SRAM

基于DSP的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與實(shí)現(xiàn)

該開(kāi)發(fā)平臺(tái)運(yùn)用于石油化工領(lǐng)域內(nèi)的煙氣輪機(jī)振動(dòng)故障檢測(cè)中流量、溫度、壓力、密封差壓、各點(diǎn)振動(dòng)位移、催化劑含塵量等參數(shù)的模擬數(shù)據(jù)采集，通過(guò)分析可以看出因?yàn)門(mén)MS320F2812芯片內(nèi)包含了A／D和SRAM，SRAM代替了價(jià)格昂貴的FIFO，所以這種采集方法可以大大提高采樣速度和精度，并且可以降低硬件設(shè)計(jì)的成本和時(shí)間，為下一步基于DSP實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理和分析設(shè)計(jì)奠定了良好的基礎(chǔ)。

STM32 DMA 應(yīng)用之(一)SRAM 與flash 間數(shù)據(jù)傳輸

一、為什么要用DMA?DMA全稱：Direct MemoryAccess 就是可以直接內(nèi)存存??；正是它可以直接操作內(nèi)存所以具備以下優(yōu)點(diǎn)：而無(wú)需經(jīng)過(guò)CPU去操作內(nèi)存的存取，這樣可以解放CPU出來(lái)干其他的事情；因?yàn)樗梢赃M(jìn)行存儲(chǔ)器時(shí)間的數(shù)

一種基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

STM32F0xx在增加IAP后APP為什么在main函數(shù)中要重映射SRAM

1 前言在使用F0的片子在增加IAP后，我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)，原來(lái)的APP必須增加一段代碼，將中斷向量表從內(nèi)部FLASH拷貝到SRAM后再執(zhí)行REMAP到SRAM，這樣操作后APP才能正常運(yùn)行，這一過(guò)程一直困擾著蝶粉們，為什么需要這樣呢？本

基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外部SRAM

用CPLD和外部SRAM構(gòu)成大容量FIFO的設(shè)計(jì)

一種基于CAN總線與以太網(wǎng)的嵌入式網(wǎng)關(guān)經(jīng)典設(shè)計(jì)

這里介紹的是一種低成本、高可靠性、快捷的CAN以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)的硬件、軟件設(shè)計(jì)方案，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用證明，該設(shè)計(jì)可以作為CAN總線節(jié)點(diǎn)的一個(gè)模塊，能夠與儀器儀表等設(shè)備相結(jié)合，使其具有網(wǎng)絡(luò)通信的能力，比較同類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)能大大提高其性價(jià)比。

愛(ài)美科制造全球最小SRAM 芯片 面積縮小24%

在目前全球的芯片制造產(chǎn)業(yè)中，除了臺(tái)積電、格羅方德、三星、英特爾擁有先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，以其強(qiáng)大的生產(chǎn)能量可以生產(chǎn)先進(jìn)邏輯運(yùn)算芯片之外，愛(ài)美科(IMEC)則是在晶圓制造領(lǐng)域中技術(shù)研發(fā)領(lǐng)先的單位。因此，繼日前臺(tái)積電與南韓三星陸續(xù)透露其在 5 納米先進(jìn)制程的布局情況外，愛(ài)美科也在上周宣布了一項(xiàng)新的技術(shù)，制造了全球最小的 SRAM 芯片，其芯片面積比之前的產(chǎn)品縮小了 24%，未來(lái)將可適用于先進(jìn)的 5 納米制程技術(shù)上。

基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴(kuò)展鍵盤(pán)的應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文從應(yīng)用的角度出發(fā)，設(shè)計(jì)了一個(gè)基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴(kuò)展鍵盤(pán)的應(yīng)用系統(tǒng)。從硬件的原理框圖到軟件都給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)。 ATmega2560微控制器是ATmega系列中最為高檔的一款。它在消費(fèi)電子

賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級(jí) QML 認(rèn)證

加利福尼亞州圣何塞，2017年 11 月 15 日 —— 包括抗輻射存儲(chǔ)器在內(nèi)的先進(jìn)嵌入式系統(tǒng)解決方案市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司 和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“UMC”)今日聯(lián)合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術(shù)平臺(tái)成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認(rèn)證的平臺(tái)，為其未來(lái)產(chǎn)品鋪平了道路。

基于J750EX測(cè)試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測(cè)試技術(shù)研究

作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋(píng)，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機(jī)器(SRAM)用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取

基于 QDR-IV SRAM 實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器 IP設(shè)計(jì)

網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來(lái)記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開(kāi)的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時(shí)。數(shù)據(jù)包的到達(dá)

基于J750EX測(cè)試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測(cè)試技術(shù)研究

VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機(jī)器(SRAM)用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于J750測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。另外，針對(duì)SRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如TAA（地址變化到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間）、TACS(片選下降到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間)、TOE（讀信號(hào)下降到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成SRAM的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。

SRAM與SDRAM有什么區(qū)別？

SDRAMSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用

上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來(lái)“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一夜之間銷聲匿跡，

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問(wèn)題匯總

問(wèn)題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答：名詞解釋如下DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式SRAM--------靜態(tài)的隨

FPGA與SRAM相結(jié)合完成大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

1 引言隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的不斷發(fā)展，大容量可編程邏輯器件的不斷涌現(xiàn)，F(xiàn)PGA技術(shù)越來(lái)越多地應(yīng)用在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中。在此硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)遇到需要大容量的數(shù)

Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的穩(wěn)壓器 LTM4632

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩(wěn)壓器 LTM4632，用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個(gè)電壓軌供電：VD

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用

上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來(lái)“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一夜之間銷聲匿跡，