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檢測(cè)LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案
摘要：本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計(jì)方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電路仿真驗(yàn)證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實(shí)時(shí)地實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)功能
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電源控制芯片中的過流保護(hù)設(shè)計(jì)
摘要：本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計(jì)方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電路仿真驗(yàn)證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實(shí)時(shí)地實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)功
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基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計(jì)
摘要：文中針對(duì)高壓節(jié)能應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散BCD兼容工藝，實(shí)現(xiàn)了一種新型D-RESURF結(jié)構(gòu)的700V LDMOS設(shè)計(jì)。結(jié)構(gòu)中N型外延的厚度減小為4．5μm，漂移區(qū)長度縮減至70μm，使得芯片面積和制
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基于英飛凌新一代LDMOS的功放參考設(shè)計(jì)（世強(qiáng)電訊）
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其高可靠性，高質(zhì)量的產(chǎn)品覆蓋了模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置等領(lǐng)域。在射頻方面，英飛凌近期推出了一系列LDMOS晶體管，最新第
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英飛凌向中國通信市場(chǎng)推出新一代LDMOS晶體管
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門。在中國，英飛凌先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，該公司憑借其
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新一代LDMOS晶體管（英飛凌）
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門。在中國，英飛凌先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，該公司憑借其
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120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻晶體管（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào)，平均輸出功率120W，效
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LDMOS超高頻射頻功率晶體管BLF888A（NXP）
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB
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三元達(dá)發(fā)射器采用飛思卡爾RF Power 50V LDMOS晶體管
中國領(lǐng)先的無線覆蓋解決方案提供商福建三元達(dá)通訊股份有限公司(三元達(dá))日前宣布推出中國首款高效Doherty發(fā)射器。三元達(dá)在這一里程碑產(chǎn)品中結(jié)合了該公司的高效率技術(shù)Doherty與飛思卡爾的性能領(lǐng)先的RF功率橫向擴(kuò)散MOS(
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三元達(dá)采用飛思卡爾RF Power 50V LDMOS晶體管推出全球第一款高效Doherty DTV發(fā)射器
2010年8月24日，中國上海訊——中國領(lǐng)先的無線覆蓋解決方案提供商福建三元達(dá)通訊股份有限公司（三元達(dá)）日前宣布推出中國首款高效Doherty發(fā)射器。三元達(dá)在這一里程碑產(chǎn)品中結(jié)合了該公司的高效率技術(shù)Doherty與飛思
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三元達(dá)采用飛思卡爾RF Power 50V LDMOS晶體管推出全球第一款高效Doherty DTV發(fā)射器
2010年8月24日，中國上海訊——中國領(lǐng)先的無線覆蓋解決方案提供商福建三元達(dá)通訊股份有限公司（三元達(dá)）日前宣布推出中國首款高效Doherty發(fā)射器。三元達(dá)在這一里程碑產(chǎn)品中結(jié)合了該公司的高效率技術(shù)Dohert
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功率LDM0 S中的場(chǎng)極板設(shè)計(jì)
摘要：本文提出了LDMOS器件漂移區(qū)電場(chǎng)分布和電勢(shì)分布的二維解析模型，并在此基礎(chǔ)上得出了LDMOS漂移區(qū)電勢(shì)分布和電場(chǎng)分布的解析表達(dá)式。通過表達(dá)式的結(jié)果，研究了多晶硅場(chǎng)板的長度和位置對(duì)于器件表面電場(chǎng)和電勢(shì)的影響
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兩款LDMOS射頻功率晶體管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）
飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時(shí)分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)
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宏力半導(dǎo)體推出45V LDMOS電源管理制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，日前發(fā)布了基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。 與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能
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上海宏力發(fā)表0.18微米先進(jìn)LDMOS電源管理制程
上海宏力半導(dǎo)體宣布發(fā)表0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45伏特LDMOS電源管理制程。 宏力表示，與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智慧電源。
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0。18微米45VLDMOS電源管理制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0。18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45VLDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0。18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電
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最新LDMOS射頻功率晶體管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司發(fā)布兩款面向無線寬帶應(yīng)用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運(yùn)行的WiMAX應(yīng)用。
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飛利浦為 WiMAX 通信提供高性能的解決方案
中國,北京–皇家飛利浦電子公司（NYSE：PHG，AEX：PHI）今天宣布了用于基站解決方案的下一代LDMOSWiMAX系列產(chǎn)品，它可在802.16e移動(dòng)WiMAX平臺(tái)上提供高達(dá)3.8GHz的性能。飛利浦的Gen6LDMOS解決方案現(xiàn)在即可供貨，它在L
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