SRAM

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靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

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  • FinFET晶體管尺寸的量化一直是主要挑戰(zhàn)，并迫使高密度6T

    存算一體化是指將傳統(tǒng)以計算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，它可以突破馮·諾伊曼架構(gòu)下存算分離的瓶頸，直接利用存儲器進行數(shù)據(jù)處理，從而把數(shù)據(jù)存儲與計算融合在同一芯片中，極大提高計算并行度與能效比。

  • 在 IoT 應(yīng)用程序中平衡內(nèi)存性能和功耗

    為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個關(guān)鍵標準是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來，就一直在這兩者之間進行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高性能控制器但低功耗存儲器。一個典型的案例是可穿戴設(shè)備，其中控制器需要功能強大，但由于 SRAM 用作暫存器，因此預(yù)計它具有盡可能低的功耗。

  • 緩存器

    高速緩沖存儲器(Cache)其原始意義是指存取速度比一般隨機存取記憶體(RAM)來得快的一種RAM，一般而言它不像系統(tǒng)主記憶體那樣使用DRAM技術(shù)，而使用昂貴但較快速的SRAM技術(shù)，也有快取記憶體的名稱。

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  • Cache結(jié)構(gòu)及原理

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  • 動態(tài)隨機存取存儲器

    動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

  • SRAM結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用

    SRAM (Static RAM)，即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機或斷電時，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns或更快的速度工作。一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容.而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件。所以，除了價格較貴外，SRAM芯片在外形上也較大，與DRAM相比要占用更多的空間。由于外形和電氣上的差別，SRAM和DRAM是不能互換的。

  • SRAM存儲器

    靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory，SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatile memory)，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

  • 芯片片上SRAM存儲概略及生成使用實踐?（上）

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