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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)LTE通訊變革
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國(guó)開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將
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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)TD-LTE通訊變革
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國(guó)開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將鞏固恩智浦T
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思卡爾RF業(yè)務(wù)部對(duì)美國(guó)航空航天和國(guó)防市場(chǎng)做出長(zhǎng)期承諾
RF功率領(lǐng)域先驅(qū)者創(chuàng)建面向航空航天和國(guó)防市場(chǎng)的器件;采用多技術(shù)方法利用LDMOS、GaAs和GaN產(chǎn)品線的優(yōu)勢(shì)飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布了一項(xiàng)重大舉措，主要展示其新型和現(xiàn)有商用RF功
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飛思卡爾RF業(yè)務(wù)部對(duì)美國(guó)航空航天和國(guó)防市場(chǎng)做出長(zhǎng)期承諾
射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL)日前宣布了一項(xiàng)重大舉措，主要展示其新型和現(xiàn)有商用RF功率和微波RF器件如何滿足美國(guó)航空航天和國(guó)防(A&D)市場(chǎng)的需求。飛思卡爾計(jì)劃通過全新的氮化鎵(Ga
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寬動(dòng)態(tài)范圍的高端電流檢測(cè)：三種解決方案
簡(jiǎn)介 在電機(jī)控制、電磁閥控制、通信基礎(chǔ)設(shè)施和電源管理等諸多應(yīng)用中，電流檢測(cè)是精密閉環(huán)控制所必需的關(guān)鍵功能。從安全至關(guān)重要的汽車和工業(yè)應(yīng)用，到電源和效率至關(guān)重要
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華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集
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華潤(rùn)上華SOI工藝技術(shù)填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)空白
華潤(rùn)微電子有限公司附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，華潤(rùn)上華在2010年實(shí)
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華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多
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華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
華潤(rùn)微電子有限公司（“華潤(rùn)微電子”）附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（“華潤(rùn)上華”）近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集
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數(shù)字電視發(fā)射機(jī)發(fā)展技術(shù)特點(diǎn)簡(jiǎn)析
本文針對(duì)全球掀起的數(shù)字電視無(wú)線發(fā)射熱潮，對(duì)數(shù)字電視發(fā)射機(jī)的發(fā)展技術(shù)特點(diǎn)趨勢(shì)進(jìn)行了較詳細(xì)地介紹和分析。論述了數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中所使用的數(shù)字自適應(yīng)預(yù)校正技術(shù)、LDMOS技術(shù)、N+1技術(shù)和發(fā)射機(jī)的冷卻技術(shù)等以及使用這
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英飛凌推出射頻功率LDMOS晶體管
21ic訊 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高功率密度和稱雄業(yè)界的可靠
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最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品
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LDMOS結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和使用優(yōu)勢(shì)
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此
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最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品
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飛思卡爾推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配條件下使用
飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
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基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器
TD-SCDMA(時(shí)分同步碼分多址接入)是第三代移動(dòng)通信三大主流標(biāo)準(zhǔn)之一，是我國(guó)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的通信標(biāo)準(zhǔn)，它標(biāo)志著中國(guó)在移動(dòng)通信領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入世界先進(jìn)行列，目前，TD-SCDMA的商用化進(jìn)程正在順利地進(jìn)行之中[1]。TD-
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飛思卡爾Airfast方案新增48V LDMOS射頻功率晶體管
21ic訊 飛思卡爾半導(dǎo)體公司為先進(jìn)的Airfast射頻功率產(chǎn)品系列推出最先兩款產(chǎn)品，以滿足市場(chǎng)對(duì)符合成本效益，同時(shí)又能夠支持飛速提升的數(shù)據(jù)速率、多重?zé)o線標(biāo)準(zhǔn)以及不斷增加的網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜性的射頻功率解決方案的需求。新產(chǎn)
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數(shù)字電視發(fā)射機(jī)技術(shù)特點(diǎn)分析
本文針對(duì)全球掀起的數(shù)字電視無(wú)線發(fā)射熱潮，對(duì)數(shù)字電視發(fā)射機(jī)的發(fā)展技術(shù)特點(diǎn)趨勢(shì)進(jìn)行了較詳細(xì)地介紹和分析。論述了數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中所使用的數(shù)字自適應(yīng)預(yù)校正技術(shù)、LDMOS技術(shù)、N+1技術(shù)和發(fā)射機(jī)的冷卻技術(shù)等以及使用這
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飛思卡爾推出RF功率LDMOS晶體管
飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出RF功率LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向UHF廣播電視應(yīng)用而設(shè)計(jì)。作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員，MRFE6VP8600H與其
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DXY鼎芯在CMMB市場(chǎng)推廣高性能LDMOS及LNA
恩智浦半導(dǎo)體（NXP）近期推出了廣播行業(yè)工業(yè)級(jí)的600W LDMOS超高頻（UHF）功率晶體管BLF888A。超強(qiáng)性能的BLF888A支持470~860MHz的完整超高頻DVB-T訊號(hào)，平均輸出功率120W時(shí)效率達(dá)到31%以上；與此同時(shí)，50V高壓供電的B
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