MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率

    全球能源價(jià)格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用的增加正在成為設(shè)備和/或消費(fèi)品采購(gòu)決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過(guò)去，這主要適用于電池供電的應(yīng)用，因?yàn)樾蕰?huì)嚴(yán)重影響設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。然而，這種趨勢(shì)近年來(lái)已經(jīng)擴(kuò)大到包括許多離線供電的消費(fèi)品。

  • 對(duì)比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？

    功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率零組件。

  • 最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件

    英飛凌推出 LITIX Power 雙通道 DC/DC 控制器，無(wú)需額外的微控制器即可驅(qū)動(dòng) LED 前照燈。 Infineon Technologies AG通過(guò)雙通道獨(dú)立 DC/DC 控制器擴(kuò)展了其LITIX Power 系列。該公司聲稱新的 TLD6098-2ES是第一款無(wú)需額外微控制器即可驅(qū)動(dòng)全 LED 前照燈的產(chǎn)品。該控制器還可以操作四種標(biāo)準(zhǔn) LED 前燈 功能：遠(yuǎn)光燈 (HB)、近光燈 (LB)、日間行車(chē)燈 (DRL) 和轉(zhuǎn)向燈 (TURN)。LITIX Power 產(chǎn)品還可用作外部 LED 照明中動(dòng)畫(huà)的電壓源。

    電源
    2022-11-03
    DCDC MOSFET

  • 選擇功率 MOSFET 的簡(jiǎn)單指南

    鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來(lái)越小，使用可靠、一致的方法來(lái)選擇正確的 MOSFET 變得越來(lái)越重要。這種方法可以加快開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

  • 如何在我們的項(xiàng)目中選擇合適的 MOSFET 器件

    隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。

  • 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技：?jiǎn)纹?qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

    現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。

  • CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢(shì)，第一部分

    傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只有三個(gè)端子當(dāng)柵極控制電壓在電源和地之間變化時(shí)，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時(shí)起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。

  • 柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性，第二部分

    為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)：

  • 采用高可信度的MOSFET模型進(jìn)行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員該如何結(jié)合使用系統(tǒng)級(jí)模型和精細(xì)模型，探索設(shè)計(jì)空間，并帶來(lái)高可信度結(jié)果。本文使用MathWorks的系統(tǒng)級(jí)建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細(xì)的英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET SPICE子電路），對(duì)該過(guò)程進(jìn)行示范性展示。

  • 意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車(chē)電氣系統(tǒng)的性能和靈活性

    該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸出電壓保持穩(wěn)定不變。

  • 新品推薦：-60V SGT介紹

    2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為高端開(kāi)關(guān)的理想選擇。P 溝道MOSFET特性的優(yōu)勢(shì)在于可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，降低應(yīng)用的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，從而降低整體成本。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

  • 評(píng)估 SiC 在汽車(chē)行業(yè)之外的潛力

    碳化硅 (SiC) 因其更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車(chē)行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過(guò)去五年中，汽車(chē)行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明，通過(guò) SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 AC 的基本轉(zhuǎn)換比硅 (Si) 轉(zhuǎn)換器更小、更輕且更高效，因此寬帶隙器件在汽車(chē)行業(yè)的潛力將顯著增長(zhǎng)。

  • 使用 SiC MOSFET 提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)能效

    工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求，因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高效率水平至關(guān)重要。

  • 從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展

    本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過(guò)描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因?yàn)樾碌?SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開(kāi)發(fā)。

    功率器件
    2022-07-07
    SiC GaN MOSFET

  • 溫度監(jiān)控系統(tǒng)優(yōu)化電源設(shè)計(jì)中的冷卻系統(tǒng)

    與低功率同類產(chǎn)品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此，有效的熱管理對(duì)于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)備。

  • 使用新型預(yù)驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 的汽車(chē)功率負(fù)載控制

    今天的汽車(chē)配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置，使車(chē)輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外，傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動(dòng)力轉(zhuǎn)向和自動(dòng)變速箱)正在被電動(dòng)等效系統(tǒng)取代，以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟(jì)性。

  • 說(shuō)明 SiC MOSFET 在電力電子中的優(yōu)勢(shì)

    電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的，以提高效率和生產(chǎn)力，同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來(lái)一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主導(dǎo)地位的地方，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)，尤其是碳化硅 (SiC) 技術(shù)的最新進(jìn)展正在為電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)額外的好處，提高效率和更高的電壓能力，從而減少形式因素。

  • 新增國(guó)產(chǎn)耗盡型MOSFET，世強(qiáng)硬創(chuàng)全線代理方舟微消費(fèi)/工業(yè)類產(chǎn)品線

    2022年3月24日，世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議，方舟微授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)代理旗下耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET和保護(hù)器件等全線產(chǎn)品。

  • 國(guó)際碳化硅專利布局報(bào)告出爐，MOSFET量產(chǎn)公司派恩杰受關(guān)注

    在幾家造車(chē)新勢(shì)力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)后，中國(guó)功率半導(dǎo)體上車(chē)進(jìn)程開(kāi)始進(jìn)入白熱化，電車(chē)廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。