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為精密模擬電路設(shè)計(jì)超低噪聲正負(fù)電源
當(dāng)今的一些高精密模擬系統(tǒng)需要低噪聲正負(fù)電壓軌來為精密模擬電路供電，這些電路包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)、雙極放大器等等。如何產(chǎn)生清潔、穩(wěn)定的正負(fù)電壓軌為噪聲敏感型模擬組件供電是擺在我們面前的
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恩智浦推出超低壓差穩(wěn)壓器LD6806CX4
21ic 訊 恩智浦半導(dǎo)體（NXP）近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器（LDO）開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 （WLCSP）
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恩智浦推出超低壓差穩(wěn)壓器LD6806CX4
21ic 訊 恩智浦半導(dǎo)體（NXP）近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器（LDO）開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 （WLCSP）
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恩智浦最新標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品發(fā)力移動市場
今年8月恩智浦半導(dǎo)體宣布推出線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列，包括可調(diào)精度的并聯(lián)穩(wěn)壓器以及可調(diào)電壓與固定輸出電壓的線性穩(wěn)壓器，以滿足客戶對高品質(zhì)和高供貨可靠性的要求。10月20日，該系列集極低噪聲、低待機(jī)功耗和出色的ESD
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恩智浦推出采用小型晶圓級CSP封裝的最佳性能LDO
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器（LDO）開始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝
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由 LDO 穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)高效率、低電壓轉(zhuǎn)換和單電源運(yùn)作
低電壓降壓型穩(wěn)壓和轉(zhuǎn)換可運(yùn)用多種方法來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)穩(wěn)壓器能夠在寬電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)作，但其正常操作需要使用磁性元件及電容器。另外，也可以采用充電泵 (或開關(guān)電容器電壓轉(zhuǎn)換器)來實(shí)現(xiàn)較低電壓轉(zhuǎn)換，但這種方案
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由 LDO 穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)高效率、低電壓轉(zhuǎn)換和單電源運(yùn)作
低電壓降壓型穩(wěn)壓和轉(zhuǎn)換可運(yùn)用多種方法來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)穩(wěn)壓器能夠在寬電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)作，但其正常操作需要使用磁性元件及電容器。另外，也可以采用充電泵 (或開關(guān)電容器電壓轉(zhuǎn)換器)來實(shí)現(xiàn)較低電壓轉(zhuǎn)換，但這種方案
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智能手機(jī)興起并未給國內(nèi)電源管理廠商帶來機(jī)遇
據(jù)了解，2010年智能手機(jī)出貨量占整個手機(jī)出貨量的比例為18%左右，今年將達(dá)到26%（出貨量將達(dá)到4.7億），預(yù)計(jì)2015年全球智能手機(jī)出貨量將超過10億部，智能手機(jī)成為市場熱點(diǎn)的趨勢愈加明顯。然而，隨著智能手機(jī)的興起，
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盛群新推出HT72Dxxxx雙輸出通道High PSRR LDO
21ic訊 盛群半導(dǎo)體推出High PSRR LDO系列—雙輸出通道的HT72Dxxxx。以業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，在PSRR值高達(dá)70dB的優(yōu)異表現(xiàn)、雙輸出通道皆開啟情況下，僅需30µA耗電流。最高輸入電壓為7.0V，相較于大部份的線性穩(wěn)
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盛群新推出HT75Bxx High PSRR LDO
21ic訊 盛群半導(dǎo)體繼廣受好評的TinyPower™ LDO系列之后，推出High PSRR LDO系列—輸出電流為150mA的HT75BXX。以業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，在PSRR值高達(dá)70dB的優(yōu)異表現(xiàn)下，僅需10µA耗電流。最高輸入電壓為7.0
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一種高PSR帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)
摘要：本文針對傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計(jì)，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。此帶隙基準(zhǔn)的1.186 V輸出電壓在低頻時PSR
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RFID標(biāo)記手術(shù)器械，避免遺漏患者體內(nèi)
一項(xiàng)可以在手術(shù)過程中追蹤海綿和手術(shù)器械的新技術(shù)近日獲得了美國食品及藥物管理局的(FDA)批準(zhǔn)。位于美國的Haldor先進(jìn)技術(shù)公司開發(fā)了ORLocate系統(tǒng)，用以提到替代醫(yī)生完成復(fù)雜和費(fèi)時的手術(shù)器械清點(diǎn)工作，提高安全性，該
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RFID標(biāo)記手術(shù)器械，避免遺漏患者體內(nèi)
一項(xiàng)可以在手術(shù)過程中追蹤海綿和手術(shù)器械的新技術(shù)近日獲得了美國食品及藥物管理局的(FDA)批準(zhǔn)。位于美國的Haldor先進(jìn)技術(shù)公司開發(fā)了ORLocate系統(tǒng)，用以提到替代醫(yī)生完成復(fù)雜和費(fèi)時的手術(shù)器械清點(diǎn)工作，提高安全性，該
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高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案
但是，由于本設(shè)計(jì)采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準(zhǔn)核心的VQC5無法給VQCS2提供電流，也就無法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當(dāng)LDO無法啟動基
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一種高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
摘要：本文針對傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計(jì)，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。此帶隙基準(zhǔn)的1．186 V輸出電壓在低頻時PS
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低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
1 引言 隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展， 電子設(shè)備的體積、重量和功耗越來越小， 這對電源電路的集成化、小型化及電源管理性能提出了越來越高的要求。而隨著片上系統(tǒng)（ SOC） 的不斷發(fā)展， 單片集成的LDO 線性穩(wěn)壓器的應(yīng)
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AMD計(jì)劃在2012年發(fā)布十核處理器
雖然現(xiàn)在距離AMD公司發(fā)布其首款基于Bulldozer架構(gòu)的桌面處理器還有一段時間，但該公司已經(jīng)雄心勃勃的為來年做出了計(jì)劃，該公司計(jì)劃在2012年發(fā)布其首款十核處理器，代號為Komodo。該產(chǎn)品是Corona平臺的一部分，Corona
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ADI 推出高集成度電源管理 IC ADP5034調(diào)節(jié)器/LDO
21ic訊 ADI最近推出一款高集成度電源管理IC ADP5034調(diào)節(jié)器/LDO，它在一個小型 LFCSP（引腳架構(gòu)芯片級）封裝中集成兩個3 MHz 的高效率1.2 A 降壓調(diào)節(jié)器和兩個300 mA LDO（低壓差）調(diào)節(jié)器。此外還推出與 ADP5034相似的
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一種新型過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)
摘 要：與多數(shù)以“中斷”模式實(shí)現(xiàn)保護(hù)不同，文章提出了一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)新方案，通過“屏蔽電路”屏蔽過流信號，使LDO 不因過流信號干擾而中斷運(yùn)行。為了防
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一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
摘要：設(shè)計(jì)了一種用HHNEC 0.35μmBCD 工藝實(shí)現(xiàn)的LDO 線性穩(wěn)壓器， 該LDO 是一款低功耗，帶寬大的低壓差線性穩(wěn)壓器。對其結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行分析， 討論了關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)， 模擬結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的正確性。 1 引
瞎折騰
DESERT134
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hebin.en
zhao2673
Kevion_lin
海中水
WRB9609
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21ic小喇叭
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不愛說話
