FET

FET變阻式文氏振蕩器電路圖

友達(dá)取得FED技術(shù)

為擴(kuò)大顯示器技術(shù)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)面板廠友達(dá)（2409）宣布收購(gòu)索尼（SONY）轉(zhuǎn)投資公司Field Emission Technologies的FED（場(chǎng)發(fā)射式顯示器）資產(chǎn)及技術(shù)，準(zhǔn)備跨入高階的醫(yī)療與廣播用面板需求。 友達(dá)昨（20）日宣布，已

帶AGC穩(wěn)幅的正弦波振蕩電路設(shè)計(jì)

采用了以JFET器件怍可變電阻，調(diào)整AGC回路的穩(wěn)幅電路，其電路如附圖所示。 　　工作原理該電路用很少的元件便搭成了一個(gè)閉環(huán)電路，實(shí)現(xiàn)了AGC自動(dòng)穩(wěn)幅功能。電路的振蕩部分由IC1組成維恩電橋，其振蕩頻率由選頻網(wǎng)絡(luò)

傳英特爾將收購(gòu)英國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商IQE

據(jù)英國(guó)《每日郵報(bào)》的消息稱(chēng)，Intel可能會(huì)拿出高達(dá)4.87億英鎊現(xiàn)金(約合7.71億美元)，收購(gòu)英國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商IQEPlc，相當(dāng)于每股95便士。IQE目前已經(jīng)成為一家高級(jí)半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商，產(chǎn)品涵蓋多種應(yīng)用范圍，包括無(wú)線、光

青霉素-FET測(cè)試電路

葡萄糖-FET工作電路

尿素-FET測(cè)量電路

免疫FET測(cè)量電路

L-谷氨酸FET測(cè)量電路

ISFET測(cè)量電路

FET氧傳感器測(cè)量電路

FET濕溫雙功能傳感器測(cè)試電路

友達(dá)收購(gòu)FED公司資產(chǎn)與技術(shù)

友達(dá)光電(AUO)宣布，與由SONY持股39.8%的Field Emission Technologies Inc.公司(FET)及FET Japan Inc.(FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays；FED)技術(shù)。透過(guò)這項(xiàng)交易

友達(dá)跨足FED技術(shù) 收購(gòu)Sony旗下FET

友達(dá)昨天宣布，收購(gòu)索尼旗下的場(chǎng)發(fā)射顯示器科技公司（FET），企圖以技術(shù)優(yōu)勢(shì)，超越新奇美的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。圖為友達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)暨總經(jīng)理陳來(lái)助（中）與FET社長(zhǎng)長(zhǎng)谷川正平（左）及日本FET社長(zhǎng)山崎純簽署協(xié)議。 友達(dá)／提供

DIOFET系列新型雙通道器件（Diodes）

Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴(kuò)展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個(gè)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的控制MOSFET及一個(gè)專(zhuān)有DIOFET集成在一個(gè)SO8封裝中，為消費(fèi)類(lèi)及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提

繼電器保護(hù)電路詳細(xì)分析

　看到這樣一個(gè)電路，想問(wèn)畫(huà)框部分怎么個(gè)工作原理是什么，又有著怎么樣的做用?　　 　　powercheng：首先是保護(hù)作用?！　‘?dāng)達(dá)到一定電壓的時(shí)候，就短路掉PTC。然后繼續(xù)整流?！　∪绻贿@樣，就是直接對(duì)后面幾個(gè)電

三星與IBM相繼發(fā)布200GHz以上截止頻率的石墨烯FET

在“IEDM 2010”開(kāi)幕當(dāng)天舉行的研討會(huì)上，韓國(guó)三星尖端技術(shù)研究所（SAIT）與美國(guó)IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計(jì)劃將其應(yīng)用于高頻RF元件。 SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了

英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當(dāng)先

美國(guó)英特爾和美國(guó)IQE共同開(kāi)發(fā)出了多柵極構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET（演講編號(hào)：6.1）。提高了溝道控制性，與平面構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低）

簡(jiǎn)易的電源指示器欠壓/過(guò)壓檢測(cè)

　　簡(jiǎn)單和容易的電源就緒指示器檢測(cè)主管及以上電壓　　摘要：欠壓/過(guò)壓(紫外/過(guò)壓)的指標(biāo)，也稱(chēng)為電源就緒(薄)指標(biāo)，可以通知便攜設(shè)備的用戶(hù)，當(dāng)電池電壓過(guò)低或電池被濫收費(fèi)用。博指標(biāo)通?？刂仆獠縁ET的封鎖在這樣的

賽維LDK與比亞迪達(dá)成多晶硅銷(xiāo)售協(xié)議

10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司(LDK)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“賽維LDK”)周一稱(chēng)，該公司已經(jīng)與中國(guó)汽車(chē)和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項(xiàng)為期兩年的多晶硅銷(xiāo)售協(xié)議，這項(xiàng)交易的價(jià)值大約為3億美元。 賽維L