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Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30mΩ、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣
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Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET®的電壓范圍
150 V N溝道TrenchFET®功率MOSFET為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝的新
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Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET的電壓范圍
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET®技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Silico
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Vishay Siliconix 推出 N溝道TrenchFET®功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si
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Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級(jí)MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴(kuò)充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.
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Vishay Siliconix推出通過(guò)JAN認(rèn)證N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)
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Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDK
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Vishay Siliconix推出尺寸極小新款低壓模擬開(kāi)關(guān)
21ic訊 日前Vishay 宣布推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開(kāi)關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導(dǎo)通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝，可在空間受限的便攜式終端
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Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解決方案
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。器件的工作頻率超過(guò)1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、
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Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解決方案
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。器件的工作頻率超過(guò)1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、
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N溝道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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N溝道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
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AnalogicTech與Siliconix公司協(xié)議和解專利訴訟
為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品提供電源管理半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)商Advanced Analogic Technologies (AnalogicTech)，已和Vishay Intertechnology Inc.公司(NYSE股市代碼：VSH)的子公司Siliconix在專利侵權(quán)訴訟案上達(dá)成了一項(xiàng)和解協(xié)
