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臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)
如下是一個NMOS的開關(guān)電路，階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個 小平臺 ，有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小
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LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析
最基礎(chǔ)的LED照明電路原理及其分析： 采用AC-DC 電源的LED 照明應(yīng)用中，電源轉(zhuǎn)換的構(gòu)建模塊包括二極管、開關(guān)（FET）、電感及電容及電阻等分立元件用于執(zhí)行各自功能，而脈寬調(diào)
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這幾個在LED驅(qū)動電路中會常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析
在LED電路中容易犯的幾個錯誤： 對于新手來講LED驅(qū)動設(shè)計(jì)其實(shí)并不是一件容易的事兒，針對這方面問題小編特別總結(jié)了設(shè)計(jì)達(dá)人的一些在工作中需要注意的問題和親身的設(shè)計(jì)心得進(jìn)行分享。
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干貨 | MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？一文讀懂
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場效應(yīng)管主要有兩種
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電子工程師都應(yīng)該掌握的MOS管知識
關(guān)注、星標(biāo)公眾號，不錯過精彩內(nèi)容 素材來源：網(wǎng)絡(luò) MOS管對于電子工程師來說是一種必須掌握的元器件，在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中也比較常見，那么，關(guān)于MOS管你了解多少，下面就給大家詳細(xì)介紹一下。 什么是MOS管 MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semico
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MOS管開關(guān)原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一，不過MOS管我們天天見，但是不乏一些剛?cè)胄械墓こ處?、甚至是少?shù)行業(yè)老手對于MOS的基礎(chǔ)理論的掌握不是很牢固，所以專門寫一篇文章為大家總結(jié)一下MOS的開關(guān)原理和基礎(chǔ)知識。
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊你會看了嗎？
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。 極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。 VDS表示漏極與源極
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電子負(fù)載儀的工作原理，你知道嗎？
什么是電子負(fù)載儀?它的工作原理是什么?以增強(qiáng)AVRRISC結(jié)構(gòu)的ATmega16控制器為核心，設(shè)計(jì)并制作了直流電子負(fù)載儀。系統(tǒng)通過斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作，然后經(jīng)過誤差放大器的PI調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋控制環(huán)路，實(shí)現(xiàn)恒流。恒阻和恒壓模式通過軟件實(shí)時調(diào)節(jié)流過MOS管電路的電流實(shí)現(xiàn)。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，系統(tǒng)恒流模式下精度在l%以內(nèi)，恒阻與恒功率模式下精度在3%以內(nèi)。
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你能區(qū)分三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路嗎？
三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路，你知道嗎?通常情況下我們在做電路設(shè)計(jì)時候，三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題，三極管便宜，MOS管貴;其次是功耗問題，三極管損耗大;最后是驅(qū)動能力，MOS管常用來電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。
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MOS管“擊穿”的一些情況解析
什么是MOSFET的擊穿?你真滴嗎?MOSFET的擊穿有哪幾種，你了解嗎?今天小編就給大家科普一下關(guān)于MOSFET擊穿的知識點(diǎn)!速來學(xué)習(xí)吧~MOSFET的擊穿分為三種：Source、Drain、Gate，場效應(yīng)管的三極：源級S 漏級D 柵級G，(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)。
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MOS管發(fā)熱的可能性因素，你知道嗎？
你了解MOS管發(fā)熱嗎?做為一名電源工程師，做電源設(shè)計(jì)可以說是日常了，提到MOS管的話，一定不陌生。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。接下來我們來了解MOS管發(fā)熱四大關(guān)鍵技術(shù)。
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你知道使用MOS管的一些注意事項(xiàng)有哪些嗎？
什么是MOS管?它有什么注意事項(xiàng)?MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場效應(yīng)管。與普通的晶體三極管相比，具有以下四個優(yōu)點(diǎn)，即，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等，MOS管現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
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電源研發(fā)必知！開關(guān)電源IC內(nèi)部電路解析！
摘要 作為一名電源研發(fā)工程師，自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的工程師對芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面，按照推薦設(shè)計(jì)搭建外圍完事。如此一來即使應(yīng)用沒有問題，卻也忽略了更多的技術(shù)細(xì)節(jié)，對于自身的技術(shù)
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看完這篇，請不要再說不懂MOSFET?。ㄎ哪┯畜@喜）
? 01 認(rèn)識功率器件 ? 1.1 功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功率器件的全貌： ? ? 1.2 功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對電路信號的控程度分為全型 、半控型及不可；或按驅(qū)動電路信號 性質(zhì)分為電壓驅(qū)
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MOS管輸出特性曲線，你看明白了嗎？
我們知道，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說三極管是電流控制電流的器件。 而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的，所以說MOS管是電壓控制電流的器件。 對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Ugs>Ugs(th)時，MOS就會開始導(dǎo)通，如果在D極和S極之間加上一定的
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開關(guān)電源微型化的一些技術(shù)
科技的發(fā)展對工程師的能力要求越來越高，在同樣功率和電壓的條件下，是什么技術(shù)瓶頸限制了開關(guān)電源的體積進(jìn)一步縮小?現(xiàn)有技術(shù)條件下，電腦主機(jī)的電源不能做到和手機(jī)充電器一樣大嗎?為什么?請不要簡單回答說散熱問題，我想知其所以然。另外，未來是否有可能進(jìn)一步縮小體積功率比?需要哪些技術(shù)前提?
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關(guān)于MOS管失效的六大原因分析
雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
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不同的LED路燈電源
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。LED路燈是LED照明中一個很重要應(yīng)用。在節(jié)能省電的前提下，LED路燈取代傳統(tǒng)路燈的趨勢越來越明顯。
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LED燈不足點(diǎn)
在科技高度發(fā)展的今天，電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代越來越快，LED燈的技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的城市裝飾得五顏六色。本文主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片進(jìn)行分析。目的是為了能夠減少M(fèi)OS管的損失。下文中主要從5個方面分析了MOS管燒不停的原因，并給出合理的處理方法。
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關(guān)于隔離電源與非隔離電源在LED驅(qū)動中的選擇方法
其實(shí)說白了，不是什么可靠性，而是非隔離電路對于浪涌太敏感，抑制能力差，隔離電路，因?yàn)槟芰渴窍冗M(jìn)入變壓器，然后從變壓器再輸送到LED負(fù)載的。
