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將 FET 用于電壓控制電路的指南，第 3 部分
如果我們將前面圖 3 至圖 17 中任何一個中的電位器 VR1 替換為交流信號加直流偏置信號，壓控衰減器就可以變成幅度調制器電路。例如，在圖 15(P 溝道 MOSFET)中，如果輸入信號 Vin 是高頻載波信號和 VR1 的信號 Vcont 替換為負直流偏置信號加低頻正弦波信號，則輸出信號 Vout 將具有如圖18所示的調幅載波信號。
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將 FET 用于電壓控制電路的指南，第 2 部分
之前我們研究了 FET 壓控電阻器、基本壓控電阻器電路以及平衡或推挽壓控電阻器 (VCR) 電路。接下來，我們來看看帶反饋的 N 溝道 JFET 衰減器電路(圖 8)。
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將 FET 用于電壓控制電路的指南，第 1 部分
我很高興在我們的行業(yè)中仍然有一些公司在制造精密、分立的晶體管;線性集成系統(tǒng)是我遇到過的最好的系統(tǒng)之一。有如此多的應用需要使用優(yōu)質分立元件而不是集成電路來設計電路。
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如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
寬帶隙 (WBG) 半導體器件，例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應用中特別有優(yōu)勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進行了比較分析。
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一文詳解MOSFET結構及其工作原理
MOSFET的工作基于柵極電壓對導電溝道的控制。當柵極電壓達到一定值時，會在半導體中形成導電溝道，從而控制源極和漏極之間的電流流動。
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在 1000 V 反激式變壓器中驅動高壓硅 FET
800 V 汽車系統(tǒng)可使電動汽車性能更強大，一次充電即可行駛超過 400 英里，充電時間最快可達 20 分鐘。800 V 電池很少在 800 V 的準確電壓下運行，最高可達 900 V，而轉換器輸入要求高達 1000 V。
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抑制電磁干擾EMI的實用電路技術
一般來說，轉換器應在合理范圍內超出傳導 EMI 一定的裕度，為達到輻射限值預留空間。幸運的是，多數減少傳導發(fā)射的步驟對于抑制輻射 EMI 同樣有效。
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量
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什么是場效應管？它的作用是什么？
以下內容中，小編將對場效應管的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對場效應管的了解，和小編一起來看看吧。
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如何使用 5V 電源去驅動10V FET？
我們將在電機驅動器電路和開關穩(wěn)壓器中看到的一種非常常見的結構使用兩個功率 FET，一個堆疊在另一個之上。在操作中，上下 FET 輪流導通。首先，上部 FET 開啟，下部 FET 關閉。然后他們切換狀態(tài)。
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適用于 CSP GaN FET 的簡單且高性能的熱管理解決方案
由于具有更好的品質因數，氮化鎵等寬禁帶半導體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設較小的功率器件會導致較高的熱阻。3,4本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
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高端 FET 負載開關入門第 2 部分
柵極控制塊或電平轉換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導通期間，柵極控制的主要任務是對 EN 進行電平轉換，以產生高(N 溝道)或低(P 溝道)V G 以使開關完全導通。類似地，在關斷期間，柵極控制產生低(N 溝道)或高(P 溝道)V G 以將開關完全關斷。
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高端 FET 負載開關入門第 1 部分
高端負載開關及其操作仍然是許多工程師和設計師的熱門選擇，適用于電池供電的便攜式設備，例如功能豐富的手機、移動GPS設備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數學的方法來解釋基于 MOSFET 的高側負載開關的各個方面，并討論在整個設計和選擇過程中必須考慮的各種參數。
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在電機控制應用中如何選擇 MOSFET器件
我們研究了如何在最終應用未知時為 FET 建議適當的交叉參考。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中，我們將開始研究針對特定最終應用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應用中用于驅動電機的 FET 開始。 電機控制是 30V-100V 分立 MOSFET 的一個巨大（且快速增長的）市場，特別是對于驅動直流電機的許多拓撲結構。在這里，我將專注于選擇正確的 FET 來驅動有刷、無刷和步進電機。雖然硬性規(guī)則很少，而且可能有無數種不同的方法，但我希望這篇文章能讓我們了解根據我們的最終應用從哪里開始。
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了解 MOSFET 數據表，熱阻抗相關內容
關于 FET 數據表的問題，尤其是熱信息表中的那些參數，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數據表中結到環(huán)境熱阻抗和結到外殼熱阻抗的參數，這似乎是造成很多混亂的原因。 首先，讓我們準確定義這些參數的含義。在熱阻抗方面，很難在 FET 行業(yè)內找到這些參數命名的一致性——有時甚至在同一家公司內也是如此。為了這篇文章，我將使用圖 1 和表 1 中定義的參數。如果您認為熱流類似于電流，那么很容易想象出熱量可以從所示結或芯片消散的電阻網絡在圖 1 中。這個網絡的總和就是我們所說的器件的結到環(huán)境熱阻抗 (R θJA )。
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想要一款智能功率級產品?這款新品或得你芳心!
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產品LTC7050的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內容如下。
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先進FinFET工藝的多項流片鞏固了世芯電子的業(yè)界領先地位
上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進封裝技術。世芯在7/6/5...
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世芯電子先進FinFET工藝成功完成流片
（全球TMT2022年4月14日訊）世芯電子完整體現了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進封裝技術。世芯在7/6/5納米的...
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Arasan為格芯12nm FinFET工藝節(jié)點提供MIPI D-PHY IP
（全球TMT2022年3月9日訊）面向當今片上系統(tǒng)（SoC）行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布，立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點提供其超低功耗的獨立MIPI D-PHYSM僅Tx IP和僅Rx ...
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集成氮化鎵(GaN) 功率 FET正在改變傳統(tǒng)電源方案
作為一名電力電子工程師，有句話說得好，沒有從電力設備爆炸中吸取的教訓，就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調試開關模式電源的經驗中，這似乎是正確的。通過反復試驗和對設備故障的研究，我們可以學習如何設計可靠工作的轉換器。
