MOSFET
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線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設(shè)計
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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抑制紋波提高開關(guān)電源整體性能
開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成，控制開關(guān)管時間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。
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MOSFET柵極充電機理是什么？如何提高MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？
一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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雙管正激式開關(guān)電源主要組成部分詳解
雙管正激式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用了兩個功率開關(guān)管進行功率調(diào)節(jié)。在這篇文章中，我將詳細解釋雙管正激式開關(guān)電源的原理、工作方式以及其應(yīng)用領(lǐng)域。
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MOSFET常見電路有哪些？3款MOSFET應(yīng)用電路介紹
在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOSFET的相關(guān)消息予以報道，如果MOSFET是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET的應(yīng)用電路你都了解嗎？MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？
一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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MOSFET對驅(qū)動電路有哪些要求？常見的MOSFET驅(qū)動電路有哪些
MOSFET驅(qū)動電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細內(nèi)容如下。
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你了解MOSFET驅(qū)動電路嗎？2款常見的MOSFET驅(qū)動電路分享
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動電路的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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MOSFET負(fù)載開關(guān)基本電路了解嗎？雙MOS如何設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)？
本文中，小編將對MOSFET負(fù)載開關(guān)予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認(rèn)識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET與IGBT的定義與特性
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物（如SiO?或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成，具有三個主要電極：源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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IGBT和MOSFET的優(yōu)缺點有哪些
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件，在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨特的優(yōu)缺點，以下是對兩者優(yōu)缺點的詳細分析：
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一文詳解MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET的工作基于柵極電壓對導(dǎo)電溝道的控制。當(dāng)柵極電壓達到一定值時，會在半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電溝道，從而控制源極和漏極之間的電流流動。
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降壓轉(zhuǎn)換器頂部FET Q1的典型開關(guān)波形和損耗
MOSFET 開關(guān)損耗,真正的晶體管需要時間才能打開或關(guān)閉。因此，在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬變期間存在電壓和電流重疊，從而產(chǎn)生交流開關(guān)損耗。
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Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
單/雙封裝比傳統(tǒng)封裝具有更優(yōu)異的熱性能
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比較 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET：哪種最適合您的應(yīng)用？
它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別：p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子，產(chǎn)生空穴電流，而 n 通道器件利用電子，產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高，約為空穴的兩到三倍，因此在 p 通道器件中移動空穴比在 n 通道器件中移動電子更具挑戰(zhàn)性。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電動/混合動力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器必須具備高效的隔離功能和強大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器在提供隔離功能時的最大功率限制及其實現(xiàn)機制。
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MOSFET柵極充電機理是什么？MOSFET柵極驅(qū)動電路的振蕩問題解析
本文中，小編將對MOSFET柵極驅(qū)動電路予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認(rèn)識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET柵極驅(qū)動電路重要參數(shù)解讀：導(dǎo)通電阻+驅(qū)動功率
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET柵極驅(qū)動電路的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET柵極驅(qū)動電路的了解，和小編一起來看看吧。
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管關(guān)斷過程的分析
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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