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能訊半導(dǎo)體：5G時(shí)間窗口只有三年
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建設(shè)機(jī)會(huì)，就可以在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。
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場(chǎng)效應(yīng)功放管靜態(tài)工作點(diǎn)溫度補(bǔ)償功能設(shè)計(jì)
摘要：線性功率放大器的線性度受功放管的靜態(tài)工作點(diǎn)影響很大。然而，在功放管的實(shí)際工作中，由于功放管的門限開(kāi)啟電壓隨溫度上升會(huì)降低，從而導(dǎo)致靜態(tài)工作電流增大并使得線性度惡化。文中給出了一種LDMOS功放管靜態(tài)工作點(diǎn)的溫度補(bǔ)償措施，該方法在LDMOS線性功率放大器中有著廣泛的用途。
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意法半導(dǎo)體推出新的射頻LDMOS功率晶體管
中國(guó)，2021年8月13日——意法半導(dǎo)體的STPOWERLDMOS晶體管產(chǎn)品家族新最近新增多款產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族有三個(gè)不同的產(chǎn)品系列，均是針對(duì)各種商用和工業(yè)用射頻功率放大器(PA)優(yōu)化設(shè)計(jì)。STPOWERLDMOS的產(chǎn)品特色是高能效和低熱阻，封裝芯片可處理高射頻功率，兼?zhèn)涠虒?dǎo)通溝道...
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埃賦隆半導(dǎo)體面向2.45GHz ISM應(yīng)用和固態(tài)烹飪的優(yōu)化成本250W LDMOS
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)現(xiàn)已發(fā)布250W射頻功率晶體管BLP2425M10S250P。
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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管
中國(guó)上海，2013年6月20日訊 – 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，
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什么是LDMOS？
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開(kāi)發(fā)的，蜂窩通信市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)保證了LDM
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電平位移電路應(yīng)用于負(fù)電源的設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路。實(shí)現(xiàn)從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅(qū)動(dòng)輸出的轉(zhuǎn)換。分析了該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理?；诖穗娐方Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了滿足應(yīng)用要求的
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檢測(cè)LDMOS漏端電壓判斷是否過(guò)流方案
1 引言 由于電源適配器芯片中內(nèi)嵌集成或需要外部連接功率LDMOS 管，應(yīng)用中的LDMOS 管又需要直接和高壓相聯(lián)接并通過(guò)大電流(目前的LDMOS 管已經(jīng)能耐受數(shù)百乃至近千伏的高壓)。因此，如何保障芯片和LDM
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NXP MRFX1K80H晶體管在貿(mào)澤開(kāi)售
65V LDMOS技術(shù)讓射頻功率設(shè)計(jì)提速
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5G發(fā)展將帶動(dòng)RF功率元件需求成長(zhǎng)
隨著5G技術(shù)逐漸成熟，帶給射頻前端(RF Front End)晶片市場(chǎng)商機(jī)，未來(lái)射頻功率放大器(RF PA)需求將持續(xù)成長(zhǎng)，其中傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS;LDMOS具備低成本和大功率性能優(yōu)勢(shì))制程逐步被氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)取代，尤其在5G技術(shù)下需要支援更多元件、更高頻率，另砷化鎵(GaAs)則相對(duì)穩(wěn)定成長(zhǎng)。
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GAN將逐漸取代LDMOS
如今，電子業(yè)正邁向4G的終點(diǎn)、5G的起點(diǎn)。 后者發(fā)展上仍有不少進(jìn)步空間，但可以確定，新一代無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)勢(shì)必需要更多組件、更高頻率做支撐，可望為芯片商帶龐大商機(jī)--特別是對(duì)RF功率半導(dǎo)體供貨商而言。 對(duì)此，市研機(jī)構(gòu)Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場(chǎng)與科技報(bào)告」指出，RF功率市場(chǎng)近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(GAGR)迅速成長(zhǎng);同時(shí)，氮化鎵(GaN)將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，成為市場(chǎng)主流技術(shù)。
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安譜隆半導(dǎo)體將在IMS會(huì)議上展示LDMOS和GaN射頻功放產(chǎn)品組合及大功率射頻解決方案
914號(hào)展臺(tái) – 夏威夷州夏威夷會(huì)展中心安譜隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布參加即將舉行的國(guó)際微波研討會(huì)(IMS)。Ampleon將在914號(hào)展臺(tái)展示其適用于移動(dòng)寬帶、廣播、工業(yè)、雷達(dá)和航空電子以及射頻能量應(yīng)用的最新射頻功
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寬頻設(shè)計(jì)不能滿足？來(lái)看看這款4G小基站用LDMOS功放
隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)速率要求越來(lái)越高，直接導(dǎo)致無(wú)線 通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時(shí)推動(dòng)了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。
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覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS
國(guó)際領(lǐng)先的微波半導(dǎo)體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個(gè)頻段的大功率330W LDMOS，器件型號(hào)為PXAC203302FV。世強(qiáng)代理的該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大器。PXAC203302FV
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恩智浦將全面展示高性能RF射頻解決方案為“智慧生活、安全連接”提供技術(shù)支持
2014年3月20日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將在今年3月及4月亮相中國(guó)國(guó)際廣播電視信息網(wǎng)絡(luò)展覽會(huì)(CCBN 2014)、國(guó)際無(wú)線會(huì)議(IWS 2014)及電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI CON 2014)，展示其高性能的RF射頻解決方案以
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飛思卡爾11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市
射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個(gè)產(chǎn)品可滿足美國(guó)國(guó)防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求，這是 2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計(jì)劃發(fā)布的首套產(chǎn)品
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一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計(jì)
摘要：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場(chǎng)分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過(guò)silvaco器件模擬軟件對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對(duì)器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長(zhǎng)進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMO
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飛思卡爾推出新款A(yù)irfast射頻功率LDMOS晶體管 具領(lǐng)先的增益性能
外形小巧的AFT27S006N和AFT27S010N射頻晶體管是業(yè)界首款覆蓋所有主要蜂窩頻段的器件，同時(shí)提供 20 dB至24 dB的增益性能21ic訊 飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出了兩款全新的Airfast射
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英飛凌專為UHF TV 廣播發(fā)射器推50V LDMOS 電晶體
英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出專為UHF TV廣播發(fā)射器設(shè)計(jì)的50V LDMOS電晶體，其中包括一款為市面上針對(duì)該應(yīng)用提供最高功率峰值輸出的產(chǎn)品。在整個(gè)470 – 806 MHz TV廣播頻帶提供更高
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恩智浦LDMOS RF功率晶體管支持TD-LTE全頻段應(yīng)用
【導(dǎo)讀】中國(guó)移動(dòng)日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無(wú)線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國(guó)31個(gè)省市，采購(gòu)規(guī)模約為20.7萬(wàn)個(gè)基站，共計(jì)55萬(wàn)載扇。與此同時(shí)，中移動(dòng)還啟動(dòng)了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為
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