1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作,使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空,當(dāng)輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時),加下拉電阻,就能使有效接地。特別是GPIO連接此基極的時候,一般在GPIO所在I
【導(dǎo)讀】在“中國制造”的道路上國產(chǎn)分立器件已經(jīng)不可或缺的融入供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,以客戶需求為出發(fā)點(diǎn),調(diào)整并深化產(chǎn)品線,走專業(yè)化道路,合理的性價比成為國內(nèi)分立器件制造的主要目標(biāo)以及競爭優(yōu)勢的體現(xiàn)。也只有這樣
現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:以N型管為例,2端為控制端,稱為“柵極”;3端通常接地,稱為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓
我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。3、功耗問題:三極管損耗大
開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
柵極與源極之間加一個電阻,這個電阻起到什么作用?一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護(hù)柵極G-源極S;第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S:場效應(yīng)管的
【導(dǎo)讀】無線充電從誕生之日就飽受爭議,而實(shí)現(xiàn)之路也是困難重重,我們尋找了兩家涉足無線充電領(lǐng)域的公司,試圖從他們的現(xiàn)狀來一窺無線充電產(chǎn)業(yè)的最新動態(tài)。 成功的設(shè)計:不僅是性能,還需兼具工藝與良率 故事一
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或
如圖是另外一個VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路。由于采用了電壓比較器710,因此該電路比前者有所簡化。圖中,電阻R1、R2、R3和穩(wěn)壓管VDl、 VD2 組成分壓穩(wěn)壓電路,從28V輸入電壓中
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換的簡單應(yīng)用(原文件名:MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg)如上圖所示,是 MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理:為了方便講述,定義 3.3V 為
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問題:三極管便宜,MOS管貴。3、功耗問題:三極管損耗大。4、驅(qū)動能力:MOS管常用來電源開關(guān),以及
VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路
引言現(xiàn)代電子技術(shù)的應(yīng)用迅速地發(fā)展,對電子儀器和設(shè)備要求性能上更加安全可靠,功能上,不斷地增加。在使用上自動化程度越來越高。在體積上,要日趨小型化。這使采用具有眾
我們在實(shí)際電子產(chǎn)品設(shè)計調(diào)試過程中,經(jīng)常會有這樣的疑問,MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實(shí)MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允
做電源設(shè)計,或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,其工作原理本