DDR2)DRAM將迅速占領(lǐng)手機(jī)市場,這種新一代DRAM預(yù)計(jì)將取代傳統(tǒng)DDR,在2011年以前成為主流移動DRAM技術(shù)。在2010年總體移動DRAM出貨量中,預(yù)計(jì)約有
超高速(SuperSpeed) USB芯片系統(tǒng)方案供貨商Symwave(芯微科技)以及閃存存儲方案和DRAM模塊制造商Super Talent科技公司共同宣布,兩家公司將在2010年1月7-10日于拉斯韋加斯舉
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單
轉(zhuǎn)自臺灣新電子的消息,微芯(Microchip)發(fā)表新一代4Kb內(nèi)部整合電路(I2C)串列式存在偵測(Serial Presence Detect, SPD)電子式可清除程式化唯讀記憶體(EEPROM)元件34AA04。新元件適用于高速個人電腦(PC)和筆記本電腦中
引 言嵌入式DDR(Double Data Rate,雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計(jì)是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強(qiáng)大,實(shí)現(xiàn)的功能越來越多,系統(tǒng)的工
中證網(wǎng)訊北京君正(28.950,-0.41,-1.40%)(300223)4月14日晚間公告,公司于近日取得5 項(xiàng)由中華人民共和國國家版權(quán)局頒發(fā)的計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)登記證書。軟件名稱分別是“嵌入式CPU 自動化系統(tǒng)級測試的實(shí)現(xiàn)軟件V1.0”
文章提出一種基于Actel 公司RTAX – S 系列耐輻射反熔絲FPGA 實(shí)現(xiàn)的高速DDR 輸出電路的設(shè)計(jì)方法。通過Modelsim 對其進(jìn)行了布局布線仿真分析和驗(yàn)證,驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方法合理、可行,有助于反熔絲FPGA 后續(xù)星載應(yīng)用。