FET

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  • 如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力

    寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件，例如碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術(shù)還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應(yīng)用中特別有優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進(jìn)行了比較分析。

    電源
    2024-10-20
    SiC FET

  • 一文詳解MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理

    MOSFET的工作基于柵極電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電溝道，從而控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。

  • 在 1000 V 反激式變壓器中驅(qū)動(dòng)高壓硅 FET

    800 V 汽車系統(tǒng)可使電動(dòng)汽車性能更強(qiáng)大，一次充電即可行駛超過 400 英里，充電時(shí)間最快可達(dá) 20 分鐘。800 V 電池很少在 800 V 的準(zhǔn)確電壓下運(yùn)行，最高可達(dá) 900 V，而轉(zhuǎn)換器輸入要求高達(dá) 1000 V。

  • 抑制電磁干擾EMI的實(shí)用電路技術(shù)

    一般來說，轉(zhuǎn)換器應(yīng)在合理范圍內(nèi)超出傳導(dǎo) EMI 一定的裕度，為達(dá)到輻射限值預(yù)留空間。幸運(yùn)的是，多數(shù)減少傳導(dǎo)發(fā)射的步驟對(duì)于抑制輻射 EMI 同樣有效。

  • Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

    三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和性能，并產(chǎn)生較低的熱量

  • 什么是場(chǎng)效應(yīng)管？它的作用是什么？

    以下內(nèi)容中，小編將對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的了解，和小編一起來看看吧。

  • 如何使用 5V 電源去驅(qū)動(dòng)10V FET？

    我們將在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路和開關(guān)穩(wěn)壓器中看到的一種非常常見的結(jié)構(gòu)使用兩個(gè)功率 FET，一個(gè)堆疊在另一個(gè)之上。在操作中，上下 FET 輪流導(dǎo)通。首先，上部 FET 開啟，下部 FET 關(guān)閉。然后他們切換狀態(tài)。

  • 適用于 CSP GaN FET 的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案

    由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會(huì)導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。

  • 高端 FET 負(fù)載開關(guān)入門第 2 部分

    柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對(duì) EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)V G 以使開關(guān)完全導(dǎo)通。類似地，在關(guān)斷期間，柵極控制產(chǎn)生低(N 溝道)或高(P 溝道)V G 以將開關(guān)完全關(guān)斷。

  • 高端 FET 負(fù)載開關(guān)入門第 1 部分

    高端負(fù)載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)的各個(gè)方面，并討論在整個(gè)設(shè)計(jì)和選擇過程中必須考慮的各種參數(shù)。

  • 在電機(jī)控制應(yīng)用中如何選擇 MOSFET器件

    我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖肌Ｔ诒静┛秃捅鞠盗屑磳l(fā)布的文章中，我們將開始研究針對(duì)特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開始。 電機(jī)控制是 30V-100V 分立 MOSFET 的一個(gè)巨大（且快速增長(zhǎng)的）市場(chǎng)，特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這里，我將專注于選擇正確的 FET 來驅(qū)動(dòng)有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少，而且可能有無數(shù)種不同的方法，但我希望這篇文章能讓我們了解根據(jù)我們的最終應(yīng)用從哪里開始。

  • 了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表，熱阻抗相關(guān)內(nèi)容

    關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。 首先，讓我們準(zhǔn)確定義這些參數(shù)的含義。在熱阻抗方面，很難在 FET 行業(yè)內(nèi)找到這些參數(shù)命名的一致性——有時(shí)甚至在同一家公司內(nèi)也是如此。為了這篇文章，我將使用圖 1 和表 1 中定義的參數(shù)。如果您認(rèn)為熱流類似于電流，那么很容易想象出熱量可以從所示結(jié)或芯片消散的電阻網(wǎng)絡(luò)在圖 1 中。這個(gè)網(wǎng)絡(luò)的總和就是我們所說的器件的結(jié)到環(huán)境熱阻抗 (R θJA )。

  • 想要一款智能功率級(jí)產(chǎn)品?這款新品或得你芳心!

    今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級(jí)產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

  • 先進(jìn)FinFET工藝的多項(xiàng)流片鞏固了世芯電子的業(yè)界領(lǐng)先地位

    上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET（先進(jìn)鰭式場(chǎng)效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進(jìn)封裝技術(shù)。世芯在7/6/5...

  • 世芯電子先進(jìn)FinFET工藝成功完成流片

    （全球TMT2022年4月14日訊）世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET（先進(jìn)鰭式場(chǎng)效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進(jìn)封裝技術(shù)。世芯在7/6/5納米的...

  • Arasan為格芯12nm FinFET工藝節(jié)點(diǎn)提供MIPI D-PHY IP

    （全球TMT2022年3月9日訊）面向當(dāng)今片上系統(tǒng)（SoC）行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布，立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點(diǎn)提供其超低功耗的獨(dú)立MIPI D-PHYSM僅Tx IP和僅Rx ...

  • 集成氮化鎵(GaN) 功率 FET正在改變傳統(tǒng)電源方案

    作為一名電力電子工程師，有句話說得好，沒有從電力設(shè)備爆炸中吸取的教訓(xùn)，就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關(guān)模式電源的經(jīng)驗(yàn)中，這似乎是正確的。通過反復(fù)試驗(yàn)和對(duì)設(shè)備故障的研究，我們可以學(xué)習(xí)如何設(shè)計(jì)可靠工作的轉(zhuǎn)換器。

  • ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

    ~有助于降低工廠的安裝成本并提高白色家電和工業(yè)設(shè)備的節(jié)能性和可靠性~

  • 三星計(jì)劃2025年量產(chǎn)2nm工藝：基于MBCFET、與IBM?2nm不同

    在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電目前是無可爭(zhēng)議的老大，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二，但份額只有臺(tái)積電的1/3，所以三星押注了下一代工藝，包括3nm及未來的2nm工藝。根據(jù)三星的計(jì)劃，3nm工藝會(huì)放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個(gè)版...

  • 在 DCDC 電源設(shè)計(jì)中選擇帶FEI的芯片還是不帶的方案？

    對(duì)于多年來一直使用帶有外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的控制器的有經(jīng)驗(yàn)的電源設(shè)計(jì)人員來說，或者對(duì)于通常只使用 DC/DC 控制器或 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的任何電源工程師來說，這種感覺可能很熟悉。

    電源電路
    2021-11-24
    DCDC FET
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