被限制進(jìn)口美國公司的設(shè)備及軟件之后,晉華合作方聯(lián)華電子也宣布將暫停與晉華的技術(shù)合作,原因是臺(tái)灣主管部門依照美方要求限制某些設(shè)備。
美國商務(wù)部稱,福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為,給美國帶來了嚴(yán)重風(fēng)險(xiǎn)(Significant risk),并表示晉華即將完成大幅增產(chǎn)計(jì)劃,其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)產(chǎn)量顯著上升,此舉長遠(yuǎn)威脅到美國DRAM芯片對軍方的供應(yīng)穩(wěn)定性。這是今年繼中興以來,美國政府對中國半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)施的第二例禁售,相比中興,對晉華的指控和制裁顯得尤為無理。
2018年,恰逢中國改革開放40年。 40年前,64Kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)誕生,宣告超大規(guī)模集成電路時(shí)代來臨,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開始研制4Kb DRAM,在次年投入生產(chǎn);40年后,今年第四季度,紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)研發(fā)的64Gb 32層三維閃存芯片(3D NAND Flash)將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),8月份剛剛推出的Xtacking技術(shù)更是給閃存芯片結(jié)構(gòu)帶來了歷史性突破,為全球閃存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展留下了中國企業(yè)濃墨重彩的一筆。
根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo),不論是處理器還是存儲(chǔ)器,現(xiàn)在的半導(dǎo)體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機(jī)。至于采不采用最先進(jìn)的EUV極紫外光光科技術(shù)目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說,以邏輯芯片的處理器產(chǎn)品來看,因?yàn)樵谥瞥坦?jié)點(diǎn)推進(jìn)到7納米制程之后,對EUV技術(shù)的需求就明顯而直接。而且越往下的先進(jìn)制程,未來也就越仰賴EUV技術(shù)。
SK海力士為全球第二大內(nèi)存芯片制造商,其表示7月至9月的營業(yè)利潤同比增長73%至6.5萬億韓元(57億美元)。根據(jù)信息巨頭Refinitiv的數(shù)據(jù),第三季度的實(shí)際收益超出19位分析師的平均預(yù)測——6.3萬億韓元。與去年同期相比,SK海力士銷售額增長41%,創(chuàng)下11.4萬億韓元的歷史新高。
IC設(shè)計(jì)中所使用的EDA工具 俗話說“公欲善其事,必先利其器”。IC設(shè)計(jì)中EDA工具的日臻完善已經(jīng)使工程師完全擺脫了原先手工操作的蒙昧期。IC設(shè)計(jì)向來就是EDA工
10月11日晚間,紫光國微披露,擬將全資子公司西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱西安紫光國芯)100%股權(quán)以約2.2億元人民幣轉(zhuǎn)讓給紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲(chǔ)科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲(chǔ)”)。
根據(jù)此前的報(bào)道,今年三季度以來,內(nèi)存市場價(jià)格已經(jīng)下降一成,而四季度還將在下降,到明年年初,閃存市場還有25%-30%的降幅。受到智能手機(jī)發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響,主要DRAM閃存制造商將會(huì)出現(xiàn)供過于求的情況。
內(nèi)存在2016年之后經(jīng)歷了一波暴漲,在2017年處于高位,其高昂的價(jià)格讓大家苦不堪言,不過今年內(nèi)存的價(jià)格算是跌了一點(diǎn),好歹不那么恐怖了。而根據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)最新的預(yù)測,2019年的內(nèi)存價(jià)格將會(huì)下降15%-20%。
全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢針對2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展,發(fā)布十大科技趨勢:
韓國科技大廠三星日前發(fā)布了第3季財(cái)報(bào),其第3季營收達(dá)154.7億美元,較2017年同期大漲20%以上,創(chuàng)造歷史新高紀(jì)錄。不過,因?yàn)橐苿?dòng)業(yè)務(wù)的業(yè)績下滑,三星第3季的獲利大增主要仍是依賴半導(dǎo)體事業(yè)的加持,其貢獻(xiàn)度超過80%以上。而在市場預(yù)期半導(dǎo)體景氣將反轉(zhuǎn)的情況下,三星為了阻止存儲(chǔ)器價(jià)格下滑將降低2019年的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)三星的整體資本支出將下滑8%之外。其中,在DRAM的投資大砍20%,以維持市場價(jià)格的高水位。
報(bào)道進(jìn)一步指出,三星2019年針對存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
日前有韓國媒體《Business Korea》分析,SK海力士這間M15工廠落成后,可借由擴(kuò)大生產(chǎn)來縮小市場差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財(cái)報(bào)中顯示,DRAM占80%的銷量,NAND Flash則僅占18%,和三星電子60:40的比重來比,SK海力士對DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來減少對DRAM的依賴。
我們知道,近年來內(nèi)存價(jià)格上漲,讓內(nèi)存大廠三星賺得盆滿缽滿。而近段時(shí)間來內(nèi)存價(jià)格有下降的趨勢,但把利潤擺在第一位的三星想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存價(jià)格下滑的趨勢,明年將對內(nèi)存減少投資,以讓內(nèi)存處于供給相對緊張的局面,來維持內(nèi)存的高價(jià)。
美光近日公布了2018財(cái)年第四季度和全年財(cái)報(bào)。截止2018年8月30日,美光第四財(cái)季收入84.40億美元(均按GAAP),同比增長37.5%,毛利率61.0%,同比提高10.3個(gè)百分點(diǎn),凈利潤43.25億美元,同比增長82.6%。
廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導(dǎo)體”)今日宣布,高云半導(dǎo)體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分別是GW1NR-LV4MG81 與 GW1NSR-LX2CQN48,其設(shè)計(jì)的初衷是實(shí)現(xiàn)低功率、小封裝尺寸和低成本等特性。
三星電子高層金奇南 (Kim Ki-nam)12日表示,預(yù)計(jì)今年年底前對DRAM芯片需求不會(huì)有變。
談及目前內(nèi)存芯片持續(xù)強(qiáng)勁需求是否會(huì)在2019年終結(jié)?金奇南預(yù)測,明年芯片需求將持續(xù)強(qiáng)勁。
紫光旗下還有紫光國微半導(dǎo)體,該公司日前表示在DRAM內(nèi)存芯片上,該公司已具備世界主流設(shè)計(jì)水平,但是產(chǎn)能無法保證,產(chǎn)品銷量不大。