GAAFET

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GAAFET，是什么技術(shù)？

美國(guó)計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國(guó)大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？

松哥電源
2022-09-19

GAAFET 芯片
三星3nm大批量生產(chǎn)：GAAFET晶體管時(shí)代到來(lái)

2022年6月30日，三星旗下的三星電子早上發(fā)布消息，該公司已經(jīng)開(kāi)始3nm芯片的大批量生產(chǎn)。三星電子宣告，公司名為“3GAE”的3nm環(huán)繞式閘極制程技術(shù)進(jìn)展順利，并于今年的4月份推出該0.1版制程套件（PDK）。三星現(xiàn)在正在其3nm制程節(jié)點(diǎn)上導(dǎo)入GAA架構(gòu)，專(zhuān)門(mén)用來(lái)克服FinFET架構(gòu)的實(shí)體微縮和性能限制。

小赫子談芯
2022-07-04

三星 GAAFET
三星公布最新技術(shù)路線圖：7nm 規(guī)模量產(chǎn)、導(dǎo)入8nm LPU、引入GAAFET

日前，三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇（SFF）2018年會(huì)，更新了技術(shù)路線圖。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，主要有三點(diǎn)，一是基于EUV技術(shù)的7nm制程工藝會(huì)在接下來(lái)幾個(gè)季度內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)（初期EUV僅用于選擇層），二是導(dǎo)

充電吧
2018-10-10

finfet 8nm lpu工藝 gaafet samsung三星