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GAAFET，是什么技術(shù)？
美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）？
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三星3nm大批量生產(chǎn)：GAAFET晶體管時代到來
2022年6月30日，三星旗下的三星電子早上發(fā)布消息，該公司已經(jīng)開始3nm芯片的大批量生產(chǎn)。三星電子宣告，公司名為“3GAE”的3nm環(huán)繞式閘極制程技術(shù)進(jìn)展順利，并于今年的4月份推出該0.1版制程套件（PDK）。三星現(xiàn)在正在其3nm制程節(jié)點(diǎn)上導(dǎo)入GAA架構(gòu)，專門用來克服FinFET架構(gòu)的實(shí)體微縮和性能限制。
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三星公布最新技術(shù)路線圖：7nm 規(guī)模量產(chǎn)、導(dǎo)入8nm LPU、引入GAAFET
日前，三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇（SFF）2018年會，更新了技術(shù)路線圖。簡單來說，主要有三點(diǎn)，一是基于EUV技術(shù)的7nm制程工藝會在接下來幾個季度內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)（初期EUV僅用于選擇層），二是導(dǎo)
小軒窗
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