FET

計算機電源“白金”化

80+TM 和計算機產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動計劃 (Climate Savers Computing) ™ 給計算機電源設立了一個強有力的效率標準。這些標準的“白金”級別規(guī)定計算機電源在 20% 額定負載狀態(tài)下必須有 90% 的效率，50

美國國家半導體推出業(yè)界首款針對增強型氮化鎵功率FET 100V半橋柵極驅(qū)動器

21ic訊 美國國家半導體公司近日宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)

墨西哥政府將因服務質(zhì)量處罰5家電信運營商

北京時間6月16日下午消息（張月紅）周三，墨西哥電信監(jiān)管機構(gòu)Cofetel稱將向5家電信運營商進行處罰，原因在于運營商的不合標準的服務。Cofetel稱，自2003年以來，至少有16項服務質(zhì)量不合標準，Cofetel沒有詳細說明將

傳感器與AD822型單電源、電源正負限輸出、低功耗FET輸入運算放大電路

傳感器橋與AD824型正負電源限輸出FET輸入運算放大器電路

傳感器 OPA604型低失真FET輸入運算放大電路

AD824型單電源正負電源限輸出低功耗FET輸入運算放大器

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

用FET的AGC電路

使用FET的音頻AGC電路

FET 給出30dB增益范圍的AGC電路

不同類型無觸點開關(guān)的性能比較

1　前言　　傳統(tǒng)的集成模擬開關(guān)電路如ADG211系列等由于其接觸電阻在幾十Ω至數(shù)百Ω范圍，不能滿足功率器件的開關(guān)控制要求。由于半導體技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)有諸多無觸點開關(guān)可供設計者選用。無觸點開關(guān)在電

不同類型無觸點開關(guān)的性能比較

1　前言　　傳統(tǒng)的集成模擬開關(guān)電路如ADG211系列等由于其接觸電阻在幾十Ω至數(shù)百Ω范圍，不能滿足功率器件的開關(guān)控制要求。由于半導體技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)有諸多無觸點開關(guān)可供設計者選用。無觸點開關(guān)在電

差動輸入FET緩沖的電流源電路圖

差動輸入FET緩沖的電流源電路圖

用FET和晶體管的振蕩器電路圖

晶體JFET電容三點式振蕩器電路圖

JFET晶體振蕩器電路圖