DDR

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GDDR6顯存啟動(dòng) 2014年到來(lái)

GDDR5顯存已經(jīng)成為中高端獨(dú)立顯卡的標(biāo)配，頻率也在不斷拔高，現(xiàn)在動(dòng)不動(dòng)就上6GHz。很自然地你也應(yīng)該能想到，下一代GDDR6悄然已經(jīng)啟動(dòng)了。GDDR6的標(biāo)準(zhǔn)制定工作由JEDEC負(fù)責(zé)，而其中占據(jù)主導(dǎo)地位的還是AMD。事實(shí)上，GDD

智能硬件
2012-06-25

DDR 顯存 AMD DDR4
SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

嵌入式軟件
2012-06-23

計(jì)數(shù)器 SRAM DDR
便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達(dá)到JEDEC(電子器件工程設(shè)計(jì)聯(lián)合會(huì))的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范(JESD79E)，對(duì)DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴(yán)格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個(gè)給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個(gè)

線性電源
2012-06-09

內(nèi)存便攜設(shè)備電源解決方案 DDR
便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達(dá)到JEDEC(電子器件工程設(shè)計(jì)聯(lián)合會(huì))的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范(JESD79E)，對(duì)DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴(yán)格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個(gè)給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個(gè)

功率器件
2012-06-09

內(nèi)存便攜設(shè)備電源解決方案 DDR
三星Hynix擴(kuò)容LPDDR內(nèi)存產(chǎn)能

三星電子和Hynix半導(dǎo)體都采用30nm技術(shù)，積極擴(kuò)容生LPDDR2 DRAM芯片，同時(shí)已經(jīng)拿出LPDDR3樣品，并且將于2012年下半年批量生產(chǎn)。兩個(gè)廠商都在摩拳擦掌，以滿足云計(jì)算應(yīng)用對(duì)LPDDR系列內(nèi)存需求。與此同時(shí)，美光科技公司的

智能硬件
2012-05-30

三星內(nèi)存 PD DDR
采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-05-28

Xilinx FPGA SDRAM DDR
三星傳將中止GDDR5顯存生產(chǎn)

們獲悉，有傳聞表示，顯存生產(chǎn)大戶韓國(guó)三星電子有可能中止顯存業(yè)務(wù)，停止生產(chǎn)顯卡用顯存芯片，這意味著GDDR5顯存少了一家供貨商。如果傳聞成真，那么NVIDIA、AMD和Intel以及其它一些使用GDD5芯片的廠商，都會(huì)心急如焚

智能硬件
2012-05-25

三星顯卡 DDR 顯存
三星將采用20nm工藝制造4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒

繼去年采用30nm制程生產(chǎn)目前存儲(chǔ)密度最高的4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒之后，昨日三星正式宣布該公司開(kāi)始使用最新的20nm制程工藝制造這一產(chǎn)品。新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒更?。核念w粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPD

智能硬件
2012-05-21

三星內(nèi)存 PD DDR
減少DDR記憶體驗(yàn)負(fù)載的探測(cè)技術(shù)

DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統(tǒng)的驗(yàn)證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)最具挑戰(zhàn)性且費(fèi)時(shí)的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗(yàn)證這些系統(tǒng)的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測(cè)技術(shù)變成了一個(gè)值得深

測(cè)試測(cè)量
2012-05-14

電路板電容探測(cè)技術(shù) DDR
DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)

測(cè)試測(cè)量
2012-05-04

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 BSP DDR
DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

嵌入式軟件
2012-05-02

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 BSP DDR
DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)

測(cè)試測(cè)量
2012-03-23

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 DDR3 DDR
Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

嵌入式教程
2012-03-19

接口 SDRAM CYCLONE DDR
Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì)

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-03-17

Altera PCI EXPRESS DDR
DDR-1500/DSC-2200在高性能測(cè)試測(cè)量中的應(yīng)用

GE智能平臺(tái)的DDR-1500高性能測(cè)試測(cè)量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強(qiáng)大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能測(cè)試測(cè)量。在測(cè)試測(cè)量過(guò)程中及時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)情況

測(cè)試測(cè)量
2012-03-13

測(cè)試測(cè)量 GE DSC DDR
平臺(tái)ASIC架構(gòu)與傳統(tǒng)ASIC設(shè)計(jì)對(duì)比分析

采用先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，結(jié)構(gòu)化ASIC平臺(tái)可以提供更多經(jīng)預(yù)定義、預(yù)驗(yàn)證和預(yù)擴(kuò)散的金屬層，并支持各種存儲(chǔ)器接口，能簡(jiǎn)化接口設(shè)計(jì)和時(shí)序問(wèn)題。本文詳細(xì)介紹了結(jié)構(gòu)化ASIC平臺(tái)的這些特點(diǎn)和性能。最新的ASIC設(shè)計(jì)架構(gòu)能夠大大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-03-12

金屬 ASIC設(shè)計(jì) BSP DDR
汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中，一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級(jí)。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動(dòng)的串行式設(shè)計(jì)方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計(jì)要

汽車電子
2012-02-12

導(dǎo)航系統(tǒng) 汽車音響 PCB設(shè)計(jì) DDR
基于i.MX51的應(yīng)用處理器開(kāi)發(fā)評(píng)估方案設(shè)計(jì)

基于i.MX51的應(yīng)用處理器開(kāi)發(fā)評(píng)估方案設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-01-17

應(yīng)用處理器 MDASH I.MX DDR
中國(guó)聯(lián)通攜手寶馬共推互聯(lián)駕駛服務(wù)

12月7日，中國(guó)聯(lián)通與寶馬公司在上海舉行新聞發(fā)布會(huì)，宣布將在中國(guó)合作推廣BMW互聯(lián)駕駛（BMW ConnectedDrive）服務(wù)。根據(jù)協(xié)議，中國(guó)聯(lián)通將提供基于2G GSM、3G WCDMA網(wǎng)絡(luò)的移動(dòng)通信、系統(tǒng)集成、呼叫中心、內(nèi)容提供等綜

通信技術(shù)
2011-12-07

中國(guó)聯(lián)通寶馬 CONNECTED DDR
20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用

消費(fèi)電子
2011-12-01

三星內(nèi)存 GB DDR

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DDR

GDDR6顯存啟動(dòng) 2014年到來(lái)

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

三星Hynix擴(kuò)容LPDDR內(nèi)存產(chǎn)能

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三星傳將中止GDDR5顯存生產(chǎn)

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減少DDR記憶體驗(yàn)負(fù)載的探測(cè)技術(shù)

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20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

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