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DCDC基礎(chǔ)（8）-- 同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀二
按照我的理解，對(duì)于MOS管而言，灌電流就是漏極電流 Id，正常來(lái)說(shuō)MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)4mA，但是為了滿足邏輯要求，如上圖所示，CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平，即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述，對(duì)于8路I/O口同時(shí)輸出低電平時(shí)，VOL
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DCDC基礎(chǔ)（4）-- 非同步BUCK電路的續(xù)流二極管是怎么確定的?
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時(shí)傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來(lái)計(jì)算。二極管的交流損耗是由于結(jié)電容的充放電和反向恢復(fù)電荷造成的。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽(yáng)小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅(jiān)持“首件確認(rèn)，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長(zhǎng)期合作伙伴
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什么是場(chǎng)效應(yīng)管？mos管工作原理詳解
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET)。
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BUCK電源分立器件搭建原理圖實(shí)戰(zhàn)之滯回電路
我們知道MOS管需要開(kāi)通快關(guān)斷快，這樣才能減少損耗，那MOS管的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路一般情況都使用三極管推挽電路實(shí)現(xiàn)，我們先定前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的電源是12V，我們來(lái)看一下電路是怎么搭建的。
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MOS管的Miller 效應(yīng)
MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
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技術(shù)參數(shù)詳解：MOS管知識(shí)最全收錄！
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變...
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MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)
全文框架1.柵極驅(qū)動(dòng)部分常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。其中Lk是驅(qū)動(dòng)回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中，用于放大驅(qū)動(dòng)信號(hào)的圖騰柱本身也是封裝在專門的驅(qū)動(dòng)芯片中。本文要...
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技術(shù)參數(shù)詳解，MOS管知識(shí)最全收錄！
▼?點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注硬門芯思?▼?MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開(kāi)關(guān)...
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了解MOS管，看這個(gè)就夠了?。ㄩL(zhǎng)文預(yù)警，建議先收藏后再仔細(xì)觀看）
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼歡迎關(guān)注【玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式】公眾號(hào)，回復(fù)關(guān)鍵字獲取更多免費(fèi)資料?；貜?fù)【加群】，限時(shí)免費(fèi)進(jìn)入知識(shí)共享群；回復(fù)【3D封裝庫(kù)】，常用元器件的3D封裝庫(kù)；回復(fù)【電容】，獲取電容、元器件選型相關(guān)的內(nèi)容；回復(fù)【阻抗匹配】，獲取電磁兼容性、阻抗匹配相關(guān)的資料回復(fù)【...
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工程師必看！MOS管幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。01電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌?..
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深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
關(guān)于三極管????簡(jiǎn)單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區(qū)（完全導(dǎo)通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個(gè)0.3V，我們就認(rèn)為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA,Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導(dǎo)通。如下圖，是一個(gè)NPN三極管。三...
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MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)！
米勒平臺(tái)形成的基本原理MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過(guò)程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后，MOSFET就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米...
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MOS管輸出特性曲線你看明白了嗎？
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼我們知道，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說(shuō)三極管是電流控制電流的器件。而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的，所以說(shuō)MOS管是電壓控制電流的器件。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Ugs>Ugs(th)時(shí)，MOS就會(huì)開(kāi)始導(dǎo)通，如果在D極...
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帶軟開(kāi)啟功能的MOS管電源開(kāi)關(guān)電路
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開(kāi)關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к涢_(kāi)啟功能，非常經(jīng)典。?一、電路說(shuō)明電源開(kāi)關(guān)電路，尤其是MOS管電源開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所...
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工程師不得不知的MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
本文來(lái)源于面包板社區(qū)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的GS兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一...
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MOS管怎么用？從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
本文來(lái)源于面包板社區(qū)要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開(kāi)關(guān)元件，在開(kāi)關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見(jiàn)，是電力電子的核心元件。MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當(dāng)于NPN的三極管；P...
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拋開(kāi)教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
大家好，當(dāng)我說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。大部分的教材都會(huì)告訴你長(zhǎng)長(zhǎng)的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，屬于絕緣柵極場(chǎng)效晶體管，以硅片為秤體，利...
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為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管，有什么作用？
▼點(diǎn)擊名片，關(guān)注公眾號(hào)▼MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。下圖是NMOS的示意...
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干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。首先仿真Vgs和Vds的波形，會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè)小平臺(tái)，有人會(huì)好...
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