MOSFET
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
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DC-DC轉(zhuǎn)換器如何調(diào)整電流限制閾值
最近的進(jìn)展已經(jīng)通過(guò)在低側(cè)MOSFET(同步整流器)上取代壓降來(lái)消除電流檢測(cè)電阻。這種拓?fù)涔?jié)省了感測(cè)電阻的成本和空間，并且還提供了效率的適度提高。
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設(shè)計(jì)同步整流電源：MOSFET選擇與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
在電力電子領(lǐng)域，同步整流技術(shù)以其高效率、低損耗的特點(diǎn)，成為現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的重要組成部分。特別是在直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器中，同步整流技術(shù)通過(guò)使用兩個(gè)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）來(lái)控制電流的方向，從而實(shí)現(xiàn)了電能的有效傳輸。本文將深入探討在設(shè)計(jì)同步整流電源時(shí)，如何選擇合適的MOSFET以及設(shè)計(jì)其驅(qū)動(dòng)電路，以確保電源的高效率和穩(wěn)定性。
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首先ALN MOSFET展示承諾和挑戰(zhàn)
超寬的帶隙(UWBG)材料可以擴(kuò)大寬帶蓋(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供的改進(jìn)范圍。在本文中，我們總結(jié)了基于UWBG鋁(ALN)的MOSFET設(shè)備的最初初始演示 。開(kāi)創(chuàng)性的工作突出了在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用該材料的一些承諾和挑戰(zhàn)。
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e絡(luò)盟正式開(kāi)售 Diotec Semiconductor 產(chǎn)品
面向工業(yè)、汽車、能源、照明和消費(fèi)電子市場(chǎng)，產(chǎn)品價(jià)格富有競(jìng)爭(zhēng)力，交貨期短
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如何為WLED構(gòu)建一個(gè)RGB PWM LED驅(qū)動(dòng)程序
在這個(gè)項(xiàng)目中，我將為WLED構(gòu)建一個(gè)RGB PWM LED驅(qū)動(dòng)程序。您可以使用此項(xiàng)目無(wú)線驅(qū)動(dòng)12v RGB LED條。這個(gè)項(xiàng)目是WLED兼容，這使得控制容易得多。你可以用它驅(qū)動(dòng)高達(dá)100w的RGB LED條。WLED運(yùn)行在XIAO ESP32C3上，LED驅(qū)動(dòng)器使用IRLFZ44N邏輯級(jí)MOSFET。讓我們開(kāi)始建造吧。
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當(dāng)過(guò)壓持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間時(shí)，使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中，過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流。
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柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理是什么？柵極驅(qū)動(dòng)器電壓范圍是多少
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)柵極驅(qū)動(dòng)器的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET？
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開(kāi)關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。
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首款新型TPSMB非對(duì)稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)
專為下一代電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施而設(shè)計(jì)，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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詳解PWM死區(qū)的意義
電路中出現(xiàn)的死區(qū)是指輸入電壓在一定范圍內(nèi)時(shí)輸出電壓不變的現(xiàn)象。例如，在脈沖寬度調(diào)制(PWM)電路中，當(dāng)輸入信號(hào)的幅值超過(guò)某一閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)管就會(huì)打開(kāi)，輸出信號(hào)的幅值就會(huì)隨之增加。但是，當(dāng)輸入信號(hào)幅值降至某一范圍內(nèi)時(shí)，輸出信號(hào)的幅值保持不變，從而產(chǎn)生了死區(qū)。
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在電力電子系統(tǒng)中，IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹
在電力電子系統(tǒng)中，特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時(shí)，死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后，另一個(gè)元件才能開(kāi)啟，從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?
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哪些工藝參數(shù)會(huì)影響MOSFET閾值電壓？MOSFET雪崩失效解讀
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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非常見(jiàn)問(wèn)題解答第224期：熱插拔控制器中的寄生振蕩
使用高端N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。雖然這不是新問(wèn)題，但數(shù)據(jù)手冊(cè)通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理，只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復(fù)，可能會(huì)導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論，并為正確實(shí)施解決方案提供指導(dǎo)。
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用MATLAB實(shí)現(xiàn)單相半橋和全橋逆變器
交流電(AC)電源幾乎用于所有的住宅、商業(yè)和工業(yè)需求。但是交流電最大的問(wèn)題是它不能儲(chǔ)存起來(lái)以備將來(lái)使用。交流電被轉(zhuǎn)換成直流電，然后直流電被儲(chǔ)存在電池和超級(jí)電容器中?，F(xiàn)在，每當(dāng)需要交流時(shí)，直流又被轉(zhuǎn)換成交流電來(lái)運(yùn)行基于交流電的電器。所以把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置就叫做逆變器。
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使用MOSFET的簡(jiǎn)單h橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
一開(kāi)始，驅(qū)動(dòng)電機(jī)似乎是一項(xiàng)簡(jiǎn)單的任務(wù)——只要把電機(jī)連接到合適的電壓軌道上，它就會(huì)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)。但這并不是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的完美方式，特別是當(dāng)電路中涉及到其他組件時(shí)。這里我們將討論一種最常用和最有效的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)方式——H橋電路。
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用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的恒流吸收電路
電流源和電流匯是電子設(shè)計(jì)中使用的兩個(gè)主要術(shù)語(yǔ)，這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)決定了有多少電流可以離開(kāi)或進(jìn)入終端。例如，典型8051單片機(jī)數(shù)字輸出引腳的吸收電流和源電流分別為1.6mA和60uA。這意味著引腳在高電平時(shí)可以提供(源)高達(dá)60uA，在低電平時(shí)可以接收(接收器)高達(dá)1.6mA。在我們的電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，我們有時(shí)必須建立我們自己的電流源和電流吸收電路。在上一篇教程中，我們使用普通運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建了一個(gè)電壓控制的電流源電路，可用于向負(fù)載提供電流，但在某些情況下，我們需要電流吸收選項(xiàng)而不是源電流。
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使用MOSFET和晶體管的可編程增益放大器
在測(cè)量行業(yè)中，一個(gè)非常關(guān)鍵的功能模塊是可編程增益放大器(PGA)。如果您是電子愛(ài)好者或大學(xué)生，您可能已經(jīng)見(jiàn)過(guò)萬(wàn)用表或示波器非常珍貴地測(cè)量非常小的電壓，因?yàn)殡娐肪哂袃?nèi)置PGA和功能強(qiáng)大的ADC，有助于精確測(cè)量過(guò)程。
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230V交流電源過(guò)電壓保護(hù)電路
由于技術(shù)的進(jìn)步和更好的設(shè)計(jì)偏好，大多數(shù)電源現(xiàn)在都非?？煽?，但由于制造缺陷，或者可能是主開(kāi)關(guān)晶體管或MOSFET壞了，總是有可能發(fā)生故障。此外，它也有可能由于輸入過(guò)電壓而失效，盡管像金屬氧化物壓敏電阻(MOV)這樣的保護(hù)裝置可以用作輸入保護(hù)，但是一旦MOV觸發(fā)，它就會(huì)使設(shè)備失效。
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